Nor flash擦除干扰纠正方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种Nor flash擦除干扰纠正方法及装置，通过在对选中的Nor flash阵列块进行块擦除操作的过程中，只在判断设定Nor flash阵列块的操作满足干扰确认条件的情况下对同一物理阵列内所有Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正；或基于块擦除操作中的循环流程所对应的循环次数确定进行干扰确认与纠正的Nor flash阵列块；或者基于计数器对芯片或系统中某一时钟的计数结果确定进行干扰确认与纠正的Nor flash阵列块；或基于物理存储的某一Nor flash阵列块的块地址，每一次块擦除操作仅对一个Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正。采用上述方式，可以避免在每一次块擦除操作中对同一物理阵列内所有剩余Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正，从而实现降低擦除干扰确认和纠正的时间及降低功耗的目的。

【技术实现步骤摘要】
Norflash擦除干扰纠正方法及装置
本专利技术涉及闪存
，尤其涉及一种非易失闪存(Norflash)擦除干扰纠正方法及装置。
技术介绍
随着便携式电子产品的快速发展，特别是在工艺特征尺寸小于65nnm以后，浮栅型闪存芯片存储区域为了节约芯片面积，一般都采用物理集中放置，构成一个物理存储矩阵，在逻辑上，每个物理存储矩阵被分成多个基于浮栅技术构建的Norflash阵列块。由于，不同的Norflash阵列块位于相同的P型衬底(PWELL)，在对同一个物理存储阵列中的一个Norflash阵列块进行擦除操作时，因为，这个Norflash阵列块和周围的Norflash阵列块漏区，源区和P阱是相连的，同一物理存储阵列中的剩余Norflash阵列块会被漏端电压干扰和P阱电压干扰。为避免上述影响，现有在对一个Norflash阵列块执行擦除操作时，会利用擦除干扰纠正算法，检测同一物理存储阵列中没有被选中擦除的Norflash阵列块中所有存储单元，判断每个存储数据“0”的存储单元是否被干扰，如果被干扰，则通过编程刷新进行干扰纠正。但是，采用现有技术的擦除干扰纠正方式，需要对同一物理存储阵列中的所有未被选中擦除的Norflash阵列块中每个存储单元都要进行干扰检测确认和纠正，在擦除干扰确认和纠正上会消耗很长时间，远远超过Norflash阵列块擦除流程中其它操作过程所消耗时间的总和，不仅增加了整体擦除操作的耗时，还增加了整体擦除操作的功耗。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种Norflash擦除干扰纠正方法和装置，以实现在对选中的Norflash阵列块进行块擦除过程中，降低擦除干扰确认和纠正所消耗的时间以及降低整体擦除操作功耗的目的。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：本专利技术实施例一方面公开了一种Norflash擦除干扰纠正方法，所述方法包括：在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，判断对设定Norflash阵列块的操作是否满足特定条件，若满足，对所述物理存储阵列中剩余的所有Norflash阵列块进行干扰确认与纠正，若不满足继续进行块擦除操作；或者，在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录的块擦除操作过程中的各流程循环次数，或者记录的所述闪存芯片内任一振荡器产生的时钟信号数量或闪存芯片应用系统提供的时钟信号数量，确定待处理Norflash阵列块的块地址；基于所述块地址，对所述块地址对应的待处理Norflash阵列块进行干扰确认与纠正；或者，获取预先记录的物理存储阵列中所有Norflash阵列块的块地址；在进行多次块擦除操作时，每一次块擦除操作仅对一个块地址对应的Norflash阵列块进行干扰确认与纠正，其中，每个所述Norflash阵列块在所有Norflash阵列块进行干扰确认与纠正之前只做一次干扰确认与纠正。可选的，在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，判断对设定Norflash阵列块的操作是否满足特定条件，包括：在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，对剩余的Norflash阵列块中的一个或多个Norflash阵列块进行干扰确认；判断所述剩余的Norflash阵列块中的一个或多个Norflash阵列块中的数据是否有一个或多个被改写；若是，确定满足特定条件；若否，确定不满足特定条件。可选的，在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，判断对设定Norflash阵列块的操作是否满足特定条件，包括：在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，记录所述选中的Norflash阵列块的块擦除操作的次数；检测所述次数是否大于预设值，所述预设值的取值范围包括1k至100k；若大于，确定满足特定条件；若小于或等于，确定不满足特定条件。可选的，所述在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录的块擦除操作过程中的各流程循环次数，确定待处理Norflash阵列块的块地址，包括：在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录预编程流程、块擦除流程、过擦除自动纠正流程和软编程流程中任意流程对应的循环次数；选取预编程流程、块擦除流程、过擦除自动纠正流程和软编程流程中任一一个流程对应的循环次数作为待处理Norflash阵列块的块地址。可选的，所述在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录的块擦除操作过程中的各流程循环次数，确定待处理Norflash阵列块的块地址，包括：在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录预编程流程、块擦除流程、过擦除自动纠正流程和软编程流程中任意流程对应的循环次数；计算预编程流程、块擦除流程、过擦除自动纠正流程和软编程流程中多个或所有流程对应的循环次数的总和作为待处理Norflash阵列块的块地址。可选的，所述在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录的所述闪存芯片内任一振荡器产生的时钟信号数量或闪存芯片应用系统提供的时钟信号数量，确定待处理Norflash阵列块的块地址，包括：在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，所述闪存芯片内部的计数器从所述闪存芯片上电复位开始记录时钟信号，在所述块擦除操作的软编程流程结束记录时钟信号，得到时钟信号数量；或者，在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，所述闪存芯片内部的计数器从所述块擦除操作的任一流程开始记录时钟信号，在所述块擦除操作的任一流程结束记录时钟信号，得到时钟信号数量；将所述时钟信号数量作为待处理Norflash阵列块的块地址；其中，所述时钟信号包括所述闪存芯片内部任意时钟信号，或者，所述闪存芯片外部输入的时钟信号。可选的，所述预先记录物理存储阵列中Norflash阵列块的块地址的过程，包括：获取物理存储阵列中每次对选中的Norflash阵列块进行擦除操作时，所选择的进行干扰确认与纠正的Norflash阵列块的块地址并记录。可选的，所述预先记录物理存储阵列中Norflash阵列块的块地址的过程，包括：获取闪存芯片的上电次数；基于所述上电次数，确定所述物理存储阵列中Norflash阵列块的块地址并记录。本专利技术实施例另一方面公开了一种Norflash擦除干扰纠正装置，所述Norflash擦除干扰纠正装置包括：第一纠正模块，用于在对物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Nor flash擦除干扰纠正方法，其特征在于，所述方法包括：/n在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Nor flash阵列块进行块擦除操作的过程中，判断对设定Nor flash阵列块的操作是否满足特定条件，若满足，对所述物理存储阵列中剩余的所有Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正，若不满足继续进行块擦除操作；/n或者，在对物理存储阵列中选中的Nor flash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录的块擦除操作过程中的各流程循环次数，或者记录的所述闪存芯片内任一振荡器产生的时钟信号数量或闪存芯片应用系统提供的时钟信号数量，确定待处理Nor flash阵列块的块地址；/n基于所述块地址，对所述块地址对应的待处理Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正；/n或者，获取预先记录的物理存储阵列中所有Nor flash阵列块的块地址；/n在进行多次块擦除操作时，每一次块擦除操作仅对一个块地址对应的Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正，其中，每个所述Nor flash阵列块在所有Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正之前只做一次干扰确认与纠正。/n

