二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用以及化学镀钯组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用以及化学镀钯组合物。采用具有通式(Ⅰ)所示的结构的二硫代氨基甲酸类化合物为原料制备化学镀钯组合物，然后采用该化学镀钯组合物对待镀钯件进行镀钯处理。将二硫代氨基甲酸类化合物应用到化学镀钯中，能够有效提高钯离子的沉积速度，缩短化学镀钯处理的时间，提高产能。另外，二硫代氨基甲酸类化合物能够稳定化学镀钯组合物，降低组合物中钯离子析出的风险，从而提高化学镀钯组合物的稳定性，保证镀钯效果。

【技术实现步骤摘要】
二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用以及化学镀钯组合物
本专利技术涉及化学镀
，尤其是涉及一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用以及化学镀钯组合物。
技术介绍
在印制电路板、集成电路或晶圆等制造过程中，由于会涉及到复杂的电路加工，为了提高电路之间的稳定性，往往会需要对电路板或晶圆等进行化学镀钯处理以提高金属的抗腐蚀和抗氧化等性能。然而，传统的化学镀钯工艺中，钯离子的沉积速度普遍较慢，在实际加工过程中，为了获得较厚的钯层，往往需要延长化学镀钯的加工时间或者升高化学镀钯液的温度。尽管这样可以在一定程度上得到厚度较大的钯层，但是延长化学镀钯的加工时间就会影响生产线的产能，不利于产能的提升；升高化学镀钯液的温度能够在一定程度上提高钯离子的沉积速度，但是温度的升高会导致化学镀钯液不稳定，影响化学镀钯的性能，进而给化学镀钯的效果带来不利影响。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用，通过所述二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用，能够有效提高化学镀钯过程中钯离子的沉积速度。另外，还有必要提供一种化学镀钯组合物，所述化学镀钯组合物的原料包括所述二硫代氨基甲酸类化合物，通过所述化学镀钯组合物对待镀钯件进行化学镀钯处理，能够有效提高钯离子的沉积速度，并且所述化学镀钯组合物具有良好的稳定性。除此之外，还有必要提供一种化学镀钯方法，所述化学镀钯方法采用所述化学镀钯组合物对待镀钯件进行化学镀钯处理，能够有效提高钯离子的沉积速度。>本专利技术解决上述技术问题的具体方案如下：本专利技术的一个目的在于提供一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用，所述二硫代氨基甲酸类化合物具有通式(Ⅰ)所示的结构：其中，R1、R2独立地选自氢、苯基、取代或未取代的胺基、或取代或未取代的C1～C8烷基；当R1、R2独立地选自取代的胺基时，胺基上的取代基为C1～C4烷基；当R1、R2独立地选自取代的C1～C8烷基时，C1～C8烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基、胺基、C1～C4烷氧基或C1～C4烷基取代的氨基；R3选自氢、钠离子、钾离子、铵离子、氰基、或取代或未取代的C1～C8烷基；当R3选自取代的C1～C8烷基时，C1～C8烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基、胺基、硝基或C1～C4酯基。在其中一个实施例中，R1、R2独立地选自氢、苯基、取代或未取代的C1～C4烷基；当R1、R2独立地选自取代的C1～C4烷基时，C1～C4烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基或胺基；R3选自氢、取代或未取代的C1～C4烷基；当R3选自取代的C1～C4烷基时，C1～C4烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基或胺基。本专利技术的另一目的在于提供一种化学镀钯组合物，所述化学镀钯组合物的原料包括具有通式(Ⅰ)所示的结构的二硫代氨基甲酸类化合物。在其中一个实施例中，所述化学镀钯组合物的原料还包括钯源、络合剂、还原剂以及溶剂。在其中一个实施例中，在所述化学镀钯组合物中，所述二硫代氨基甲酸类化合物的浓度为0.1mg/L～20mg/L，所述钯源提供的钯离子的浓度为100mg/L～1500mg/L，所述络合剂的浓度为5g/L～200g/L，所述还原剂的浓度为1g/L～30g/L。在其中一个实施例中，所述络合剂为脂肪胺、脂肪酸、脂肪酸盐、含氮脂肪酸以及含氮脂肪酸盐中的至少一种。在其中一个实施例中，所述还原剂为次磷酸类化合物以及甲酸类化合物中的至少一种。除了以上两个目的，本专利技术还有一个目的在于提供一种化学镀钯方法，所述化学镀钯方法包括如下步骤：采用上述任一实施例中所述的化学镀钯组合物对待镀钯件进行化学镀钯处理。在其中一个实施例中，所述化学镀钯方法还包括如下步骤：在所述化学镀钯处理之前，将所述化学镀钯组合物的pH值调节为4～9。在其中一个实施例中，所述待镀钯件为印制电路板、集成电路板或晶圆。上述二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用，采用具有通式(Ⅰ)所示的结构的二硫代氨基甲酸类化合物为原料制备化学镀钯组合物，然后采用该化学镀钯组合物对待镀钯件进行镀钯处理。本专利技术的专利技术人在实验中发现，将二硫代氨基甲酸类化合物应用到化学镀钯中，能够有效提高钯离子的沉积速度，缩短化学镀钯处理的时间，提高产能。另外，二硫代氨基甲酸类化合物能够稳定化学镀钯组合物，降低组合物中钯离子析出的风险，从而提高化学镀钯组合物的稳定性，保证镀钯效果，同时延长化学镀钯组合物的寿命，降低化学镀钯的生产成本。上述化学镀钯组合物的原料包括具有通式(Ⅰ)所示的结构二硫代氨基甲酸类化合物。上述化学镀钯组合物具有良好的稳定性，钯离子不易转化成钯单质，使用寿命长。在使用过程中，上述化学镀钯组合物能够保证稳定且合格的镀钯效果。上述化学镀钯方法能够有效提高化学镀钯过程中钯离子的沉积速度，有利于提高生产效率。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关实施例对本专利技术进行更全面的描述。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。以下具体实施方式中，如无特殊说明，均为常规方法；以下具体实施方式所用的原料、试剂材料等，如无特殊说明，均为市售购买产品。在本专利技术的描述中，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。在本专利技术的描述中，由术语“中的至少一者”、“中的至少一个”、“中的至少一种”，或其他相似术语所连接的项目的列表可意味着所列项目的任何组合。例如，如果列出项目A及B，那么短语“A及B中的至少一种”意味着仅A、或仅B、或A及B。在另外的一些示例中，如果列出项目A、B及C，那么短语“A、B及C中的至少一种”意味着仅A、或仅B、或仅C、或A及B(排除C)、或A及C(排除B)、或B及C(排除A)、或A及B及C的全部。同时项目A可包含单个单元或多个单元。项目B可包含单个单元或多个单元。项目C可包含单个单元或多个单元。在本专利技术的描述中，在关于碳数的表述即大写字母“C”后面的数字，例如“C1～C8”、“C1～C4”等中，在“C”之后的数字例如“1”、“4”或“8”表示具体官能团中的碳数。即，官能团分别可包括1～8个碳原子和1～4个碳原子。例如，“C1～C8烷基”是指具有1～8个碳原子的烷基，例如CH3-、CH3CH2-、CH3CH2CH2-、(CH3)2CH-、CH3CH2CH2CH本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用，其特征在于：所述二硫代氨基甲酸类化合物具有通式(Ⅰ)所示的结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用，其特征在于：所述二硫代氨基甲酸类化合物具有通式(Ⅰ)所示的结构：



