触控显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种触控显示装置，其包括依次层叠设置的显示模组、触控模组和偏光片，触控模组包括依次层叠设置于显示模组上的第一绝缘层、第一触控电极层、第二绝缘层以及第二触控电极层，第二绝缘层与第二触控电极层之间设置有第一无机阻挡层，第二绝缘层的材料为二氧化氮，第一无机阻挡层与第二绝缘层的材料不同。

【技术实现步骤摘要】
触控显示装置
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种触控显示装置。
技术介绍
有机发光二极管On-cell触控显示(OLEDOn-cellTouch)技术，又称DOT技术(DirectOn-CellTouch)，通过在OLED面板的薄膜封装(Thin-FilmEncapsulation,TFE)上直接利用低温工艺(温度小于或者等于90℃)制作触控结构，从而实现有机发光二极管显示面板和触控结构的集成。已知的一种DOT触控设计如图1所示，以单面架桥的方式进行设计触控图案。OLED面板1、触控模组2和外贴膜层3层叠设置。其中，外贴膜层3包括偏光片和玻璃盖板。全模组组装后的DOT面板，在可靠度测试高温条件后偏光片出现变色情况，导致产品失效。
技术实现思路
有鉴于此，本申请目的在于提供一种能够防止偏光片变色，提高显示效果的触控显示装置。本申请提供一种触控显示装置，其包括依次层叠设置的显示模组、触控模组和偏光片，所述触控模组包括依次层叠设置于所述显示模组上的第一绝缘层、第一触控电极层、第二绝缘层以及第二触控电极层，所述第二绝缘层与所述第二触控电极层之间设置有第一无机阻挡层，所述第二绝缘层的材料为二氧化氮，所述第一无机阻挡层与所述第二绝缘层的材料不同。在一种实施方式中，所述第二触控电极层包括第二触控电极图案，所述第一无机阻挡层包括多个第一凸起部，多个所述第一凸起部对应于第二触控电极图案设置，所述第一凸起部具有第一锥度角。在一种实施方式中，所述第一锥度角小于70°。在一种实施方式中，所述第一绝缘层与所述第一触控电极层之间设置有第二无机阻挡层，所述第一绝缘层的材料为二氧化氮，所述第二无机阻挡层与所述第一绝缘层的材料不同。在一种实施方式中，所述第一触控电极层包括第一触控电极图案，所述第二无机阻挡层包括多个第二凸起部，多个所述第二凸起部对应于第一触控电极图案设置，所述第二凸起部具有第二锥度角。在一种实施方式中，所述第二锥度角小于70°。在一种实施方式中，所述第一无机阻挡层与所述第二无机阻挡层的材料独立选自SiOx和α-Si的一个或者二者的层叠体。在一种实施方式中，所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层的厚度大于或者等于30nm。在一种实施方式中，第一触控电极层包括桥接电极，所述第二触控电极层包括多个第一触控电极、连接相邻两个所述第一触控电极的多个连接电极以及多个第二触控电极，相邻两个所述第二触控电极通过开设于所述第二绝缘层和所述第一无机阻挡层中的通孔连接至同一个所述桥接电极，所述第一触控电极和第二触控电极中的一个为触控驱动电极，另一个为触控感应电极。在一种实施方式中，所述第一触控电极层包括多个第三触控电极，所述第二触控电极层包括多个第四触控电极，所述第三触控电极和所述第四触控电极中的一个为触控驱动电极，另一个为触控感应电极。相较于现有技术，本申请所提供的触控显示装置通过在触控电极层与氮化硅绝缘层之间设置一无机阻挡层，利用该无机阻挡层作为防止氮化硅绝缘层过刻的牺牲层以及防止游离态NH3(NH4+)与偏光片接触反应的阻挡层，能够防止在制造过程中由于氮化硅绝缘层的过刻引起的偏光片变色失效。附图说明为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中的一种触控显示装置的结构示意图。图2为对不同DOT膜层与偏光片贴合后进行双85实验之后的测试结果图。图3为本申请一实施方式的触控显示装置的结构示意图。图4为图3中的第一触控电极图案和第二触控电极图案的俯视示意图。图5为本申请另一实施方式的触控显示装置的结构示意图。图6为本申请另一实施方式的触控显示装置的结构示意图。