化合物及包含其的有机发光器件制造技术

本说明书提供由化学式1表示的化合物及包含其的有机发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物及包含其的有机发光器件
本专利技术涉及由化学式1表示的化合物及包含其的有机发光器件。本申请主张于2018年5月31日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2018-0062377号的优先权，其全部内容包含在本说明书中。
技术介绍
通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于它们之间的有机物层的结构。在这里，为了提高有机发光器件的效率和稳定性，有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入至有机物层，电子从阴极注入至有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，该激子重新跃迁至基态时就会发出光。持续要求开发用于如上所述的有机发光器件的新的材料。<现有技术文献>韩国公开专利公报第10-2008-0096733号
技术实现思路
技术课题本说明书通过包含由化学式1表示的化合物，从而提供驱动电压低、或发光效率高、或寿命特性好的有机发光器件。课题的解决方法本说明书的一实施方式提供由下述化学式1表示的化合物。[化学式1]在上述化学式1中，X为O、S或Se，L1和L2彼此相同或不同，各自独立地为亚芳基，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为芳基，m1和m2各自独立地为0或1，m1与m2之和为1，n1为0至4的整数，n1为2以上时，L1彼此相同或不同，n2为0至4的整数，n2为2以上时，L2彼此相同或不同。另外，本说明书的一实施方式提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极、第二电极、以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的一层以上的有机物层，上述有机物层包含由上述的化学式1表示的化合物。专利技术效果本说明书中记载的化合物可以用作有机发光器件的有机物层的材料。在一实施方式中，本说明书中记载的化合物可以用作空穴注入、空穴传输、空穴调节、发光、电子调节、电子传输和电子注入的材料中的任一种材料，特别是发光材料。在一实施方式中，包含由上述化学式1表示的化合物的有机发光器件效率提高、或驱动电压降低、或寿命特性提高。附图说明图1图示了由基板1、阳极2、有机物层3和阴极4构成的有机发光器件的例子。图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、空穴调节层7、发光层8、电子传输层9、电子注入层10和阴极4构成的有机发光器件的例子。图3图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、空穴调节层7、发光层8、电子调节层11、电子注入和传输层12、以及阴极4构成的有机发光器件的例子。图4图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、第一空穴传输层6a、第二空穴传输层6b、发光层8、电子调节层11、电子注入和传输层12、以及阴极4构成的有机发光器件的例子。<符号说明>1：基板2：阳极3：有机物层4：阴极5：空穴注入层6：空穴传输层6a：第一空穴传输层6b：第二空穴传输层7：空穴调节层8：发光层9：电子传输层10：电子注入层11：电子调节层12：电子注入和传输层具体实施方式下面，对本专利技术更详细地进行说明。上述取代基的示例在下文中进行说明，但并不限定于此。在本说明书中，是指与其它取代基或结合部结合的部位。在本说明书中，烷基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为1至40。根据一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至20。根据另一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至10。根据另一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至6。作为烷基的具体例子，有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基丁基、1-乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、异己基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并不限定于此。在本说明书中，芳基是指完全或部分不饱和的取代或未取代的单环或多环。碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为6至60。根据一实施方式，上述芳基的碳原子数为6至40。根据一实施方式，上述芳基的碳原子数为6至30。上述芳基可以为单环芳基或多环芳基。作为上述单环芳基，有苯基、联苯基、三联苯基等，但并不限定于此。作为上述多环芳基，可以为萘基、蒽基、菲基、苝基、荧蒽基、三亚苯基、萉基、芘基、并四苯基、基、并五苯基、芴基、茚基、苊基、苯并芴基、螺芴基等，但并不限定于此。在本说明书中，芴基可以被取代，2个取代基可以彼此结合而形成螺结构。例如，上述取代的芴基可以为选自下述结构中的任一个，但并不限定于此。在本说明书中，杂芳基是包含N、O和S中的1个以上作为杂原子的环基，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为2至40。根据一实施方式，上述杂芳基的碳原子数为2至30。根据另一实施方式，上述杂芳基的碳原子数为2至20。作为杂芳基的例子，有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、咔啉基、苊并喹喔啉基、茚并喹唑啉基、茚并异喹啉基、茚并喹啉基、吡啶并吲哚基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡啶基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthrolinyl)、异唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩嗪基、吩噻嗪基和二苯并呋喃基等，但不仅限于此。在本说明书中，亚芳基是指2价的芳基，除了是2价以外，可以适用上述关于芳基的说明。在本说明书中，亚杂芳基是指2价的杂芳基，除了是2价以外，可以适用上述关于杂芳基的说明。本专利技术的一实施方式提供由上述化学式1表示的化合物。由上述化学式1表示的化合物通过包含三嗪基，从而电子注入能力优异，通过包含稠合有至少1个苯环的二苯并呋喃，从而对电子的稳定性高。由上述化学式1表示的化合物通过在二苯并呋喃基中稠合有1个苯环(m1与m2之和为1)，从而与包含未稠合苯环的二苯并呋喃基(m1＝0，m2＝0)的化合物相比，化合物内电子迁移容易，对电子的稳定性高。在本说明书的一实施方式中，上述X为O。在本说明书的一实施方式中，上述X为S。在本说明书的一实施方式中，上述L1和L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由下述化学式1表示的化合物：/n化学式1/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180531 KR 10-2018-00623771.一种由下述化学式1表示的化合物：
化学式1



在所述化学式1中，
X为O、S或Se，
L1和L2彼此相同或不同，各自独立地为亚芳基，
Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为芳基，
m1和m2各自独立地为0或1，m1与m2之和为1，
n1为0至4的整数，n1为2以上时，L1彼此相同或不同，
n2为0至4的整数，n2为2以上时，L2彼此相同或不同。


2.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1由下述化学式2表示：
化学式2



在所述化学式2中，
X、L1、L2、Ar1、Ar2、n1和n2的定义与化学式1中的定义相同。


3.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1由下述化学式3表示：
化学式3



在所述化学式3中，
X、L1、L2、Ar1、Ar2、n1和n2的定义与化学式1中的定义相同。


4.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1由下述化学式2-A至化学式2-C中的任一个表示：
化学式2-A



化学式2-B



化学式2-C



在所述化学式2-A至化学式2-C中，
X、L1、L2、Ar1、Ar2、n1和n2的定义与化学式1中的定义相同。


5.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1由下述化学式3-A至化学式3-C中的任一个表示：
化学式3-A



化学式3-B



化学式3-C



在所述化学式3-A至化学式3-C中，
X、L1、L2、Ar1、Ar2、n1和n2的定义与化学式1中的定义相同。


6.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1由下述化学式4表示：
化学式4



在所述化学式4中，

【专利技术属性】
技术研发人员：尹洪植，洪玩杓，金振珠，李东勋，张焚在，郑珉祐，李征夏，韩修进，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR