NMOS输出功率管的低压差稳压器制造技术

本发明专利技术提供了一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，包括低压差稳压单元和电流检测单元，电流检测单元包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和检测放大器，所述第二NMOS管的漏极接输入电压，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述检测放大器的第一输入端和所述第四NMOS管的漏极连接，所述检测放大器的第二输入端与所述第一NMOS管的源极连接，所述检测放大器的输出端与所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极均接地。所述NMOS输出功率管的低压差稳压器中，能够检测出所述低压差稳压单元的输出电流大小，从而根据输出电流的大小，改善所述低压差稳压单元的负载调整率。

【技术实现步骤摘要】
NMOS输出功率管的低压差稳压器
本专利技术涉及低压差稳压器
，尤其涉及一种NMOS输出功率管的低压差稳压器。
技术介绍
低压差稳压器包括输出功率期间、反馈网络和误差放大器，其输出电流随着负载情况轻重导致变化范围很大，从而影响到电路的稳定性、工作温度、输出电压的稳定性等。其中，输出电流的变化而引起电源输出变化，可以用负载调整率(LoadRegulation)指标描述，用公式可以表述为：LoadRegulation＝|Vfl-Vml|/Vhlx100％，Vfl和Vml分别是低压差稳压器满载时和最小负载时的输出电压，Vhl是半载时的输出电压。负载增加，输出电压降低，相反负载减少，输出电压升高，因此，负载调整率越小说明低压差稳压器抑制负载干扰的能力越强。但现有技术中，缺乏针对NMOS输出功率管的低压差稳压器的电流检测电路以及负载调整电路。因此，有必要提供一种新型的NMOS输出功率管的低压差稳压器以解决现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，检测输出电流的大小，从而改善低压差稳压器的负载调整率。为实现上述目的，本专利技术的所述NMOS输出功率管的低压差稳压器，包括：低压差稳压单元，包括误差放大电路、第一NMOS管和反馈网络，所述误差放大电路的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述误差放大电路的输入端与所述反馈网络的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极接输入电压，所述第一NMOS管的源极与所述反馈网络的输入端连接，所述反馈网络的接地端接地；电流检测单元，包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和检测放大器，所述第二NMOS管的漏极接输入电压，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述检测放大器的第一输入端和所述第四NMOS管的漏极连接，所述检测放大器的第二输入端与所述第一NMOS管的源极连接，所述检测放大器的输出端与所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极均接地；其中，所述误差放大电路包括误差放大器或误差放大调整电路中的一种，当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述第三NMOS管的漏极与所述反馈网络的输出端连接；当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述NMOS输出功率管的低压差稳压器还包括参考电压调整电路，所述参考电压调整电路的输出端与所述误差放大器的输入端连接，所述参考电压调整电路的输入端与所述第三NMOS管的漏极连接；当所述误差放大电路为误差放大调整电路时，所述第三NMOS管的漏极与所述误差放大调整电路的输入端连接。本专利技术的有益效果在于：电流检测单元包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和检测放大器，所述第二NMOS管的漏极接输入电压，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述检测放大器的第一输入端和所述第四NMOS管的漏极连接，所述检测放大器的第二输入端与所述第一NMOS管的源极连接，所述检测放大器的输出端与所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极均接地，从而能够检测出所述低压差稳压单元的输出电流大小，从而根据输出电流的大小，改善所述低压差稳压单元的负载调整率。优选地，所述参考电压调整电路包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端与输入电压和所述误差放大器的输入端连接，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端和所述电流检测单元的输出端连接，所述第四电阻的另一端接地。其有益效果在于：所述参考电压调整电路能够根据所述电流检测单元检测到的输出电流的大小调整所述误差放大器的参考电压，从而改善所述低压差稳压单元的负载调整率。优选地，所述误差放大调整电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极接参考电压，所述第一PMOS管的漏极通过第一线与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的源极接输入电压，所述第二PMOS管的栅极与所述反馈网络的输出端连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的源极连接，所述第六NMOS管的源极接地，所述第六NMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极连接，所述第五NMOS管的源极与所述第一线连接后接地，所述第六NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的源极接输入电压，所述第四PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的源极接输入电压，所述第三PMOS管的漏极接所述第五NMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极和漏极短接。其有益效果在于：所述误差放大调整电路能够根据所述电流检测单元检测到的输出电流的大小进行调整，代替了现有技术中的误差放大器，从而能够改善所述低压差稳压单元的负载调整率。优选地，所述误差放大调整电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的栅极接参考电压，所述第一PMOS管的漏极与所述第八NMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的漏极与栅极短接，所述第八NMOS管的栅极与所述第九NMOS管的栅极连接，所述第九NMOS管的漏极与所述第五NMOS管的源极连接，所述第五NMOS管的栅极与所述第六NMOS管的栅极连接，所述第五NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的源极接输入电压，所述第三PMOS管的漏极和栅极短接，所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的源极接输入电压，所述第四PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极连接，所述第十NMOS管的栅极与所述第七NMOS管的栅极连接，所述第七NMOS管的漏极和栅极短接，所述第七NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述反馈网络的输出端连接，所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第九NMOS管和所述第十NMOS管的源极均接地。其有益效果在于：所述误差放大调整电路能够根据所述电流检测单元检测到的输出电流的大小进行调整，代替了现有技术中的误差放大器，从而能够改善所述低压差稳压单元的负载调整率。附图说明图1为本专利技术低压差稳压单元的电路示意图；图2为本专利技术一些实施例中NMOS输出功率管的低压差稳压器的电路示意图；图3为本专利技术一些优选实施例中NMOS输出功率管的低压差稳压器的电路示意图；图4为本专利技术又一些实施例中NMOS输出功率管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，其特征在于，包括：/n低压差稳压单元，包括误差放大电路、第一NMOS管和反馈网络，所述误差放大电路的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述误差放大电路的输入端与所述反馈网络的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极接输入电压，所述第一NMOS管的源极与所述反馈网络的输入端连接，所述反馈网络的接地端接地；/n电流检测单元，包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和检测放大器，所述第二NMOS管的漏极接输入电压，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述检测放大器的第一输入端和所述第四NMOS管的漏极连接，所述检测放大器的第二输入端与所述第一NMOS管的源极连接，所述检测放大器的输出端与所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极均接地；/n其中，所述误差放大电路包括误差放大器或误差放大调整电路中的一种，/n当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述第三NMOS管的漏极与所述反馈网络的输出端连接；/n当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述NMOS输出功率管的低压差稳压器还包括参考电压调整电路，所述参考电压调整电路的输出端与所述误差放大器的输入端连接，所述参考电压调整电路的输入端与所述第三NMOS管的漏极连接；/n当所述误差放大电路为误差放大调整电路时，所述第三NMOS管的漏极与所述误差放大调整电路的输入端连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，其特征在于，包括：
低压差稳压单元，包括误差放大电路、第一NMOS管和反馈网络，所述误差放大电路的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述误差放大电路的输入端与所述反馈网络的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极接输入电压，所述第一NMOS管的源极与所述反馈网络的输入端连接，所述反馈网络的接地端接地；
电流检测单元，包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和检测放大器，所述第二NMOS管的漏极接输入电压，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述检测放大器的第一输入端和所述第四NMOS管的漏极连接，所述检测放大器的第二输入端与所述第一NMOS管的源极连接，所述检测放大器的输出端与所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极均接地；
其中，所述误差放大电路包括误差放大器或误差放大调整电路中的一种，
当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述第三NMOS管的漏极与所述反馈网络的输出端连接；
当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述NMOS输出功率管的低压差稳压器还包括参考电压调整电路，所述参考电压调整电路的输出端与所述误差放大器的输入端连接，所述参考电压调整电路的输入端与所述第三NMOS管的漏极连接；
当所述误差放大电路为误差放大调整电路时，所述第三NMOS管的漏极与所述误差放大调整电路的输入端连接。


2.根据权利要求1所述的NMOS输出功率管的低压差稳压器，其特征在于，所述参考电压调整电路包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端与输入电压和所述误差放大器的输入端连接，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端和所述电流检测单元的输出端连接，所述第四电阻的另一端接地。


3.根据权利要求1所述的NMOS输出功率管的低压差稳压器，其特征在于，所述误差放大调整电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极接参考电压，所述第一PMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗可欣，
申请(专利权)人：上海安路信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31