【技术特征摘要】
1.一种Norflash擦除干扰纠正方法，其特征在于，所述方法包括：
在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，判断对设定Norflash阵列块的操作是否满足特定条件，若满足，对所述物理存储阵列中剩余的所有Norflash阵列块进行干扰确认与纠正，若不满足继续进行块擦除操作；
或者，在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录的块擦除操作过程中的各流程循环次数，或者记录的所述闪存芯片内任一振荡器产生的时钟信号数量或闪存芯片应用系统提供的时钟信号数量，确定待处理Norflash阵列块的块地址；
基于所述块地址，对所述块地址对应的待处理Norflash阵列块进行干扰确认与纠正；
或者，获取预先记录的物理存储阵列中所有Norflash阵列块的块地址；
在进行多次块擦除操作时，每一次块擦除操作仅对一个块地址对应的Norflash阵列块进行干扰确认与纠正，其中，每个所述Norflash阵列块在所有Norflash阵列块进行干扰确认与纠正之前只做一次干扰确认与纠正。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，判断对设定Norflash阵列块的操作是否满足特定条件，包括：
在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，对剩余的Norflash阵列块中的一个或多个Norflash阵列块进行干扰确认；
判断所述剩余的Norflash阵列块中的一个或多个Norflash阵列块中的数据是否有一个或多个被改写；
若是，确定满足特定条件；
若否，确定不满足特定条件。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，判断对设定Norflash阵列块的操作是否满足特定条件，包括：
在对物理存储阵列中选中的非易失闪存Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，记录所述选中的Norflash阵列块的块擦除操作的次数；
检测所述次数是否大于预设值，所述预设值的取值范围包括1k至100k；
若大于，确定满足特定条件；
若小于或等于，确定不满足特定条件。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录的块擦除操作过程中的各流程循环次数，确定待处理Norflash阵列块的块地址，包括：
在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录预编程流程、块擦除流程、过擦除自动纠正流程和软编程流程中任意流程对应的循环次数；
选取预编程流程、块擦除流程、过擦除自动纠正流程和软编程流程中任一一个流程对应的循环次数作为待处理Norflash阵列块的块地址。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录的块擦除操作过程中的各流程循环次数，确定待处理Norflash阵列块的块地址，包括：
在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块擦除操作的过程中，基于闪存芯片内部的计数器记录预编程流程、块擦除流程、过擦除自动纠正流程和软编程流程中任意流程对应的循环次数；
计算预编程流程、块擦除流程、过擦除自动纠正流程和软编程流程中多个或所有流程对应的循环次数的总和作为待处理Norflash阵列块的块地址。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在对物理存储阵列中选中的Norflash阵列块进行块...

【专利技术属性】
技术研发人员：李弦，王志刚，李利境，叶谦，
申请(专利权)人：珠海创飞芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44