一种组合式输入浪涌电流抑制电路制造技术

本发明专利技术的一种组合式输入浪涌电流抑制电路，能够抑制DC/DC开关电源硬开关接通瞬间的巨大输入浪涌电流，实现系统平稳供电。包括延迟启动控制电路单元、MOS管电流抑制通路单元、电阻电流抑制通路单元、DC/DC电源系统单元；所述MOS管电流抑制通路单元通过内部缓慢充电网络产生驱动信号，用于开启MOS管电流抑制通路单元内N型功率MOS管，MOS管电流抑制通路单元利用MOS管开启阶段时的阻抗参数来抑制输入浪涌电流；所述电阻电流抑制通路单元利用功率电阻的一定阻值来抑制DC/DC电源系统单元的输入浪涌电流；本发明专利技术采用了组合式的输入浪涌抑制电路，根据开关电源在启动时的浪涌电流特性进行针对性的分阶段组合抑制法，实现了开关电源输入浪涌电流的有效抑制。

【技术实现步骤摘要】
一种组合式输入浪涌电流抑制电路
本专利技术涉及DC/DC开关电源应用
，具体涉及一种组合式输入浪涌电流抑制电路。
技术介绍
DC/DC开关电源系统为整机提供二次供电，广泛应用于航天、航空、船舶、兵器、电子、铁路、通信、医疗电子、工业自动化设备等军民用电子系统中，其中整机系统的一次电源多为蓄电池供电，要为系统内的多个二次电源提供一次供电，蓄电池本身容量有限且对二次电源的输入浪涌电流有着严格的限制，而整机系统中对二次电源的功率开启控制多为硬开关方式，如空气开关、电磁继电器等，这样就造成了在硬开关接通，即一次电源供电的瞬间，蓄电池要给二次电源的输入电容充电，一次电源供电回路瞬间将会产生巨大的输入浪涌电流，会给蓄电池造成很大影响，严重时系统将无法完成供电。输入电流浪涌抑制电路可对此现象进行有效抑制，从而可实现开关电源硬开关启动时，蓄电池能够平稳供电。
技术实现思路
本专利技术提出的一种组合式输入浪涌电流抑制电路，能够抑制DC/DC开关电源硬开关接通瞬间的巨大输入浪涌电流，实现系统平稳供电，可适用于各种直流供电系统。为实现上述目的，本专利技术采用了以下技术方案：一种组合式输入浪涌电流抑制电路，包括：包括延迟启动控制电路单元、MOS管电流抑制通路单元、电阻电流抑制通路单元、DC/DC电源系统单元；其中，所述延迟启动控制电路单元的一端与MOS管电流抑制通路单元相连接，所述延迟启动控制电路单元的另一端与DC/DC电源系统单元的另一端相连接，所述延迟启动控制电路单元一端与电阻电流抑制通路单元的一端相连接；所述MOS管电流抑制通路单元一端与电阻电流抑制通路单元的一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元另一端也与延迟启动控制电路单元的另一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元一端与DC/DC电源系统单元的一端相连接，所述电阻电流抑制通路单元一端与DC/DC电源系统单元的一端相连接；所述电阻电流抑制通路单元一端与延迟启动控制电路单元的一端相连接；所述电阻电流抑制通路单元一端与MOS管电流抑制通路单元的一端相连接；所述延迟启动控制电路单元由输入Vin+对其间接供电，通过内部整流电路直接供电，延迟启动控制电路单元利用内部延迟电路产生的延迟控制信号，对DC/DC电源系统单元进行开启控制；所述MOS管电流抑制通路单元由输入Vin+对其供电，通过内部缓慢充电网络产生驱动信号，用于开启MOS管电流抑制通路单元内N型功率MOS管，MOS管电流抑制通路单元利用MOS管开启阶段时的阻抗参数来抑制输入浪涌电流；所述电阻电流抑制通路单元由功率电阻串联组成，电阻电流抑制通路单元利用功率电阻的一定阻值来抑制DC/DC电源系统单元的输入浪涌电流；所述DC/DC电源系统单元，根据延迟启动控制电路单元生成的开启控制信号，来执行DC/DC电源系统单元的输出电压建立及为后级系统提供二次供电。由上述技术方案可知，本专利技术的组合式输入浪涌电流抑制电路，可以实现DC/DC开关电源硬开关接通瞬间的输入浪涌电流抑制，实现系统平稳供电。本专利技术采用了组合式的输入浪涌抑制电路，根据开关电源在启动时的浪涌电流特性进行针对性的分阶段组合抑制法，实现了开关电源输入浪涌电流的有效抑制。