其中，R1、R2独立地选自氢、苯基、取代或未取代的胺基、或取代或未取代的C1～C8烷基；当R1、R2独立地选自取代的胺基时，胺基上的取代基为C1～C4烷基；当R1、R2独立地选自取代的C1～C8烷基时，C1～C8烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基、胺基、C1～C4烷氧基或C1～C4烷基取代的胺基；
R3选自氢、钠离子、钾离子、铵离子、氰基、或取代或未取代的C1～C8烷基；当R3选自取代的C1～C8烷基时，C1～C8烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基、胺基、硝基或C1～C4酯基。


2.如权利要求1所述的应用，其特征在于：R1、R2独立地选自氢、苯基、取代或未取代的C1～C4烷基；当R1、R2独立地选自取代的C1～C4烷基时，C1～C4烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基或胺基；
R3选自氢、取代或未取代的C1～C4烷基；当R3选自取代的C1～C4烷基时，C1～C4烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基或胺基。


3.一种化学镀钯组合物，其特征在于：所述化学镀钯组合物的原料包括具有通式(Ⅰ)所示的结构的二硫代氨基甲酸类化合物。

【专利技术属性】
技术研发人员：黎小芳，李小兵，黄憬韬，陈光辉，张俊林，赖海祥，万会勇，黄辉祥，
申请(专利权)人：广东东硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44