光学临近修正前的预处理方法、光学临近修正方法技术

一种光学临近修正前的预处理方法、光学临近修正方法，预处理方法包括：提供原始图形，原始图形的线端为第一边，剩余边为第二边，两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角、夹角为270°的顶点为凹角转角；确定具有弱点的原始图形为待处理图形；对待处理图形进行转角圆化处理，包括：将凹角转角处第二边的一部分替换为第一弧线段，第一弧线段的一端部位于图形断裂区域的第二边上且至凹角转角的距离为第一距离，另一端部位于另一第二边上且至凹角转角的距离为第二距离，第一距离大于第二距离；将相邻第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段，第二弧线段中位于第一边上的一端至凸角转角的距离小于位于第二边上的一端至凸角转角的距离。本发明专利技术提高了OPC精准度。

【技术实现步骤摘要】
光学临近修正前的预处理方法、光学临近修正方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学临近修正前的预处理方法、光学临近修正方法。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义，光刻技术的工艺精确度直接影响到半导体产品的良率。在光刻工艺开始之前，晶圆版图会先通过特定的设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(例如为248纳米的紫外光)，将掩膜版上的图形复制到生产所用的物理晶圆上。但是，随着集成电路设计的高速发展，半导体器件的尺寸不断缩小，在将图形转移到物理晶圆上的过程中会发生失真现象，在物理晶圆上所形成的图形相较于掩模版图形会出现变形和偏差。出现失真现象的原因主要是光学邻近效应(opticalproximityeffect，OPE)。为了解决上述问题，通常采用光学邻近修正(opticalproximitycorrection，OPC)方法，对光刻过程中的误差进行修正，OPC方法即为对掩膜版进行光刻前预处理，实现预先修正，使得修正补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应，因此，采用由OPC后的晶圆版图所制成的掩膜版，经过光刻后，在物理晶圆上能够得到预期的目标图形。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供一种光学临近修正前的预处理方法、光学临近修正方法，提高光学邻近修正的精准度。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种光学临近修正前的预处理方法，包括：提供含有至少一个原始图形的晶圆版图，所述原始图形由多条边围成，所述原始图形的线端所在的边为第一边，剩余多个边为第二边，所述原始图形中两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角、两个邻边夹角为270°的顶点为凹角转角；确定具有弱点的原始图形作为待处理图形，所述弱点包括图形桥接和图形断裂中的一种或两种；对所述待处理图形进行转角圆化处理，所述转角圆化处理包括以下情况中的一种或两种：将所述凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段，所述第一弧线段的一个端部位于所述图形断裂区域对应的第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第一距离，所述第一弧线段的另一个端部位于另一条第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；将所述图形桥接区域对应的所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段，所述第二弧线段的两个端部分别位于所述第一边和第二边上，位于所述第一边上的一端至所述凸角转角的距离为第三距离，位于所述第二边上的一端至所述凸角转角的距离为第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。可选的，所述第一距离大于或等于所述第二距离的1.2倍，且小于或等于所述第二距离的2.5倍。可选的，所述第四距离大于或等于所述第三距离的1.2倍，且小于或等于所述第三距离的2.5倍。可选的，所述原始图形包括相对的凸角转角和凹角转角，所述转角圆化处理还包括：将所述凸角转角处的相邻两条第二边中的一部分替换为第三弧线段，所述第三弧线段的两个端部分别位所述两条第二边上，且所述两个端部至所述凸角转角的距离相等。可选的，将所述凸角转角处的相邻两条第二边中的一部分替换为第三弧线段的步骤中，所述第三弧线段的两个端部至所述凸角转角的距离均为第五距离；所述第二距离为所述第五距离的0.9倍至1.1倍。可选的，将所述凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段的步骤包括：在所述图形断裂区域对应的第二边上确定第一拟合点、在另一条第二边上确定第二拟合点，所述第一拟合点至所述凹角转角的距离为所述第一距离，所述第二拟合点至所述凹角转角的距离为所述第二距离；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第一拟合点和第二拟合点的所述第一弧线段。可选的，将所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段的步骤包括：在所述图形桥接区域对应的第一边上确定第三拟合点、在所述第二边上确定第四拟合点，所述第三拟合点至所述凸角转角的距离为所述第三距离，所述第四拟合点至所述凸角转角的距离为所述第四距离；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第三拟合点和第四拟合点的所述第二弧线段。可选的，将所述凸角转角处的相邻两条第二边中的一部分替换为第三弧线段的步骤包括：在相邻两条所述第二边构成的凸角转角处，分别在所述两条第二边上确定第五拟合点和第六拟合点，所述第五拟合点和第六拟合点至所述凸角转角的距离相等；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第五拟合点和第六拟合点的所述第三弧线段。可选的，确定具有弱点的原始图形作为待处理图形的步骤中，在相邻所述第二边围成的凹角转角处，所述图形断裂区域对应第二边的边长大于另一条第二边的边长。可选的，确定具有弱点的原始图形作为待处理图形的步骤中，在相邻所述第一边和第二边围成的凸角转角处，所述原始图形线端的一侧具有另一原始图形，所述另一原始图形的延伸方向与所述原始图形的第一边相平行。可选的，所述待处理图形的形状包括L型、匚型、H型或|型。相应的，本专利技术实施例还提供一种光学临近修正方法，包括：采用前述光学临近修正前的预处理方法，获取预处理后的晶圆版图；对所述预处理后的晶圆版图进行光学邻近修正。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：本专利技术实施例确定具有弱点的原始图形作为待处理图形，其中，所述原始图形的线端所在的边为第一边，剩余多个边为第二边，所述原始图形中两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角(convexcorner)、两个邻边夹角为270°的顶点为凹角转角(concavecorner)，所述弱点包括图形桥接(bridge)和图形断裂(pinch)中的一种或两种，随后对所述待处理图形进行转角圆化(cornerrounded)处理，所述转角圆化处理包括以下情况中的一种或两种：将凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段，第一弧线段的一个端部位于图形断裂区域对应的第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第一距离，所述第一弧线段的另一个端部位于另一条第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；将所述图形桥接区域对应的所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段，所述第二弧线段的两个端部分别位于所述第一边和第二边上，位于所述第一边上的一端至所述凸角转角的距离为第三距离，位于所述第二边上的一端至所述凸角转角的距离为第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。其中，当原始图形具有图形断裂弱点时，通过使第一距离大于第二距离，增大了图形断裂区域的图形的有效宽度(effectivewidth)，因此，后续对所述预处理后的晶圆版图进行光学邻近修正获得后OPC版图(postOPClayout)，基于所述后OPC版图在掩膜版上形成掩膜版图形并将掩膜版图形转移至物理晶圆上后，物理晶圆上的图形出现图形断裂问题的概率较低；同理，当原始图形具有图形桥接弱点时，通过使第三距离小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学临近修正前的预处理方法，其特征在于，包括：/n提供含有至少一个原始图形的晶圆版图，所述原始图形由多条边围成，所述原始图形的线端所在的边为第一边，剩余多个边为第二边，所述原始图形中两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角、两个邻边夹角为270°的顶点为凹角转角；/n确定具有弱点的原始图形作为待处理图形，所述弱点包括图形桥接和图形断裂中的一种或两种；/n对所述待处理图形进行转角圆化处理，所述转角圆化处理包括以下情况中的一种或两种：/n将所述凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段，所述第一弧线段的一个端部位于所述图形断裂区域对应的第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第一距离，所述第一弧线段的另一个端部位于另一条第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；/n将所述图形桥接区域对应的所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段，所述第二弧线段的两个端部分别位于所述第一边和第二边上，位于所述第一边上的一端至所述凸角转角的距离为第三距离，位于所述第二边上的一端至所述凸角转角的距离为第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。/n...