本专利技术可广泛应用于各种型号的DC/DC开关电源前端，减少开关电源启动时因输入浪涌电流过大而造成的供电电源损坏，可带来显著的经济效益。附图说明图1是本专利技术的原理框图；图2是本专利技术的电路图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。本实施例的组合式输入浪涌电流抑制电路，用于DC/DC开关电源输入浪涌电流抑制，实现系统平稳供电。如图1所示，本实施例所述的组合式输入浪涌电流抑制电路，包括：延迟启动控制电路单元、MOS管电流抑制通路单元、电阻电流抑制通路单元、DC/DC电源系统单元。其中，所述延迟启动控制电路单元的一端与MOS管电流抑制通路单元相连接，所述延迟启动控制电路单元的另一端与DC/DC电源系统单元的另一端相连接，所述延迟启动控制电路单元一端与电阻电流抑制通路单元的一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元一端与电阻电流抑制通路单元的一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元另一端也与延迟启动控制电路单元的另一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元一端与DC/DC电源系统单元的一端相连接，所述电阻电流抑制通路单元一端与DC/DC电源系统单元的一端相连接；所述电阻电流抑制通路单元一端与延迟启动控制电路单元的一端相连接；所述电阻电流抑制通路单元一端与MOS管电流抑制通路单元的一端相连接；所述延迟启动控制电路单元由输入Vin+对其间接供电，通过内部整流电路直接供电，延迟启动控制电路单元利用内部延迟电路产生一定的延迟控制信号，对DC/DC电源系统单元进行开启控制；所述MOS管电流抑制通路单元由输入Vin+对其供电，通过内部缓慢充电网络产生驱动信号，用于开启MOS管电流抑制通路单元内N型功率MOS管，MOS管电流抑制通路单元利用MOS管开启阶段时的阻抗参数来抑制输入浪涌电流；所述电阻电流抑制通路单元由功率电阻串联组成，电阻电流抑制通路单元利用功率电阻的一定阻值来抑制DC/DC电源系统单元的输入浪涌电流；所述DC/DC电源系统单元，根据延迟启动控制电路单元生成的开启控制信号，来执行DC/DC电源系统单元的输出电压建立及为后级系统提供二次供电。本专利技术实施例的工作过程为：外在输入硬开关(类似于空气开关或继电器等)接通后，第一阶段电阻电流抑制通路单元发挥作用，用于抑制输入浪涌电流，此时MOS管电流抑制通路单元开始建立但尚未形成通路，此时延迟启动控制电路单元也开始建立但开启控制信号尚未形成；第二阶段电阻电流抑制通路单元发挥作用，用于抑制输入浪涌电流，此时MOS管电流抑制通路单元开始形成通路但未完全导通，此时延迟启动控制电路单元也开始建立但开启控制信号尚未形成；第三阶段MOS管电流抑制通路单元此时已完全导通，形成输入电流无障碍通道，此时电阻电流抑制通路单元被旁路，同时延迟启动控制电路单元开始建立控制信号并即将开启DC/DC电源系统单元；第四阶段MOS管电流抑制通路单元完全导通，此时形成输入电流无障碍通道，电阻电流抑制通路单元被旁路，延迟启动控制电路单元已发出控制信号并开启DC/DC电源系统单元；至此组合式输入浪涌抑制电路工作结束，进入稳态供电状态。具体的说，参见图2，所示为本专利技术的一种组合式输入浪涌电流抑制电路原理图。所述延迟启动控制电路单元包括电阻R5、R6、R7、R8、R9、R10，电容C3、C4、C5、C6、C7，稳压管二极管V3，供电三极管V4，时间延迟芯片N1，光电耦合器N2。