用于化学气相沉积处理的加热装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置，包括：壳体，包围限定出腔室；载具，设于腔室中；加热组件，适于生发热量，以使得腔室中的温度升高；传热组件，设于腔室中，适于对来自加热组件的热量进行传导。本发明专利技术能够提高加热装置在加热时的温度均匀程度，以提高化学气相沉积处理的效果。

【技术实现步骤摘要】
用于化学气相沉积处理的加热装置
本专利技术涉及硅片制造的
，具体而言，涉及一种用于化学气相沉积处理的加热装置。
技术介绍
硅片在太阳能电池生产、半导体设备制造等诸多领域均具有广泛的应用前景。采用等离子增强化学气相沉积(英文名称：PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，英文简称：PECVD)是对硅片进行表面处理，是提高硅片性能的重要手段。在实施化学气相沉积处理时，需要采用加热装置对硅片进行加热。相关技术中的其中一项不足是，加热装置对硅片进行加热时的温度均匀性不够理想，并由此使得硅片的生产质量难以得到保证。
技术实现思路
本专利技术旨在解决上述技术问题的至少之一。为此，本专利技术的目的在于提供一种用于化学气相沉积处理的加热装置。为实现本专利技术的目的，本专利技术的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置，包括：壳体，包围限定出腔室；载具，设于腔室中，适于承载被加工件；加热组件，适于生发热量，以使得被加工件的温度升高；传热组件，设于腔室中，适于对来自加热组件的热量进行传导。传热组件的设置不仅能够提高腔室之中的保温效果，提高加热装置的加热效率，亦能够促进腔室之中温度的均匀分布，并使得腔室之中各个位置的硅片的温度和同一硅片之上各个区域的温度都趋于相同。由此，本实施例能够以供可均匀升温的加热装置，以达到保证产能并提高产品质量的目的。另外，本专利技术上述实施例提供的技术方案还可以具有如下附加技术特征：上述技术方案中，传热组件包括：一个或多个的板状金属传热组件；其中，板状金属传热组件与壳体连接。具有板状结构的金属材质传热组件导热效率高，成本低廉，易于加工并且便于和壳体的内壁进行安装装配。上述任一技术方案中，加热组件包括：第一加热组件，设置于载具的任一侧；第二加热组件，设置于载具与任一侧相对的另一侧。第一加热组件和第二加热组件相互配合，使得本实施例的加热装置的升温效率和温度分布均匀性均能够得到有力地保证。上述任一技术方案中，传热组件包括：第一传热组件，设于壳体的侧部上；第二传热组件，设于壳体的底部上。本实施例的第一传热组件和第二传热组件与第一加热组件和第二加热组件共同配合，以达到在多个方向对载具以及载具之上的硅片进行加热、传热和保温的目的。上述任一技术方案中，第一加热组件包括：一个或多个的板状金属加热组件；其中，板状金属加热组件设于腔室中，并与壳体连接。具有板状结构的金属材质加热组件的升温速度快，成本低廉，体积小巧，易于加工并且便于和壳体的内壁进行安装装配。上述任一技术方案中，第二加热组件包括：一个或多个的管状加热组件；其中，管状加热组件的至少一部分伸入腔室，并且管状加热组件与壳体可拆卸连接。一方面，本实施例能够保证腔室的密闭情况，以使得腔室能够处于真空状态。另一方面，本实施将第二加热组件设置为相对于壳体的可拆卸结构，由此，本实施例可便于第二加热组件的维修和更换。上述任一技术方案中，管状加热组件包括：外导热管，包括闭口端和敞口端，并包围限定出外导热管腔；内加热管，由敞口端伸入外导热管腔，并向闭口端的方向延伸；其中，闭口端伸入腔室，外导热管腔通过敞口端与腔室的外部空间连通。本实施例的上述结构使得内加热管易于维修更换，在保证利于内加热管对腔室进行加热的基础上，亦保证了腔室处于封闭和真空状态。由此，本实施例大大简化了内加热管的整体结构、接线方式，并使得内加热管的后期维护更为方便。上述任一技术方案中，用于化学气相沉积处理的加热装置还包括：密封组件；其中，壳体之上设有通孔，外导热管通过通孔伸入腔室，密封组件适于密封通孔，以使得腔室的内部空间与外部空间相互分隔。密封组件的作用在于对腔室进行密封，避免外导热管和壳体连接处的密封程度不良而导致的外部空气进入腔室的问题。上述任一技术方案中，密封组件包括：法兰盘，环绕外导热管的周缘设置；弹性密封件，设于法兰盘和壳体之间；紧固件，适于将法兰盘与壳体连接，以使得弹性密封件封堵通孔与外导热管之间的间隙。本实施例的密封组件零部件少，结构简单，易于安装装配，并且密封效果好。