一种单晶硅片清洗方法技术

本发明专利技术公开一种单晶硅片清洗方法，采用碱液混合液和双氧水等进行清洗，通过预清洗起到对硅片表面较大杂质残留的基本去除；通过多次碱洗，采用超声波+清洗剂的方式对硅片表面的颗粒杂质、金属离子、硅粉残留进行去除，再通过一次漂洗初步去除清洗剂残留，减少其对后面双氧水的影响；然后利用双氧水去除硅片表面有机物的残留；最后通过多次溢流漂洗去除前面药洗、双氧水、碱、以及硅粉的残留。本发明专利技术清洗方法通过对清洗液温度和浓度进行控制，能有效减少单晶脏污产生率，同时不影响后道工序。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片清洗方法
本专利技术属于光伏生产
，涉及单晶硅片清洗方法。
技术介绍
单晶硅片产能飞速发展，迅速挤压原多晶占比产能，已适应目前的各品种多元化发展。单晶要求更高，工艺更复杂，同时单晶电池片的制绒要求对前道清洗工艺的要求更加严苛，因此原多晶硅片清洗工艺已不能适应单晶硅片清洗。
技术实现思路
为了克服现有清洗工艺无法应用于单晶硅片清洗的缺陷，本专利技术对原多晶硅片清洗工艺进行改进，提供一种单晶硅片清洗方法。本专利技术具体采用如下技术方案：一种单晶硅片清洗方法，其特征在于包括如下步骤：步骤(一)：溢流预清洗，溢流速度＞200L/Hour；步骤(二)：碱洗，使用碱洗混合溶液，利用多个超声波碱洗槽顺次对硅片进行清洗，碱洗槽数量≥3，温度要求50℃～60℃；步骤(三)：一次溢流漂洗，溢流速度＞200L/Hour，温度要求40～50℃；步骤(四)：双氧水浸泡，使用双氧水混合溶液对硅片进行浸泡，温度要求45～55℃；步骤(五)：二次溢流漂洗，利用多个漂洗槽顺次对硅片进行漂洗，漂洗槽数量≥3，溢流速度＞200L/Hour，温度要求45～60℃；步骤(六)：慢拉升温，对水进行升温，使浸没的硅片达到75～95℃的温度；步骤(七)：烘干，对硅片进行烘干处理，温度在80～100℃。步骤(八)：室温自然冷却。优选地，所述碱洗混合溶液由固体碱、表面活性剂、纯水配置而成，KOH浓度3％～5％。优选地，所述双氧水混合溶液由浓度为7％～10％的双氧水加纯水280～300L配置而成。本专利技术单晶硅片清洗方法采用碱液混合液和双氧水等进行清洗，通过预清洗起到对硅片表面较大杂质残留的基本去除；通过多次碱洗，采用超声波+清洗剂的方式对硅片表面的颗粒杂质、金属离子、硅粉残留进行去除，再通过一次漂洗初步去除清洗剂残留，减少其对后面双氧水的影响；然后利用双氧水去除硅片表面有机物的残留；最后通过多次溢流漂洗去除前面药洗、双氧水、碱、以及硅粉的残留。清洗液温度太低会造成反应钝化，对清洗效果有弱化现象，温度太高会过度氧化形成白斑不利于制绒。同样，清洗液浓度太低没有清洗效果，太多会有碱饱和现象，另外会造成过度的药剂残留，同样不利于后道制绒。本专利技术清洗方法通过对清洗液温度和浓度进行控制，能有效减少单晶脏污产生率，同时不影响后道工序。附图说明图1是本专利技术单晶硅片清洗方法流程图。具体实施方式下面对本专利技术技术方案做进一步详细说明。实施例1如图1所示，本专利技术单晶硅片清洗方法依次包括溢流预清洗、碱洗、一次溢流漂洗、双氧水浸泡、二次溢流漂洗、慢拉升温、烘干、室温自然冷却步骤，具体如下：溢流预清洗：要求单晶溢流速度220L/Hour。作用在于对脱胶完后的硅片表面预清洗，简单地去除胶丝、脱胶剂、乳酸等硅片表面较大杂质残留；碱洗：使用固体碱(提纯级KOH)、表面活性剂、纯水调制浓度为3％的碱洗混合溶液(KOH)，利用三个超声波碱洗槽顺次对硅片进行清洗，温度要求在50℃；一次溢流漂洗：溢流速度300L/Hour。作用在于对碱洗后的混合溶液(KOH/表面活性剂)进行漂洗，减少对下步工序的药剂残留，温度要求在40℃；双氧水浸泡：使用浓度为7％的双氧水加纯水280L配置混合溶液，对硅片进行浸泡，温度要求在50℃，作用在于去除有机物，杀死细菌等残留；二次溢流漂洗：利用三个漂洗槽顺次对硅片进行清洗，溢流速度260L/Hour，作用在于去除前面混合溶液的残留物质，温度要求在45℃；慢拉升温，通过对水进行升温，使之浸没的硅片30min内达到85℃的温度，更有利于硅片烘干；烘干：对水洗过的硅片进行烘干处理，温度在90℃；室温自然冷却：降低硅片温度，从而降低高温对于硅片电阻的影响。