一种掩膜板的修复方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种掩膜板的修复方法。本发明专利技术实施例通过在掩膜板的缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积，由此，能够增加在清洗过程中缺陷受到的冲击力，并通过清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。可以提高掩膜板的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板的修复方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种掩膜板的修复方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，光刻工艺是集成电路生产中重要的工艺步骤。在芯片制造前，先根据芯片上每一层的器件、金属线、连接等的布局，设计制作一个或多个掩膜板(Mask)，然后，再利用光刻工艺将该光刻掩膜板上的图形转移到晶片上。在曝光工艺中使用的用于形成光刻图形的掩膜板是通过在石英衬底上涂覆铬层或者铝层作为遮光层，然后利用离子束刻蚀遮光层以形成相应的遮光图形而得到。掩膜板的作用是有选择地遮挡照射到基片表面光刻胶膜上的光(例如紫外线、电子束、X射线等)，以便形成光刻胶图案。掩膜板的质量将直接影响所形成的光刻胶图案的质量，从而影响器件的性能和成品率。因此，掩膜板的质量尤为重要。然而，掩膜板的精度还需要提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种掩膜板的修复方法，能够提高掩膜板的精确度。所述方法包括：提供掩膜板；确定所述掩膜板上的缺陷的位置；在所述缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积；清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构后，所述方法还包括：确定所述缺陷的大小。进一步地，根据所述缺陷的尺寸确定所述堆积结构与所述缺陷的接触面积。进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括：当所述缺陷的尺寸小于5微米时，在所述缺陷上形成与所述缺陷的接触面积为所述缺陷面积的1/2的堆积结构。进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括：当所述缺陷的尺寸大于5微米时，在所述缺陷上形成与所述缺陷的接触面积为所述缺陷面积的3/4的堆积结构。进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括：在所述缺陷上形成接触层；在所述接触层上形成受力层；在所述受力层上形成保护层。进一步地，所述接触层、所述受力层和所述保护层的材料是铬。进一步地，所述受力层为不规则形状。进一步地，所述受力层为X形。进一步地，在所述形成保护层后，所述方法还包括：刻蚀所述缺陷的周围区域。进一步地，所述缺陷为粘附颗粒。进一步地，所述清洗所述掩膜板，包括：用去离子水超声清洗所述掩膜板。进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括：采用离子束或电子束聚焦形成所述堆积结构。本专利技术实施例通过在掩膜板的缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积，由此，能够增加在清洗过程中缺陷受到的冲击力，并通过清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。可以提高掩膜板的精度。附图说明通过以下参照附图对本专利技术实施例的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1是掩膜板中缺陷的显微照片；图2-图4是具有缺陷的掩膜板的显微照片；图5是本专利技术实施例的掩膜板的修复方法的流程图；图6-图19是本专利技术实施例的掩膜板的修复方法的各步骤形成的结构的示意图；图20是本专利技术实施例的掩膜板的修复方法的超声清洗前和超声清洗后的显微照片。具体实施方式以下基于实施例对本专利技术进行描述，但是本专利技术并不仅仅限于这些实施例。在下文对本专利技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本专利技术。为了避免混淆本专利技术的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多层”的含义是两层或两层以上。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。为便于描述这里可以使用诸如“在…之下”、“在...下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间关系术语以描述如附图所示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。应当理解，空间关系术语旨在概括除附图所示取向之外器件在使用或操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转过来，被描述为“在”其他元件或特征“之下”或“下面”的元件将会在其他元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“在...下面”就能够涵盖之上和之下两种取向。器件可以采取其他取向(旋转90度或在其他取向)，这里所用的空间关系描述符被相应地解释。所述“缺陷尺寸”是指所述缺陷的最大直径。掩膜板的质量会直接影响所形成的光刻胶图案的质量，其上的缺陷或污染物可能引起在整个晶片上形成的每一个半导体器件内重复的缺陷。如图1所示，当掩膜板上存在某种缺陷，使得本应透光的区域因存在污染点而不透光时，晶片上对应位置本应曝光的区域就无法曝光，结果会导致光刻后得到的晶片上的光刻胶图案与预先设计的不相符，可能在后续所形成的半导体器件中引起开路或短路，导致产品的性能和成品率下降。随着半导体器件的集成度越来越高，掩膜板上的图案尺寸越来越小。使得对掩膜板缺陷的修复更加复杂。例如，在14nm或28nm工艺节点中，如图2所示，当采用高频超声清洗时，由于掩膜板的图案尺寸过小，容易导致亚分辨率辅助特征(Sub-ResolutionAssistFeatures，SRAF)消失。但低频超声清洗又不能有效的移除不透明颗粒，使得超声清洗时间过长，进而导致图案被腐蚀。如图3所示，采用刻蚀的方法会导致过刻蚀，掩膜图案的边缘向外扩展。如图4所示，当不透明颗粒形成在掩膜板的狭缝处，因为没有合适的工具，所以也无法采用物理去除的方法去除所述不透明颗粒。有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种掩膜板的修复方法，可以去除掩膜板的表面的不透明颗粒。图5是本专利技术实施例的掩膜板的修复方法的流程图。如图5所示，本专利技术实施例的方法包括如下步骤：步骤S100、提供掩膜板。步骤S200、确定所述掩膜板上的缺陷位置。步骤S300、在所述缺陷上形成堆积结构。以增加缺陷体积。步骤S400、清洗所述掩膜板。以移除所述缺陷。可选地，在步骤S300前，所述方法还包括：步骤S300a，确定所述缺陷的大小。图6-图19是本专利技术实施例的掩膜板的修复方法的各步骤形成的结构的示意图。在图6-图19中以去除14nm或28nm工艺中使用的掩膜板的表面的不透明颗粒为例进行说明，应理解，本专利技术实施例也可以用于修复其他工艺制程的掩膜板。如图6所示，在步骤S100中，提供掩膜板。所述掩膜板可以是移相掩模(PhaseShiftMa本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板的修复方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供掩膜板；/n确定所述掩膜板上的缺陷的位置；/n在所述缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积；/n清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板的修复方法，其特征在于，所述方法包括：
提供掩膜板；
确定所述掩膜板上的缺陷的位置；
在所述缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积；
清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述缺陷上形成堆积结构后，所述方法还包括：
确定所述缺陷的大小。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述缺陷的尺寸确定所述堆积结构与所述缺陷的接触面积。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括：
当所述缺陷的尺寸小于5微米时，在所述缺陷上形成与所述缺陷的接触面积为所述缺陷面积的1/2的堆积结构。


5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括：
当所述缺陷的尺寸大于5微米时，在所述缺陷上形成与所述缺陷的接触面积为所述缺陷面积的3/4的堆积结构。


6.根据权利要求5所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张健澄，吴苇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12