一种零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路制造技术

本发明专利技术公开了一种零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，包括带隙基准源、低压线性稳压器电路、逻辑电路、电位上拉MOS开关，带隙基准源的输入端输入使能信号，带隙基准源的输出端与低压线性稳压器电路、逻辑电路的输入端、电位上拉MOS开关相连，电位上拉MOS开关与低压线性稳压器电路相连，逻辑电路的输出端与低压线性稳压器电路相连。本发明专利技术设有电位上拉MOS开关和对应的逻辑电路，增加了电位上拉MOS开关和相应逻辑电路后，很好地解决了因为误差放大器的输出电流不是足够大，造成补偿电容充电到其DC工作点很慢、进而引发的环路振荡的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路
本专利技术涉及一种LDO电路，特别涉及一种零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路。
技术介绍
传统的零极点追踪频率补偿没有相应的上拉管Mup以及对Mup控制的逻辑电路，一旦误差放大器的输出电流不是足够大，长时间对补偿电容充电过程中LDO负载突然增大会导致反馈环路不稳定而产生振荡。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种结构简单、安全可靠的零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路。本专利技术解决上述问题的技术方案是：一种零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，包括带隙基准源、低压线性稳压器电路、逻辑电路、电位上拉MOS开关，带隙基准源的输入端输入使能信号，带隙基准源的输出端与低压线性稳压器电路、逻辑电路的输入端、电位上拉MOS开关相连，电位上拉MOS开关与低压线性稳压器电路相连，逻辑电路的输出端与低压线性稳压器电路相连。上述零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，所述逻辑电路具有两个输入端和三个输出端，具体包括第一至第七反相器、与非门、第一延时电容和第二延时电容，第一反相器的输入端作为逻辑电路的第一输入端并连接带隙基准源的输出端，第一反相器的输出端依次连接第二反相器、第三反相器、第四反相器后与与非门的一个输入端相连，与非门的另一个输入端作为逻辑电路的第二输入端并输入使能信号，与非门的输出端依次连接第五反相器、第六反相器、第七反相器，所述第一延时电容的一端接地，另一端连接第三反相器的输入端，所述第二延时电容的一端接地，另一端连接第七反相器的输入端；所述第五反相器的输出端作为逻辑电路的第一输出端，第七反相器的输出端作为逻辑电路的第二输出端，第三反相器的输出端作为逻辑电路的第三输出端。上述零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，所述第一反相器包括第一至第三MOS管，第一MOS管的源极接电源，第一MOS的栅极与第二MOS管的栅极连接在一起并作为第一反相器的输入端，第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极连接在一起并作为第一反相器的输入端，第二MOS管的源极与第三MOS管的漏极连接在一起，第三MOS管的源极接地，第三MOS管的栅极输入使能信号。上述零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，所述第六反相器包括第四至第六MOS管，第四MOS管的源极接电源，第四MOS管的栅极输入偏置电流，第四MOS管的漏极与第五MOS管的源极相连，第五MOS管的栅极与第六MOS管的栅极相连并作为第六反相器的输入端，第五MOS管的漏极与第六MOS管的漏极连接在一起并作为第六反相器的输出端，第六MOS管的源极接地。上述零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，低压线性稳压器电路包括误差放大器、缓冲器、补偿电容、第七MOS管、功率管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、负载电阻、负载电容、第一电阻，所述带隙基准源的输出端与误差放大器的同相输入端相连，误差放大器的反相输入端经第二反馈电阻后接地，误差放大器的正电源输入端与逻辑电路的第二输出端相连，误差放大器的负电源输入端与逻辑电路的第三输出端相连，误差放大器的输出端与缓冲器的输入端、补偿电容的一端相连，补偿电容的另一端与第七MOS管的漏极相连，缓冲器的输出端与第七MOS管的栅极、功率管的栅极相连，第七MOS管的源极、功率管的源极接电源，功率管的漏极与第一反馈电阻的一端、负载电阻的一端、第一电阻的一端相连，第一反馈电阻的另一端连接误差放大器的反相输入端，第一电阻的另一端经负载电容后接地，负载电阻的另一端接地。上述零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，所述电位上拉MOS开关的栅极连接逻辑电路的第一输出端，电位上拉MOS开关的源极接电源，电位上拉MOS开关的漏极连接第七MOS关的漏极。本专利技术的有益效果在于：本专利技术设有电位上拉MOS开关和对应的逻辑电路，增加了电位上拉MOS开关和相应逻辑电路后，很好地解决了因为误差放大器的输出电流不是足够大，造成补偿电容充电到其DC工作点很慢、进而引发的环路振荡的问题。附图说明图1为本专利技术的电路图。图2为图1中逻辑电路的电路图。图3为传统LDO电路的输出仿真图。图4为本专利技术的LDO输出仿真图。图5为传统LDO电路中补偿电容右极板电位瞬态仿真图。图6为本专利技术补偿电容右极板电位瞬态仿真图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明。如图1、图2所示，一种零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，包括带隙基准源BG、低压线性稳压器电路（即LDO电路）、逻辑电路、电位上拉MOS开关Mup，带隙基准源BG的输入端输入使能信号En，带隙基准源BG输出基准电压Vref，带隙基准源BG的输出端与低压线性稳压器电路、逻辑电路的输入端、电位上拉MOS开关Mup相连，电位上拉MOS开关Mup与低压线性稳压器电路相连，逻辑电路的输出端与低压线性稳压器电路相连。所述逻辑电路具有两个输入端和三个输出端，具体包括第一反相器Inv1、第二反相器Inv2、第三反相器Inv3、第四反相器Inv4、第五反相器Inv5、第六反相器Inv6、第七反相器Inv7、与非门Nand、第一延时电容Cd1和第二延时电容Cd2，第一反相器Inv1的输入端作为逻辑电路的第一输入端并连接带隙基准源BG的输出端，第一反相器Inv1的输出端依次连接第二反相器Inv2、第三反相器Inv3、第四反相器Inv4后与与非门Nand的一个输入端相连，与非门Nand的另一个输入端作为逻辑电路的第二输入端并输入使能信号En，与非门Nand的输出端依次连接第五反相器Inv5、第六反相器Inv6、第七反相器Inv7，所述第一延时电容Cd1的一端接地，另一端连接第三反相器Inv3的输入端，所述第二延时电容Cd2的一端接地，另一端连接第七反相器Inv7的输入端；所述第五反相器Inv5的输出端作为逻辑电路的第一输出端Cs1，第七反相器Inv7的输出端作为逻辑电路的第二输出端Cs2，第三反相器Inv3的输出端作为逻辑电路的第三输出端Cs3。所述第一反相器Inv1包括第一MOS管Mp1、第二MOS管Mn1、第三MOS管Mn2，第一MOS管Mp1的源极接电源，第一MOS的栅极与第二MOS管Mn1的栅极连接在一起并作为第一反相器Inv1的输入端，第一MOS管Mp1的漏极与第二MOS管Mn1的漏极连接在一起并作为第一反相器Inv1的输入端，第二MOS管Mn1的源极与第三MOS管Mn2的漏极连接在一起，第三MOS管Mn2的源极接地，第三MOS管Mn2的栅极输入使能信号En。所述第六反相器Inv6包括第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管，第四MOS管的源极接电源，第四MOS管的栅极输入偏置电流Ibais，第四MOS管的漏极与第五MOS管的源极相连，第五MOS管的栅极与第六MOS管的栅极相连并作为第六反相器Inv6的输入端，第五MOS管的漏极与第六MOS管的漏极连接在一起并作为第六反相器Inv6的输出端，第六MOS管的源极接地。BG输出的基准为1.2V，所以设计Mp1为倒比管，以减少In本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，其特征在于：包括带隙基准源、低压线性稳压器电路、逻辑电路、电位上拉MOS开关，带隙基准源的输入端输入使能信号，带隙基准源的输出端与低压线性稳压器电路、逻辑电路的输入端、电位上拉MOS开关相连，电位上拉MOS开关与低压线性稳压器电路相连，逻辑电路的输出端与低压线性稳压器电路相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，其特征在于：包括带隙基准源、低压线性稳压器电路、逻辑电路、电位上拉MOS开关，带隙基准源的输入端输入使能信号，带隙基准源的输出端与低压线性稳压器电路、逻辑电路的输入端、电位上拉MOS开关相连，电位上拉MOS开关与低压线性稳压器电路相连，逻辑电路的输出端与低压线性稳压器电路相连。


