存储器及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种存储器及其形成方法。通过使多个节点接触部中位于边缘位置的第一接触部具有绝缘接触柱，从而使第一接触部和对应的有源区(即，位于边缘位置的有源区)之间为电性绝缘，进而使得所形成的位于边缘位置的存储单元构成非功能性存储单元。如此，即避免了边缘位置的非功能性存储单元由于其性能异常而对存储器的器件性能造成不利影响。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器及其形成方法。
技术介绍
存储器，例如动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。以及，所述存储器还具有多条位线，每一位线分别与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括存储电容器，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器，从而实现各个存储单元的存储功能。目前，基于现有的半导体制备工艺，在制备存储单元阵列时位于边缘位置的存储单元容易有性能不足的问题，从而使得整个存储器的器件性能容易受到影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储器，以解决现有的存储器其边缘位置的存储器容易出现性能不足，从而影响存储器性能的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种存储器，包括：衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧，以及所述衬底的所述记忆体区中形成有多个有源区；位线组，形成在所述衬底的所述记忆体区中，所述位线组包括多条沿着预定方向延伸的位线，所述位线与所述多个有源区中对应的有源区相交，以及所述位线组中排布在边缘位置的位线构成第一位线，所述位线组中位于所述第一位线远离周边区一侧的位线构成第二位线；以及，多个节点接触部，所述多个节点接触部中的每一节点接触部至少部分位于所述位线的一侧并形成在对应的有源区上，以及所述多个节点接触部中排布在边缘位置的节点接触部构成第一接触部，所述多个节点接触部中位于所述第一接触部远离周边区一侧的节点接触部构成第二接触部；其中，所述第一接触部包括绝缘接触柱，所述绝缘接触柱形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性绝缘，所述第二接触部包括导电接触层，所述导电接触层形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性连接。可选的，所述存储器还包括隔离层，所述隔离层覆盖所述位线的顶表面，以及所述隔离层中覆盖在所述第一位线上的部分构成第一隔离部；以及，所述第一接触部的所述绝缘接触柱位于所述第一位线的一侧，并且所述第一接触部还包括第一电性传导层，所述第一电性传导层覆盖所述绝缘接触柱的顶表面并横向延伸至所述第一隔离部上，以使所述第一接触部的最大宽度尺寸大于所述第二接触部的最大宽度尺寸。可选的，所述第一接触部的所述绝缘接触柱位于所述第一位线靠近所述第二位线的一侧，以使所述绝缘接触柱位于所述第一位线和紧邻的第二位线之间，并且所述第一接触部的所述第一电性传导层还往远离所述第二位线的方向延伸至所述第一隔离部上。可选的，所述第二接触部的所述导电接触层的顶表面低于所述位线的顶表面；以及，所述第二接触部还包括第二电性传导层，所述第二电性传导层形成在所述导电接触层上，并沿着高度方向向上延伸，以使所述第二电性传导层的顶表面和所述第一电性传导层的顶表面齐平。可选的，所述第一接触部的最大宽度尺寸大于所述第二接触部的最大宽度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二接触部的最大宽度尺寸的2倍。可选的，所述隔离层中覆盖在所述第二位线上的部分构成第二隔离部，并且所述第二接触部的顶表面高出于所述第二隔离部的顶表面；以及，所述存储器还包括间隔绝缘层，所述间隔绝缘层形成在所述隔离层上，其中所述间隔绝缘层中形成在第一隔离部上的部分构成间隔侧墙，所述间隔绝缘层中形成在第二隔离部上的部分构成间隔填充部，所述间隔填充部形成在相邻的节点接触部之间。可选的，所述第一隔离部中被所述第一电性传导层覆盖的第一部分高出于所述第一隔离部中未被所述第一电性传导层覆盖的第二部分，以使所述第一部分的侧壁和所述第二部分的顶表面连接而呈现为台阶状结构，以及所述间隔侧墙形成在所述第二部分的顶表面上并覆盖所述第一部分的侧壁。可选的，所述第一位线的宽度尺寸大于所述第二位线的宽度尺寸。可选的，所述第一位线的宽度尺寸大于所述第二位线的宽度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二位线的宽度尺寸的2倍。另外，本专利技术还提供了一种存储器的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧，以及所述衬底的所述记忆体区中形成有多个有源区；形成位线组在所述衬底的所述记忆体区中，所述位线组包括多条沿着预定方向延伸的位线，所述位线与所述多个有源区中对应的有源区相交，并利用所述位线界定出多个节点接触窗，所述多个节点接触窗中排布在边缘位置的节点接触窗构成第一接触窗，所述多个节点接触窗中位于所述第一接触窗远离周边区一侧的节点接触窗构成第二接触窗；以及，填充绝缘接触柱在所述第一接触窗中，所述绝缘接触柱与其下方的有源区电性绝缘，以及填充导电接触层在所述第二接触窗中，所述导电接触层与其下方的有源区电性连接。可选的，所述形成方法还包括：形成电性传导材料层，所述电性传导材料层覆盖所述绝缘接触柱和所述导电接触层；以及，图形化所述电性传导材料层，以形成电性传导层，其中对应于所述第二接触窗的电性传导层构成第二电性传导层，所述第二电性传导层形成在所述导电接触层的上方，以及对应于所述第一接触窗的电性传导层构成第一电性传导层，所述第一电性传导层覆盖所述绝缘接触柱并且还横向延伸至位于第一位线的正上方，以使所述第一电性传导层的宽度尺寸大于所述第二电性传导层的宽度尺寸。可选的，图形化所述电性传导材料层，以形成电性传导层的方法包括：形成图形化的掩模层在所述电性传导材料层上，所述图形化的掩模层包括第一图形和第二图形，所述第一图形覆盖在所述第一接触窗的上方并横向延伸至所述第一位线的上方，以用于定义出所述第一电性传导层的图形，以及所述第二图形覆盖在所述第二接触窗的上方，以用于定义出所述第二电性传导层的图形；以及，以所述图形化的掩模层为掩模刻蚀所述电性传导材料层，以形成用于构成所述第一电性传导层和用于构成所述第二电性传导层，以及所述第一电性传导层的宽度尺寸大于第二电性传导层的宽度尺寸。在本专利技术提供的存储器中，使节点接触部阵列中位于边缘位置的第一接触部具有绝缘接触柱，从而使第一接触部和对应的有源区(即，位于边缘位置的有源区)之间为电性绝缘，进而使得所形成的位于边缘位置的存储单元构成非功能性存储单元。如此，即避免了边缘位置的非功能性存储单元由于其性能异常而对存储器的器件性能造成不利影响。附图说明图1为本专利技术实施例一中的存储器其示意出位线组的版图结构；图2a为本专利技术实施例一中的存储器其形成有位线组的剖面示意图；图2b为本专利技术实施例一中的存储器其形成有节点接触部的剖面示意图；图2c为本专利技术实施例一中的存储器其形成有间隔绝缘层的剖面示意图；图3为本专利技术实施例一中的存储器的形成方法的流程示意图；图4a～图4e为本专利技术实施例一中的存储器在其制备过程中的结构示意图；图5为本专利技术实施例二中的存储器的剖面示意图。其中，附图标记如下：100-衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧，以及所述衬底的所述记忆体区中形成有多个有源区；/n位线组，形成在所述衬底的所述记忆体区中，所述位线组包括多条沿着预定方向延伸的位线，所述位线与所述多个有源区中对应的有源区相交，以及所述位线组中排布在边缘位置的位线构成第一位线，所述位线组中位于所述第一位线远离周边区一侧的位线构成第二位线；以及，/n多个节点接触部，所述多个节点接触部中的每一节点接触部至少部分位于所述位线的一侧并形成在对应的有源区上，以及所述多个节点接触部中排布在边缘位置的节点接触部构成第一接触部，所述多个节点接触部中位于所述第一接触部远离周边区一侧的节点接触部构成第二接触部；其中，所述第一接触部包括绝缘接触柱，所述绝缘接触柱形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性绝缘，所述第二接触部包括导电接触层，所述导电接触层形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧，以及所述衬底的所述记忆体区中形成有多个有源区；
位线组，形成在所述衬底的所述记忆体区中，所述位线组包括多条沿着预定方向延伸的位线，所述位线与所述多个有源区中对应的有源区相交，以及所述位线组中排布在边缘位置的位线构成第一位线，所述位线组中位于所述第一位线远离周边区一侧的位线构成第二位线；以及，
多个节点接触部，所述多个节点接触部中的每一节点接触部至少部分位于所述位线的一侧并形成在对应的有源区上，以及所述多个节点接触部中排布在边缘位置的节点接触部构成第一接触部，所述多个节点接触部中位于所述第一接触部远离周边区一侧的节点接触部构成第二接触部；其中，所述第一接触部包括绝缘接触柱，所述绝缘接触柱形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性绝缘，所述第二接触部包括导电接触层，所述导电接触层形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性连接。


