本发明专利技术公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明专利技术不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
【技术实现步骤摘要】
一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法
本专利技术属于半导体制造
，特别涉及一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法。
技术介绍
现有的一些半导体器件需要以非对称扩散掺杂后的硅片为原料进行制造。目前，对硅片进行非对称扩散掺杂时，一般是先利用杂质源对硅片的两面完成对称扩散掺杂，然后再以机械去除或化学去除(如，化学腐蚀)的方式对其中一面的杂质进行去除，实现非对称扩散掺杂。现有技术中，实现非对称扩散掺杂的工序复杂，效率低。因此，如何简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率成为了一个亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题之一是如何简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。为了解决上述技术问题，本申请的实施例首先提供了一种硅片承载装置，其包括：第一体，其具有第一内壁，所述第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个所述平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及固定连接两个所述侧壁的连接体，两个所述侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与所述第一容纳槽对应的第二容纳槽；所述第一体和第二体被配置为：当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶以及所述第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配，两个所述侧壁能够分别在两个所述平台上进行滑动以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离。优选地，所述第一内壁以及所述两个侧壁呈弧形，当所述第二体嵌入所述第一体内时，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第二容纳槽的槽底和槽顶共圆。优选地，所述第一体还包括从两个所述平台分别沿远离所述第一容纳槽延伸的两个延伸部，两个所述延伸部具有分别与两个所述侧壁的外壁面配合的两个第二内壁。优选地，所述第一体还包括分别与两个所述第二内壁的远离所述第一容纳槽的一侧连接的两个突出部，两个所述突出部分别突出于两个所述第二内壁。优选地，两个所述突出部上沿径向设置有多个与所述第一容纳槽对应的第三容纳槽，当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶以及所述第三容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配。优选地，所述第一容纳槽、所述第二容纳槽和所述第三容纳槽的槽宽相同；多个所述第一容纳槽中的任意相邻两个所述第一容纳槽之间的间距相同。优选地，所述第一内壁、所述两个第二内壁以及所述两个侧壁呈弧形，当所述第二体嵌入所述第一体内时，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第二容纳槽的槽底和槽顶共圆，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第三容纳槽的槽底和槽顶共圆。优选地，所述第一体上设置有第一锁紧部件，所述第二体上设置有与所述第一锁紧部件配合的第二锁紧部件，当两个所述侧壁分别在两个所述平台上滑动使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离时，所述第一锁紧部件和所述第二锁紧部件配合使两个所述侧壁和两个所述平台不能相互滑动。优选地，所述第一体和所述第二体的材质为硅、石英或碳化硅。本专利技术实施例还提供了一种非对称扩散掺杂方法，其包括：将硅片进行清洗并烘干；将烘干后的硅片放置在上述硅片承载装置中，其中，两片硅片放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽中；移动具有第一容纳槽的第一体和具有第二容纳槽的第二体，以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离；将放置硅片的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中，并对密闭腔体加热以实现对硅片的非对称扩散掺杂。优选地，上述非对称扩散掺杂方法还包括：在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，对错开预定距离的第一体和第二体进行锁定，以防止所述第一体和所述第二体之间的相对滑动。优选地，所述杂质源为铝源、镓源、硼源或磷源。优选地，上述非对称扩散掺杂方法还包括：在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中的其中一片硅片替换为遮挡片；或，在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中间增加放置至少一片耐高温片；或，在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中间增加放置一片石英片或硅片。优选地，移动具有第一容纳槽的第一体和具有第二容纳槽的第二体，以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离，包括：对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离时，所述第一容纳槽和所述第二容纳槽与放置在对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽中的两片硅片的接触方式为点接触或面接触。优选地，还包括：在对硅片的非对称扩散掺杂过程中，调整所述第一容纳槽和所述第二容纳槽之间的预定压力。与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：应用本专利技术的硅片承载装置，第二体的两个侧壁分别位于两个平台上能够使多个第一容纳槽和多个第二容纳槽分别对应，对应的第一容纳槽和第二容纳槽能够拼接起来容纳硅片，当滑动两个侧壁时，对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离，从而对应的第一容纳槽和第二容纳槽里的硅片受到第一容纳槽中的一个槽壁和第二容纳槽的一个槽壁的挤压。