上述任一技术方案中，外导热管包括石英导热管；和/或内加热管包括红外加热管。红外加热管的加热效率高，并可在大气环境下稳定长期工作，石英导热管的透光度良好，其能够对来自内加热管的热量进行高效传递。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本专利技术一个实施例的用于化学气相沉积处理的加热装置的第一结构示意图；图2为本专利技术一个实施例的用于化学气相沉积处理的加热装置的第二结构示意图；图3为图2中A部的局部放大图。其中，图1至图3中附图标记与部件名称之间的对应关系为：100：加热装置，110：壳体，112：箱体，114：盖体，116：侧部，118：底部，120：腔室，130：载具，140：加热组件，150：传热组件，152：第一传热组件，154：第二传热组件，160：第一加热组件，170：第二加热组件，172：外导热管，174：外导热管腔，176：内加热管，180：密封组件，182：法兰盘，184：弹性密封件，186：紧固件，188：法兰盘缺口，190：传动滚轮，200：硅片，1722：闭口端，1724：敞口端。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。下面参照图1至图3描述本专利技术一些实施例的用于化学气相沉积处理的加热装置100。实施例1：如图1和图2所示，本专利技术的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。包括：壳体110、载具130、加热组件140和传热组件150。壳体110包围限定出腔室120。载具130设于腔室120中，适于承载被加工件。加热组件140适于生发热量，以使得被加工件的温度升高。传热组件150设于腔室120中，适于对来自加热组件140的热量进行传导。具体而言，本实施例的加热装置100用于对被加工件进行等离子增强化学气相沉积处理。等离子增强化学气相沉积处理是对物质或物体进行表面处理的重要技术手段，该处理方法利用强电场或磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体经过经一系列化学和等离子体反应，在被加工件表面形成薄膜。比如，采用等离子增强化学气相沉积处理的手段，可在用于制造太阳能电池或半导体设备的硅片的表面沉积出氮化硅薄膜层，氮化硅薄膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，包括：/n壳体，包围限定出腔室；/n载具，设于所述腔室中，适于承载被加工件；/n加热组件，适于生发热量，以使得所述被加工件的温度升高；/n传热组件，设于所述腔室中，适于对来自所述加热组件的热量进行传导。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，包括：
壳体，包围限定出腔室；
载具，设于所述腔室中，适于承载被加工件；
加热组件，适于生发热量，以使得所述被加工件的温度升高；
传热组件，设于所述腔室中，适于对来自所述加热组件的热量进行传导。


2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述传热组件包括：
一个或多个的板状金属传热组件；
其中，所述板状金属传热组件与所述壳体连接。


3.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述加热组件包括：
第一加热组件，设置于所述载具的任一侧；
第二加热组件，设置于所述载具与所述任一侧相对的另一侧。


4.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述传热组件包括：
第一传热组件，设于所述壳体的侧部上；
第二传热组件，设于所述壳体的底部上。


5.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述第一加热组件包括：
一个或多个的板状金属加热组件；
其中，所述板状金属加热组件设于所述腔室中，并与所述壳体连接。


6.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述第二加热组件包括：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：余仲，梁建军，朱海剑，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44