图7为图5的第一触控电极层和第二触控电极层的俯视示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。针对偏光片变色现象，专利技术人进行了以下实验。专利技术人对不同DOT膜层与偏光片贴合(lami)后在85℃/85％RH放置120h进行RA测试。测试结果请参考图2。在本实验中，DOT膜层包括第一绝缘层、桥接电极层、第二绝缘层、触控电极层、钝化层。这些膜层可以按照此顺序组装成DOT触控模组。在图2中，IL1表示将触控模组的第一绝缘层与偏光片贴合，经过双85实验后轻微泛红。IL1+M1表示将触控模组的第一绝缘层和桥接电极层与偏光片贴合，经过双85实验后偏光片完全失效。IL1+M1+IL2表示将触控模组的第一绝缘层、桥接电极层以及第二绝缘层与偏光片贴合，经过双85实验后轻微泛红。IL1+M1+IL2+M2表示将触控模组的第一绝缘层、桥接电极层、第二绝缘层以及触控电极层与偏光片贴合，经过双85实验后明显泛红。IL1+M1+IL2+M2+PAS表示将触控模组的第一绝缘层、桥接电极层、第二绝缘层、触控电极层以及钝化层与偏光片贴合，经过双85实验后明显泛红。IL1+M1Dry(OE18s)表示将触控模组的第一绝缘层、干刻蚀过刻(OverEtch，OE)时间18s的桥接电极层与偏光片贴合，经过双85实验后偏光片完全失效。由此可见，绝缘层与偏光片贴合会引起偏光片的失效，而经过干刻蚀工艺后的金属层和绝缘层与偏光片贴合的情况下，偏光片失效更加为明显。究其原因，专利技术人认为偏光片变色与从SiNx膜，即第一绝缘层和第二绝缘层中释放出的NH3和偏光片中的碘离子发生反应有关。于是，专利技术人又进行了以下实验。请参考表1，表1为示出厚度不同的SiNx膜层的双85实验前后的Si-H/N-H键的比值和Si-H/N-H键比值的上升比例的表。将12组厚度各不相同的通过低温镀膜形成的SiNx膜层在85℃/85％RH(相对湿度)下放置48h，进行双85实验可靠性分析(ReliableAnalysis，RA)。检测双85实验前后的SiNx膜层的傅里叶变换红外光谱(FourierTransformInfraredSpectrometer，FTIR)。所谓双85实验是指在85℃/85％RH的条件下老化产品后，对比产品老化前后的性能变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控显示装置，其特征在于，包括依次层叠设置的显示模组、触控模组和偏光片，所述触控模组包括依次层叠设置于所述显示模组上的第一绝缘层、第一触控电极层、第二绝缘层以及第二触控电极层，所述第二绝缘层与所述第二触控电极层之间设置有第一无机阻挡层，所述第二绝缘层的材料为二氧化氮，所述第一无机阻挡层与所述第二绝缘层的材料不同。/n

【技术特征摘要】
1.一种触控显示装置，其特征在于，包括依次层叠设置的显示模组、触控模组和偏光片，所述触控模组包括依次层叠设置于所述显示模组上的第一绝缘层、第一触控电极层、第二绝缘层以及第二触控电极层，所述第二绝缘层与所述第二触控电极层之间设置有第一无机阻挡层，所述第二绝缘层的材料为二氧化氮，所述第一无机阻挡层与所述第二绝缘层的材料不同。


2.如权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述第二触控电极层包括第二触控电极图案，所述第一无机阻挡层包括多个第一凸起部，多个所述第一凸起部对应于第二触控电极图案设置，所述第一凸起部具有第一锥度角。


3.如权利要求2所述的触控显示装置，其特征在于，所述第一锥度角小于70°。


4.如权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第一触控电极层之间设置有第二无机阻挡层，所述第一绝缘层的材料为二氧化氮，所述第二无机阻挡层与所述第一绝缘层的材料不同。


5.如权利要求4所述的触控显示装置，其特征在于，所述第一触控电极层包括第一触控电极图案，所述第二无机阻挡层包括多个第二凸起部，多个所述第二凸起部对应于第一触控电极图案设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李远航，戴超，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42