电阻R5、R6两者相并联，稳压二极管V3、电容C3两者相并联，稳压二极管V3、电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合式输入浪涌电流抑制电路，包括延迟启动控制电路单元、MOS管电流抑制通路单元、电阻电流抑制通路单元、DC/DC电源系统单元；其特征在于：/n其中，/n所述延迟启动控制电路单元的一端与MOS管电流抑制通路单元相连接，所述延迟启动控制电路单元的另一端与DC/DC电源系统单元的另一端相连接，所述延迟启动控制电路单元一端与电阻电流抑制通路单元的一端相连接；/n所述MOS管电流抑制通路单元一端与电阻电流抑制通路单元的一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元另一端也与延迟启动控制电路单元的另一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元一端与DC/DC电源系统单元的一端相连接，所述电阻电流抑制通路单元一端与DC/DC电源系统单元的一端相连接；所述电阻电流抑制通路单元一端与延迟启动控制电路单元的一端相连接；所述电阻电流抑制通路单元一端与MOS管电流抑制通路单元的一端相连接；/n所述延迟启动控制电路单元由输入Vin+对其间接供电，通过内部整流电路直接供电，延迟启动控制电路单元利用内部延迟电路产生的延迟控制信号，对DC/DC电源系统单元进行开启控制；/n所述MOS管电流抑制通路单元由输入Vin+对其供电，通过内部缓慢充电网络产生驱动信号，用于开启MOS管电流抑制通路单元内N型功率MOS管，MOS管电流抑制通路单元利用MOS管开启阶段时的阻抗参数来抑制输入浪涌电流；/n所述电阻电流抑制通路单元由功率电阻串联组成，电阻电流抑制通路单元利用功率电阻的一定阻值来抑制DC/DC电源系统单元的输入浪涌电流；/n所述DC/DC电源系统单元，根据延迟启动控制电路单元生成的开启控制信号，来执行DC/DC电源系统单元的输出电压建立及为后级系统提供二次供电。/n...

【技术特征摘要】
1.一种组合式输入浪涌电流抑制电路，包括延迟启动控制电路单元、MOS管电流抑制通路单元、电阻电流抑制通路单元、DC/DC电源系统单元；其特征在于：
其中，
所述延迟启动控制电路单元的一端与MOS管电流抑制通路单元相连接，所述延迟启动控制电路单元的另一端与DC/DC电源系统单元的另一端相连接，所述延迟启动控制电路单元一端与电阻电流抑制通路单元的一端相连接；
所述MOS管电流抑制通路单元一端与电阻电流抑制通路单元的一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元另一端也与延迟启动控制电路单元的另一端相连接，所述MOS管电流抑制通路单元一端与DC/DC电源系统单元的一端相连接，所述电阻电流抑制通路单元一端与DC/DC电源系统单元的一端相连接；所述电阻电流抑制通路单元一端与延迟启动控制电路单元的一端相连接；所述电阻电流抑制通路单元一端与MOS管电流抑制通路单元的一端相连接；
所述延迟启动控制电路单元由输入Vin+对其间接供电，通过内部整流电路直接供电，延迟启动控制电路单元利用内部延迟电路产生的延迟控制信号，对DC/DC电源系统单元进行开启控制；
所述MOS管电流抑制通路单元由输入Vin+对其供电，通过内部缓慢充电网络产生驱动信号，用于开启MOS管电流抑制通路单元内N型功率MOS管，MOS管电流抑制通路单元利用MOS管开启阶段时的阻抗参数来抑制输入浪涌电流；
所述电阻电流抑制通路单元由功率电阻串联组成，电阻电流抑制通路单元利用功率电阻的一定阻值来抑制DC/DC电源系统单元的输入浪涌电流；
所述DC/DC电源系统单元，根据延迟启动控制电路单元生成的开启控制信号，来执行DC/DC电源系统单元的输出电压建立及为后级系统提供二次供电。


2.根据权利要求1所述的组合式输入浪涌电流抑制电路，其特征在于：所述延迟启动控制电路单元包括电阻R5、R6、R7、R8、R9、R10，电容C3、C4、C5、C6、C7，稳压管二极管V3，供电三极管V4，时间延迟芯片N1，光电耦合器N2；
电阻R5、R6两者相并联，稳压二极管V3、电容C3两者相并联，稳压二极管V3、电容C3两者相并联的一端与电阻R5、R6两者相并联的一端以及供电三极管V4的基极相连接，稳压二极管V3、电容C3两...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿仁宝，何丽，张恒辉，王晓东，孙国强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十三研究所，
类型：发明
国别省市：安徽;34