2.根据权利要求1所述的零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，其特征在于：所述逻辑电路具有两个输入端和三个输出端，具体包括第一至第七反相器、与非门、第一延时电容和第二延时电容，第一反相器的输入端作为逻辑电路的第一输入端并连接带隙基准源的输出端，第一反相器的输出端依次连接第二反相器、第三反相器、第四反相器后与与非门的一个输入端相连，与非门的另一个输入端作为逻辑电路的第二输入端并输入使能信号，与非门的输出端依次连接第五反相器、第六反相器、第七反相器，所述第一延时电容的一端接地，另一端连接第三反相器的输入端，所述第二延时电容的一端接地，另一端连接第七反相器的输入端；所述第五反相器的输出端作为逻辑电路的第一输出端，第七反相器的输出端作为逻辑电路的第二输出端，第三反相器的输出端作为逻辑电路的第三输出端。


3.根据权利要求2所述的零极点追踪频率补偿快速稳定LDO电路，其特征在于：所述第一反相器包括第一至第三MOS管，第一MOS管的源极接电源，第一MOS的栅极与第二MOS管的栅极连接在一起并作为第一反相器的输入端，第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极连接在一起并作为第一反相器的输入端，第二MOS管的源极与第三MOS管的漏极连接在一起，第三MOS管的源极接地，第三MOS管的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐明华，兰燕，周焱，谭彩虹，李刚，肖永光，李正，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43