2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括隔离层，所述隔离层覆盖所述位线的顶表面，以及所述隔离层中覆盖在所述第一位线上的部分构成第一隔离部；
以及，所述第一接触部的所述绝缘接触柱位于所述第一位线的一侧，并且所述第一接触部还包括第一电性传导层，所述第一电性传导层覆盖所述绝缘接触柱的顶表面并横向延伸至所述第一隔离部上，以使所述第一接触部的最大宽度尺寸大于所述第二接触部的最大宽度尺寸。


3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一接触部的所述绝缘接触柱位于所述第一位线靠近所述第二位线的一侧，以使所述绝缘接触柱位于所述第一位线和紧邻的第二位线之间，并且所述第一接触部的所述第一电性传导层还往远离所述第二位线的方向延伸至所述第一隔离部上。


4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第二接触部的所述导电接触层的顶表面低于所述位线的顶表面；
以及，所述第二接触部还包括第二电性传导层，所述第二电性传导层形成在所述导电接触层上，并沿着高度方向向上延伸，以使所述第二电性传导层的顶表面和所述第一电性传导层的顶表面齐平。


5.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一接触部的最大宽度尺寸大于所述第二接触部的最大宽度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二接触部的最大宽度尺寸的2倍。


6.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述隔离层中覆盖在所述第二位线上的部分构成第二隔离部，并且所述第二接触部的顶表面高出于所述第二隔离部的顶表面；
以及，所述存储器还包括间隔绝缘层，所述间隔绝缘层形成在所述隔离层上，其中所述间隔绝缘层中形成在第一隔离部上的部分构成间隔侧墙，所述间隔绝缘层中形成在第二隔离部上的部分构成间隔填充部，所述间隔填充部形成在相...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖惠先，林昭维，朱家仪，童宇诚，吕前宏，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35