如果对应的第一容纳槽和第二容纳槽里设置两片硅片时，两片硅片的相对的两个面紧贴在一起，紧贴在一起的面称为接触面，硅片的另外一个面称为非接触面，将放置硅片的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中并对密闭腔体加热，接触面扩散掺杂的杂质少于非接触面扩散掺杂的杂质，从而可以实现硅片的非对称扩散掺杂。不需要先进行对称扩散掺杂，也不需要对完成对称扩散掺杂的硅片的其中一面进行机械去除或化学去除，能够简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。本专利技术的其他优点、目标，和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本专利技术的实践中得到教导。本专利技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书，权利要求书，以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本申请的技术方案或现有技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分。其中，表达本申请实施例的附图与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，但并不构成对本申请技术方案的限制。图1是根据本专利技术一实施例的硅片承载装置的第一体和第二体分离时的结构示意图；图2是根据本专利技术一实施例的硅片承载装置的第一体和第二体结合时的结构示意图，其中，硅片设置在硅片承载装置内；图3是根据本专利技术一实施例的硅片承载装置内的两片硅片受力区域的示意图；图4是根据本专利技术一实施例的非对称扩散掺杂方法的流程图。附图标记说明1-第一体；2-第一内壁；3-平台；4-第一容纳槽；5-第二体；6-侧壁；7-连接体；8-第二容纳槽；9-延伸部；10-第二内壁；11-突出部；12-第三容纳槽；13-硅片。...
【技术保护点】
1.一种硅片承载装置，其特征在于，包括：/n第一体，其具有第一内壁，所述第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个所述平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及/n第二体，其包括两个侧壁以及固定连接两个所述侧壁的连接体，两个所述侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与所述第一容纳槽对应的第二容纳槽；/n所述第一体和第二体被配置为：当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶以及所述第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配，两个所述侧壁能够分别在两个所述平台上进行滑动以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离。/n
【技术特征摘要】
1.一种硅片承载装置，其特征在于，包括：
第一体，其具有第一内壁，所述第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个所述平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及
第二体，其包括两个侧壁以及固定连接两个所述侧壁的连接体，两个所述侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与所述第一容纳槽对应的第二容纳槽；
所述第一体和第二体被配置为：当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶以及所述第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配，两个所述侧壁能够分别在两个所述平台上进行滑动以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离。
2.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一内壁以及所述两个侧壁呈弧形，当所述第二体嵌入所述第一体内时，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第二容纳槽的槽底和槽顶共圆。
3.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一体还包括从两个所述平台分别沿远离所述第一容纳槽延伸的两个延伸部，两个所述延伸部具有分别与两个所述侧壁的外壁面配合的两个第二内壁。
4.根据权利要求3所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一体还包括分别与两个所述第二内壁的远离所述第一容纳槽的一侧连接的两个突出部，两个所述突出部分别突出于两个所述第二内壁。
5.根据权利要求4所述的硅片承载装置，其特征在于，两个所述突出部上沿径向设置有多个与所述第一容纳槽对应的第三容纳槽，当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶、所述第二容纳槽的槽底和槽顶、以及所述第三容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配。
6.根据权利要求5所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一容纳槽、所述第二容纳槽和所述第三容纳槽的槽宽相同；多个所述第一容纳槽中的任意相邻两个所述第一容纳槽之间的间距相同。
7.根据权利要求5所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一内壁、所述两个第二内壁以及所述两个侧壁呈弧形，当所述第二体嵌入所述第一体内时，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第二容纳槽的槽底和槽顶共圆，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第三容纳槽的槽底和槽顶共圆。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一体上设置有第一锁紧部件，所述第二体上设置有与所述第一锁紧部件配合的第二锁紧...
【专利技术属性】
技术研发人员：高军，朱为为，操国宏，银登杰，唐革，李勇，刘军，王政英，王东东，
申请(专利权)人：株洲中车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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