磁盘装置以及写处理方法制造方法及图纸

实施方式提供一种能够提高可靠性的磁盘装置以及写处理方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、与所述主磁极隔开距离而相对向的写屏蔽件、以及设置在所述主磁极与所述写屏蔽件之间的辅助元件；以及控制器，其执行不使用所述辅助元件而与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入的第1写处理。

【技术实现步骤摘要】
磁盘装置以及写处理方法本申请享受以日本专利申请2019－36487号(申请日：2019年2月28日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及磁盘装置以及写处理方法。
技术介绍
为了实现磁盘装置的高记录密度化以及高记录容量化，开发了高频辅助记录型式、瓦记录型式(ShingledwriteMagneticRecording(SMR)、ShingledWriteRecording(SWR))、热辅助磁记录(ThermallyAssistedMagneticRecording:TAMR)型式等。高频辅助记录型式是如下技术：使用具有通过被施加记录电流而励磁产生记录磁场的记录磁极(主磁极)和高频振荡器的磁头，向盘施加通过对高频振荡器通电而产生的高频磁场，由此使施加了高频磁场的盘的部分的顽磁力降低。热辅助磁记录型式是如下技术：通过使用具有向盘照射照射光的光照射元件的磁头，从光照射元件的前端向盘照射照射光而对盘局部地进行加热，由此使被加热了的盘的部分的顽磁力降低。瓦记录型式是如下技术：在向磁盘写入数据时，与预定磁道的一部分重叠地进行接下来的磁道的写入。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够提高可靠性的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、与所述主磁极隔开距离而相对向的写屏蔽件、以及设在所述主磁极与所述写屏蔽件之间的辅助元件；以及控制器，其执行不使用所述辅助元件而与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入的第1写处理。本实施方式涉及的写处理方法应用于磁盘装置，所述磁盘装置具备盘和头，所述头具有主磁极、与所述主磁极隔开距离而相对向的写屏蔽件、以及设在所述主磁极与所述写屏蔽件之间的辅助元件，所述写处理方法包括：执行不使用所述辅助元件而与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入的第1写处理。附图说明图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。图2是表示第1实施方式涉及的盘以及头的一个例子的放大剖视图。图3A是示意性地表示从盘对向面侧观察到的头的下表面的一构成例的图。图3B是示意性地表示从盘对向面侧观察到的头的下表面的一构成例的图。图4A是表示通常记录型式的写处理的一个例子的概要图。图4B是表示瓦记录型式的写处理的一个例子的概要图。图5是表示相对于辅助电压的基于各记录型式的记录密度的一个例子的图。图6是表示第1实施方式涉及的写处理的一个例子的流程图。图7是表示第2实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。图8是表示本实施方式涉及的头15的一个例子的放大剖视图。图9是表示第2实施方式涉及的写处理的一个例子的流程图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定专利技术的范围。(第1实施方式)图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下称为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90以及作为一个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。HAD具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载有头15的臂13、音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动来旋转。臂13以及VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10以及头15也可以设置有两个以上的数量。盘10对其能够写入数据的区域分配有能由用户利用的用户数据区域10a、和写入系统管理所需要的信息的系统区10b。以下，将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。在半径方向上，将朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。半径位置例如相当于磁道，圆周位置例如相当于扇区。此外，“磁道”以在盘10的半径方向上区分开的多个区域中的一个区域、在盘10的圆周方向上延长的数据、在磁道写入的数据、其他各种含义来使用。“扇区”以将磁道在圆周方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、在盘10的预定位置写入的数据、在扇区写入的数据、其他各种含义来使用。有时也将在盘10进行了写入的磁道称为写磁道，将从盘10读取的磁道称为读磁道。有时将写磁道简称为磁道，也有时将读磁道简称为磁道，还有时将写磁道以及读磁道一并称为磁道。有时也将写磁道的半径方向上的宽度称为写磁道宽度，将读磁道的半径方向上的宽度称为读磁道宽度。有时也将写磁道宽度以及读磁道宽度一并称为磁道宽度。将磁道宽度的中心位置称为磁道中央。另外，将在半径方向上区分用户数据区域10a而得到的具有预定宽度的记录区域称为半径区域。半径区域例如相当于半径位置、磁道、区段(zone)等。头15将滑块作为主体，具备实际装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W在盘10上写入数据。读取头15R对盘10上的磁道所记录的数据进行读取。此外，既有时将写入头15W简称为头15，也有时将读取头15R简称为头15，还有时将写入头15W以及读取头15R一并称为头15。有时也将头15的中心部称为头15，将写入头15W的中心部称为写入头15W，将读取头15R的中心部称为读取头15R。图2是表示第1实施方式涉及的盘10以及头15的一个例子的放大剖视图。在图2中，盘10的旋转方向B与空气流C的方向一致。以下，将从头15朝向盘10的方向称为下方向，将从盘10朝向头15的方向称为上方向。在图2所示的例子中，盘10依次层叠有基板111、软磁性层112、磁记录层113、保护膜层114。基板111由圆板状的非磁性体形成。软磁性层112由呈现软磁特性的材料形成在基板111的上方。磁记录层113形成在软磁性层112的上方，在与盘10的表面(磁记录层113的表面或者保护膜层114的表面)垂直的方向上具有磁各向异性。保护膜层114形成在磁记录层113的上方。在图示的例子中，头15具备滑块150。滑块150例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(铝钛碳(AlTiC))形成。滑块150具有与盘10的表面相对向的盘对向面(空气支承面(ABS))151、位于空气流C的流出侧的拖尾(trailing)端153。读取头15R以及写入头15W的一部分在盘对向面151露出。读取头15R由磁性膜161、屏蔽(shield)膜162、屏蔽膜163构成。磁性膜161位于屏蔽膜162与屏蔽膜163之间，产生磁阻效应。屏蔽膜162相对于磁性膜161而位于拖尾端153侧。屏蔽膜163与屏蔽膜162相对向。磁性膜161、屏蔽膜162以及屏蔽膜163的下端在盘对向面151露出。写入头15W相对于读取头15R而设在滑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁盘装置，具备：/n盘；/n头，其具有主磁极、与所述主磁极隔开距离而相对向的写屏蔽件、以及设在所述主磁极与所述写屏蔽件之间的辅助元件；以及/n控制器，其执行不使用所述辅助元件而与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入的第1写处理。/n

【技术特征摘要】
20190228 JP 2019-0364871.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其具有主磁极、与所述主磁极隔开距离而相对向的写屏蔽件、以及设在所述主磁极与所述写屏蔽件之间的辅助元件；以及
控制器，其执行不使用所述辅助元件而与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入的第1写处理。


2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器执行使用所述辅助元件而在所述盘的半径方向上与第3磁道隔着间隔地对第4磁道进行写入的第2写处理。


3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器根据所述辅助元件的电阻值，从所述第2写处理变更为所述第1写处理。


4.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器在所述电阻值的变化率为阈值以下的情况下执行所述第2写处理。


5.根据权利要求4所述的磁盘装置，
所述控制器在所述变化率为所述阈值以下的情况下向所述辅助元件施加供所述辅助元件进行驱动的第1电压。


6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：友田悠介，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP