一种射频电路及电子设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种射频电路及电子设备，射频电路包括：供电电源、射频输出端、第一级放大子电路、第二级放大子电路和至少一个移相器；第一级放大子电路的输出端与第二级放大子电路的输入端电连接，第二级放大子电路的输出端连接射频输出端；供电电源与第二级放大子电路连接，并通过第二级放大子电路连接至第一级放大子电路，第一级放大子电路与供电电源连接处形成第一分压点，第二级放大子电路与供电电源连接处形成第二分压点；至少一个移相器串联于第一分压点和第二分压点之间。本实用新型专利技术的射频电路，可以有效解决放大器自激问题，且移相器的插损小，低频插损可以忽略，进而可减小对ET信号的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种射频电路及电子设备
本技术涉及电子产品领域，尤其涉及一种射频电路及电子设备。
技术介绍
随着移动通信技术的发展，4G(The4thGenerationMobileCommunicationTechnology，第四代移动通信技术)和5G(5thGenerationMobileNetworks，第五代移动通信技术)已经要求双连接，通信设备对功耗的要求越来越严格，因此APT(AutoPowerTracking，自动功率追踪)、EPT(EnhancePowerTracking，增强型功率跟踪)、ET(EnvelopeTracking，封包追踪)等降功耗设计逐渐成为通用设计。其中ET用于大功率场景的降功耗设计，ET对电源上的滤波电容要求非常严格，如高通要求QET5100到PA(PowerAmplifier，功率放大器)的VCC(VoltCurrentCondenser，供电电压)管脚总电容值不能超过500pF，否则ET无法使用。目前集成射频前端模块(含PA、双工器、开关等部件)尤其是低频模块(699MHz～915MHz)的厂家，在设计上其内部电路VCC2到VCC1再到第二级放大器输入端，对低频部分(小于600MHz)的抑制不足，如图1所示，导致器件在应用的过程中，当VCC1和VCC2在外部连接到APT/ET电源时，如果没有足够的串联电感或滤波电容，会导致PA自激，进而造成EMC(ElectroMagneticCompatibility，电磁兼容)问题，如EMI(ElectroMagneticInterference，电磁干扰)超标、收发自干扰等。当前产品应用针对PA自激问题的解决方案有：1)在VCC1和VCC2上并联滤波电容，通过增加滤波电容，基本上ET无法使用。2)在VCC1和VCC2上串联电感，根据实际应用结果，串联电感需要增加到6.8nH～27nH(具体感值受器件在不同产品的实际表现影响而不同)，当感值较大时，会对ET信号造成衰减导致失真，影响ET时的射频指标。3)在VCC1和VCC2上串联磁珠，根据磁珠的频响特性，在10MHz时阻值已经较大，对ET影响可能比较大。由此可见，现有的解决功率放大器自激的方法存在对封包追踪影响较大的问题。
技术实现思路
本技术实施例提供一种射频电路及电子设备，以解决现有技术中在解决功率放大器自激时对封包追踪影响较大的问题。为了解决上述问题，本技术实施例是这样实现的：第一方面，本技术实施例提供一种射频电路，包括：供电电源、射频输出端、第一级放大子电路、第二级放大子电路和至少一个移相器；第一级放大子电路的输出端与第二级放大子电路的输入端电连接，第二级放大子电路的输出端连接射频输出端；供电电源与第二级放大子电路连接，并通过第二级放大子电路连接至第一级放大子电路，第一级放大子电路与供电电源连接处形成第一分压点，第二级放大子电路与供电电源连接处形成第二分压点；至少一个移相器串联于第一分压点和第二分压点之间。第二方面，本技术实施例提供一种电子设备，包括上述的射频电路。本技术技术方案，通过在第一分压点和第二分压点之间串接至少一个移相器，让反馈信号在反馈回路上的相位相对原反馈回路发生变化，使原先的正反馈转变为负反馈，这样可以有效解决放大器自激问题，且移相器的插损小，低频插损可以忽略，进而可减小对ET信号的影响。附图说明图1表示现有技术射频前端模块的示意图；图2表示本技术实施例射频电路示意图；图3表示本技术实施例开关与移相器连接示意图之一；图4表示本技术实施例开关与移相器连接示意图之二；图5表示本技术实施例开关与移相器连接示意图之三；图6表示本技术实施例开关与移相器连接示意图之四；图7表示本技术实施例开关与移相器连接示意图之五。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供一种射频电路，如图2所示，包括：供电电源1、射频输出端2、第一级放大子电路3、第二级放大子电路4和至少一个移相器5；第一级放大子电路3的输出端与第二级放大子电路4的输入端电连接，第二级放大子电路4的输出端连接射频输出端2；供电电源1与第二级放大子电路4连接，并通过第二级放大子电路4连接至第一级放大子电路3，第一级放大子电路3与供电电源1连接处形成第一分压点31，第二级放大子电路4与供电电源1连接处形成第二分压点41；至少一个移相器5串联于第一分压点31和第二分压点41之间。本技术实施例提供的射频电路包括：供电电源1、射频输出端2、第一级放大子电路3、第二级放大子电路4以及移相器5。其中，第一级放大子电路3的输出端连接至第二级放大子电路4的输入端，第二级放大子电路4的输出端连接至射频输出端2，形成连接通路。供电电源1连接第二级放大子电路4和第一级放大子电路3，在第一级放大子电路3与供电电源1的连接处形成第一分压点31，在第二级放大子电路4与供电电源1的连接处形成第二分压点41，在第一分压点31和第二分压点41之间串联至少一个移相器5。在未串接移相器5，第一分压点31和第二分压点41直连的情况下，反馈信号经射频输出端2、第二级放大子电路4、第一级放大子电路3传输至第二级放大子电路4，此时第二级放大子电路4中反馈信号的相位与正常通路进入第二级放大子电路4的信号相位同相时，则成为正反馈，形成PA自激的相位条件。如果反馈回路的环路增益大于1，则PA会发生自激。当在第一分压点31和第二分压点41之间串接移相器5，可以覆盖产生自激的低频段，进而破坏形成PA自激的相位条件，这时即使反馈回路的环路增益大于1，PA也不会发生自激。其中，移相器可以为反射型移相器、开关线式移相器、高通/低通滤波器式移相器或者其他类型的移相器，本技术射频电路中的移相器可以根据实际需求选择相应的类型。上述结构，通过在第一分压点和第二分压点之间串接移相器，让反馈信号在反馈回路上的相位相对原反馈回路发生变化，使原先的正反馈转变为负反馈，这样可以有效解决放大器自激问题，且移相器的插损小，低频插损可以忽略，进而可减小对ET信号的影响。如图2所示，在移相器5的数量为两个或者两个以上时，各移相器5之间相互并联，且每一个移相器5的两端均分别连接第一分压点31和第二分压点41。可选的，在本技术一实施例中，如图2所示，射频电路还包括：移相器5与第一分压点31相连接的线路上设置的第一开关61，和/或，移相器5与第二分压点41相连接的线路上设置的第二开关62。射频电路还包括在移本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频电路，其特征在于，包括：/n供电电源、射频输出端、第一级放大子电路、第二级放大子电路和至少一个移相器；/n所述第一级放大子电路的输出端与所述第二级放大子电路的输入端电连接，所述第二级放大子电路的输出端连接所述射频输出端；/n所述供电电源与所述第二级放大子电路连接，并通过所述第二级放大子电路连接至所述第一级放大子电路，所述第一级放大子电路与所述供电电源连接处形成第一分压点，所述第二级放大子电路与所述供电电源连接处形成第二分压点；/n所述至少一个移相器串联于所述第一分压点和所述第二分压点之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频电路，其特征在于，包括：
供电电源、射频输出端、第一级放大子电路、第二级放大子电路和至少一个移相器；
所述第一级放大子电路的输出端与所述第二级放大子电路的输入端电连接，所述第二级放大子电路的输出端连接所述射频输出端；
所述供电电源与所述第二级放大子电路连接，并通过所述第二级放大子电路连接至所述第一级放大子电路，所述第一级放大子电路与所述供电电源连接处形成第一分压点，所述第二级放大子电路与所述供电电源连接处形成第二分压点；
所述至少一个移相器串联于所述第一分压点和所述第二分压点之间。


2.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，还包括：
所述移相器与所述第一分压点相连接的线路上设置的第一开关，和/或，所述移相器与所述第二分压点相连接的线路上设置的第二开关。


3.根据权利要求2所述的射频电路，其特征在于，在所述射频电路包括所述第一开关、所述第二开关和一个所述移相器的情况下；
所述第一开关的第一端与所述第一分压点连接，所述第一开关的第二端与所述移相器的第一端连接；
所述第二开关的第一端与所述第二分压点连接，所述第二开关的第二端与所述移相器的第二端连接；
在所述第一开关和所述第二开关处于闭合的状态下，所述第一分压点、所述第一开关、所述移相器、所述第二开关以及所述第二分压点连通。


4.根据权利要求2所述的射频电路，其特征在于，在所述射频电路包括所述第一开关、所述第二开关和相互并联的至少两个所述移相器，且所述第一开关和所述第二开关均为一个的情况下；
所述第一开关的第一端与所述第一分压点连接，所述第一开关的第二端与至少一个所述移相器的第一端连接，所述第二开关的第一端与所述第二分压点连接，所述第二开关的第二端与至少一个所述移相器的第二端连接；
其中所述第一开关和所述第二开关连接相同的所述移相器。


5.根据权利要求2所述的射频电路，其特征在于，在所述射频电路包括所述第一开关、所述第二开关和相互并联的至少两个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵坤，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44