【技术特征摘要】
1.一种光学临近修正前的预处理方法，其特征在于，包括：
提供含有至少一个原始图形的晶圆版图，所述原始图形由多条边围成，所述原始图形的线端所在的边为第一边，剩余多个边为第二边，所述原始图形中两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角、两个邻边夹角为270°的顶点为凹角转角；
确定具有弱点的原始图形作为待处理图形，所述弱点包括图形桥接和图形断裂中的一种或两种；
对所述待处理图形进行转角圆化处理，所述转角圆化处理包括以下情况中的一种或两种：
将所述凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段，所述第一弧线段的一个端部位于所述图形断裂区域对应的第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第一距离，所述第一弧线段的另一个端部位于另一条第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；
将所述图形桥接区域对应的所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段，所述第二弧线段的两个端部分别位于所述第一边和第二边上，位于所述第一边上的一端至所述凸角转角的距离为第三距离，位于所述第二边上的一端至所述凸角转角的距离为第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一距离大于或等于所述第二距离的1.2倍，且小于或等于所述第二距离的2.5倍。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第四距离大于或等于所述第三距离的1.2倍，且小于或等于所述第三距离的2.5倍。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原始图形包括相对的凸角转角和凹角转角，所述转角圆化处理还包括：将所述凸角转角处的相邻两条第二边中的一部分替换为第三弧线段，所述第三弧线段的两个端部分别位所述两条第二边上，且所述两个端部至所述凸角转角的距离相等。


5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，将所述凸角转角处的相邻两条第二边中的一部分替换为第三弧线段的步骤中，所述第三弧线段的两个端部至所述凸角转角的距离均为第五距离；
所述第二距离为所述第五距离的0.9倍至1.1倍。


6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述凹角...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，杨青，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31