沉积处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种沉积处理方法和等离子体处理装置，所述沉积处理方法能够抑制掩模的开口堵塞并且实现蚀刻后的凹部形状的适当化。在使用基于第1处理条件生成的第1等离子体使沉积物沉积于基板的工序中，从在进行所述沉积的工序之前执行的前工序向进行所述沉积的工序转移时，在直至所述第1等离子体的状态稳定为止的期间，控制为相比于所述第1处理条件不使所述沉积物沉积于基板的条件。

【技术实现步骤摘要】
沉积处理方法和等离子体处理装置
本公开涉及一种沉积处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
具有一种在接触孔的蚀刻中抑制掩模的开口堵塞的技术。专利文献1提出一种能够在蚀刻氧化层时抑制孔的堵塞的等离子体处理方法及其装置。在抑制掩模的开口堵塞的条件中，向增大孔尺寸的方向变更处理条件，因此具有使孔尺寸变大或孔的底部处的切削量变大这种相反的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-090022号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够抑制掩模的开口堵塞并且实现蚀刻后的凹部形状的适当化的技术。用于解决问题的方案根据本公开的一个方式，提供如下一种沉积处理方法：在使用基于第1处理条件生成的第1等离子体来使沉积物沉积于基板的工序中，在从进行所述沉积的工序之前执行的前工序向进行所述沉积的工序转移时，在直至所述第1等离子体的状态稳定为止的期间，控制为相比于所述第1处理条件不使所述沉积物沉积于基板的条件。专利技术的效果根据一个方面，提供一种能够抑制掩模的开口堵塞并且实现蚀刻后的凹部形状的适当化的沉积处理方法和等离子体处理装置。附图说明图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的一例的截面示意图。图2是示出比较例所涉及的沉积处理的结果的一例的图。图3是示出一个实施方式所涉及的处理条件中的等离子体点火时的状态的一例的图。图4是用于说明一个实施方式所涉及的处理条件中包括的气体的离解的图。图5是用于说明一个实施方式所涉及的等离子体点火时的过渡状态的图。图6是示出一个实施方式所涉及的等离子体点火时和熄火时前后的高频反射的一例的图。图7是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理的一例的流程图。图8是示出一个实施方式所涉及的连续等离子体处理的一例的流程图。图9是用于说明一个实施方式所涉及的控制沉积物的沉积量的条件的图。图10是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理的结果的一例的图。图11是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理的结果的一例的图。具体实施方式下面，参照附图来说明用于实施本公开的方式。在各附图中，对同一结构部分标注同一标记，有时省略重复的说明。[等离子体处理装置]使用图1来说明一个实施方式所涉及的等离子体处理装置1。图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置1的一例的截面示意图。在此，举出电容耦合型等离子体蚀刻装置作为等离子体处理装置1的一例进行说明。等离子体处理装置1具有例如由铝等导电性材料构成的腔室2。腔室2电接地。腔室2具有载置台21以及与载置台21相向的喷淋头22。载置台21载置晶圆W，还作为下部电极发挥功能。喷淋头22呈喷淋状供给气体，还作为上部电极发挥功能。在载置台21与喷淋头22之间形成有对晶圆W进行处理的处理空间U。载置台21经由匹配器33与第一高频电源32连接。另外，载置台21经由匹配器35与第二高频电源34连接。第一高频电源32向载置台21施加例如40MHz～100MHz的频率的等离子体生成用的高频电力(下面也称作“HF功率”。)。第二高频电源34向载置台21施加比40MHz低的、例如3.2MHz～13MHz的用于吸引离子的偏置电压用的高频电力(下面也称作“LF功率”。)。此外，第二高频电源34是用于吸引离子的偏置电压用电源，但施加的LF功率的一部分有时也有助于等离子体生成。另外，第一高频电源32是等离子体生成用电源，但施加的HF功率的一部分有时也有助于离子吸引。匹配器33使负载阻抗与第一高频电源32的输出阻抗匹配。匹配器35使负载阻抗与第二高频电源34的输出阻抗匹配。由此，当在处理空间U中生成有等离子体时，对第一高频电源32和第二高频电源34分别发挥功能使得输出阻抗与负载阻抗在表观上一致。喷淋头22隔着设置于其周缘的为绝缘体的屏蔽环41安装于腔室2的顶部。在喷淋头22中形成有用于导入从气体供给源11导入来的气体的气体导入口45。从气体供给源11输出来的气体经由气体导入口45供给至扩散室51，并且经由气体流路55从气体孔28供给至处理空间U。喷淋头22与可变直流电源42连接。从可变直流电源42向喷淋头22施加负的直流电压，由此离子被向喷淋头22吸引，等离子体密度增加。在腔室2的底面，隔着排气口64设置有排气装置65。排气装置65对内部进行排气，将腔室2的内部维持为规定的真空度。在腔室2的侧壁设置闸阀G，根据闸阀G的开闭从搬送口19进行晶圆W的搬入和搬出。在等离子体处理装置1中设置有控制装置整体的动作的控制部70。控制部70的CPU71根据在ROM72和RAM73等存储器中保存的制程来执行蚀刻等的等离子体处理。在制程中也可以设定有作为针对处理条件的装置的控制信息的工艺时间、压力(气体的排气)、高频电力、电压、各种气体流量。另外，在制程中也可以设定有腔室内温度(上部电极温度、腔室的侧壁温度、晶圆W温度、静电卡盘温度等)、从冷却器输出的制冷剂的温度等。此外，表示这些工艺的过程、条件的制程也可以存储于硬盘、半导体存储器中。另外，也可以使制程以被收容于CD-ROM、DVD等便携性的可由计算机读取的存储介质中的状态置于规定位置以被读出。[比较例所涉及的沉积处理的结果]在图2中示出在所述结构的等离子体处理装置1中，按照以下的处理条件生成等离子体并且进行了沉积处理的结果的一例。图2是示出比较例1、2所涉及的沉积处理的结果的一例的图。比较例1的处理条件如以下所示。(处理条件)压力25mT(3.33Pa)HF功率/LF功率5000W/8000W直流电压-300V气体种类C4F6、C4F8、Ar、O2此时，O2气体相对于C4F6、C4F8、O2气体的总流量的流量比约为37％。图2的(a)的左上的截面图为基于上述处理条件对作为无定形碳(amorphouscarbon)的掩模101的基膜的氧化硅膜102实施沉积性的蚀刻处理后的结果。图2的(a)的右侧的截面图示出相对于图2的(a)的左上的截面图去除了掩模101后的氧化硅膜102的状态。在氧化硅膜102之下形成有钨膜103作为停止膜。图2的(a)的左下的图是从上方观察图2的(a)的左上的截面图而得到的图。据此，在上述处理条件中，孔104的一部分堵塞(Clogging)。因此，将O2气体相对于C4F6、C4F8、O2气体的总流量的流量比提高至约39％来进行蚀刻处理，以避免掩模101的开口堵塞。比较例2的其它处理条件与比较例1的处理条件相同。图2的(b)示出比较例2的蚀刻结果。在比较例2中，掩模101的开口的堵塞被消除。然而，氧化硅膜102的孔104的直径CD(CriticalDimention：关键尺寸)扩大，形成于氧化硅膜102的孔104的形状的宽度的最大值相比于比较例1大。在比较例2中可知：相比于比较例1，孔104的形状成为碗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积处理方法，/n在使用基于第1处理条件生成的第1等离子体使沉积物沉积于基板的工序中，/n在从进行所述沉积的工序之前执行的前工序向进行所述沉积的工序转移时，在直至所述第1等离子体的状态稳定为止的期间，控制为相比于所述第1处理条件不使所述沉积物沉积于基板的条件。/n