实施例2单晶硅片清洗方法依次包括预清洗、碱洗、一次溢流漂洗、双氧水浸泡、二次溢流漂洗、慢拉升温、烘干、室温自然冷却步骤，具体如下：溢流预清洗：要求单晶溢流速度250L/Hour。作用在于对脱胶完后的硅片表面预清洗，简单地去除胶丝、脱胶剂、乳酸等残留物质；碱洗：使用固体碱(提纯级KOH)、表面活性剂、纯水调制浓度为4％的碱洗混合溶液(KOH)，利用三个超声波碱洗槽顺次对硅片进行清洗，温度要求在55℃；一次溢流漂洗：溢流速度210L/Hour.作用在于对碱洗后的混合溶液(KOH/表面活性剂)进行漂洗，减少对下步工序的药剂残留，温度要求在45℃；双氧水浸泡：使用浓度为9％的双氧水加纯水290L配置混合溶液，对硅片进行浸泡，温度要求在45℃，作用在于去除有机物，杀死细菌等残留；二次溢流漂洗：利用三个漂洗槽顺次对硅片进行清洗，溢流速度220L/Hour，作用在于去除前面混合溶液的残留物质，温度要求在60℃；慢拉升温：通过对水进行升温，使之浸没的硅片30min内达到75℃的温度，更有利于硅片烘干；烘干：对水洗过的硅片进行烘干处理，温度在80℃；室温自然冷却：降低硅片温度，从而降低高温对于硅片电阻的影响。实施例3单晶硅片清洗方法依次包括预清洗、碱洗、一次溢流漂洗、双氧水浸泡、二次溢流漂洗、慢拉升温、烘干、室温自然冷却步骤，具体如下：溢流预清洗：要求单晶溢流速度230L/Hour。作用在于对脱胶完后的硅片表面预清洗，简单地去除胶丝、脱胶剂、乳酸等残留物质；碱洗：使用固体碱(提纯级KOH)、表面活性剂、纯水调制浓度为5％的碱洗混合溶液(KOH)，利用多个超声波碱洗槽顺次对硅片进行清洗，温度要求在60℃；一次溢流漂洗：溢流速度350L/Hour.作用在于对碱洗后的混合溶液(KOH/表面活性剂)进行漂洗，减少对下步工序的药剂残留，温度要求在45℃；双氧水浸泡：使用浓度为10％的双氧水加纯水280配置混合溶液，对硅片进行浸泡，温度要求在55℃，作用在于去除有机物，杀死细菌等残留；二次溢流漂洗：利用三个漂洗槽顺次对硅片进行清洗，溢流速度260L/Hour，作用在于去除前面混合溶液的残留物质，温度要求在60℃；慢拉升温，通过对水进行升温，使之浸没的硅片30min内达到95℃的温度，更有利于硅片烘干；烘干：对水洗过的硅片进行烘干处理，温度在100℃；室温自然冷却：降低硅片温度，从而降低高温对于硅片电阻的影响。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅片清洗方法，其特征在于包括如下步骤：/n步骤(一)：溢流预清洗，溢流速度＞200L/Hour；/n步骤(二)：碱洗，使用碱洗混合溶液，利用多个超声波碱洗槽顺次对硅片进行清洗，碱洗槽数量≥3，温度要求50℃～60℃；/n步骤(三)：一次溢流漂洗，溢流速度＞200L/Hour，温度要求40～50℃；/n步骤(四)：双氧水浸泡，使用双氧水混合溶液对硅片进行浸泡，温度要求45～55℃；/n步骤(五)：二次溢流漂洗，利用多个漂洗槽顺次对硅片进行漂洗，漂洗槽数量≥3，溢流速度＞200L/Hour，温度要求45～60℃；/n步骤(六)：慢拉升温，对水进行升温，使浸没的硅片达到75～95℃的温度；/n步骤(七)：烘干，对硅片进行烘干处理，温度在80～100℃；/n步骤(八)：室温自然冷却。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片清洗方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤(一)：溢流预清洗，溢流速度＞200L/Hour；
步骤(二)：碱洗，使用碱洗混合溶液，利用多个超声波碱洗槽顺次对硅片进行清洗，碱洗槽数量≥3，温度要求50℃～60℃；
步骤(三)：一次溢流漂洗，溢流速度＞200L/Hour，温度要求40～50℃；
步骤(四)：双氧水浸泡，使用双氧水混合溶液对硅片进行浸泡，温度要求45～55℃；
步骤(五)：二次溢流漂洗，利用多个漂洗槽顺次对硅片进行漂洗，漂洗槽数量≥3，溢流速度＞200L/Hour，温度要求45～60℃；
步骤(六)：慢拉升温，对...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏泽武，王艺澄，王友，
申请(专利权)人：江苏高照新能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32