【技术特征摘要】
20190227 JP 2019-0348411.一种沉积处理方法，
在使用基于第1处理条件生成的第1等离子体使沉积物沉积于基板的工序中，
在从进行所述沉积的工序之前执行的前工序向进行所述沉积的工序转移时，在直至所述第1等离子体的状态稳定为止的期间，控制为相比于所述第1处理条件不使所述沉积物沉积于基板的条件。


2.一种沉积处理方法，
在使用基于第1处理条件生成的第1等离子体使沉积物沉积于基板的工序中，
在使所述第1等离子体的状态停止时，从相比于使所述第1等离子体的状态停止的时刻早预先决定的时间的时刻至使所述第1等离子体的状态停止为止的期间，控制为相比于所述第1处理条件不使所述沉积物沉积于基板的条件。


3.根据权利要求1所述的沉积处理方法，其特征在于，
基于第2处理条件执行所述前工序，
所述第2处理条件与所述第1处理条件不同。


4.根据权利要求3所述的沉积处理方法，其特征在于，
在所述前工序中不生成等离子体。


5.根据权利要求3或4所述的沉积处理方法，其特征在于，
在使用基于与所述第1处理条件不同的第n处理条件生成的第n等离子体使沉积物沉积于基板的工序中，其中，n≥3，
在从使用所述第1等离子体进行所述沉积的工序向使用所述第n等离子体进行所述沉积的工序转移时，在直至所述第n等离子体的状态稳定为止的期间，控制为相比于所述第n处理条件不使所述沉积物沉积于基板的条件。


6.根据权利要求1至5中的任一项所述的沉积处理方法，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：宇藤敦司，昆泰光，李黎夫，永井勇次，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP