存储器装置与其编程方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器装置与其编程方法，该存储器装置(memory device)包括存储单元阵列(memory cell array)和存储器控制器(memory controller)。存储单元阵列包括多个存储区块(memory blocks)。各这些存储区块包括多条字线(Word lines)。多个记忆块(memory chunks)耦接到这些字线的至少其中之一。存储器控制器架构成通过执行块操作(chunk operation)将数据编程至多个记忆块的特定记忆块(particular memory chunk)，该块操作包括从多条字线中选择特定字线(particular word line)，从耦接到特定字线的多个记忆块中选择特定记忆块，并将编程电压施加到对应于特定记忆块的特定存储区块(particular memory block)，以将数据编程到特定记忆块。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置与其编程方法
本专利技术是有关于一种存储器装置(memorydevice)，特别是涉及将数据编程到存储器装置中的存储单元(memorycell)。
技术介绍
在编程周期(programmingcycle)期间，通过施加一组电压来编程存储单元。特别是，为将数据编程到高密度存储器装置(high-densitymemorydevice)(例如高密度NAND快闪存储器装置(high-densityNANDflashmemorydevice)或NOR快闪存储器装置(NORflashmemorydevice))，在适当周期(suitableperiods)的不同时序(timings)中施加不同电平(levels)的电压至存储器装置。
技术实现思路
本专利技术描述了将数据编程(program)到存储器装置(memorydevice)中的存储单元(memorycell)的技术。特别是在存储器控制器(memorycontroller)将多级数据(multi-leveldata)编程到存储区块(memoryblocks)中的多个记忆块(memorychunks)的情况下，记忆块之间会发生干扰(disturbance)。此外，在存储区块具有磨损(wear-out)或损坏(broken)状态的情况下，存储区块更容易有干扰问题。如果记忆块之间存在干扰，则存储器控制器无法正确地将数据编程到特定记忆块(particularmemorychunk)。因此，干扰会导致存储器装置中的可靠性(reliability)问题。此外，在存储器装置需要高可靠性(highreliability)的情况下(例如存储器装置用于通信设备)，应该避免有干扰问题，以确保一定程度的可靠性。本专利技术技术可以减少或基本上消除发生于存储器装置中的干扰问题。特别是，存储器控制器获得关于存储区块错误率的数据，并确定存储器控制器执行哪种编程操作。例如在存储区块具有高错误率的情况下，存储器控制器可以执行单脉冲编程操作(one-shotprogrammingoperations)，以避免干扰。另一方面，在存储区块具有低错误率的情况下，存储器控制器可以执行多级编程操作(multi-levelprogrammingoperations)，以提高编程操作的效率。因此，该技术可在不降低存储器装置效率的前提下来提高存储器装置的可靠性。一般来说，本说明书所描述技术可以实施于存储器装置，该存储器装置包含存储单元阵列(memorycellarray)和存储器控制器。存储单元阵列包括多个存储区块。各存储区块包括多条字线(wordlines)。多个记忆块耦接到这些字线的至少其中之一。存储器控制器架构成通过执行块操作(chunkoperation)将数据编程至多个记忆块的特定记忆块，该块操作包括从多条字线中选择特定字线(particularwordline)，从耦接到特定字线的多个记忆块中选择特定记忆块，并将编程电压施加到对应于特定记忆块的特定存储区块(particularmemoryblock)，以将数据编程到特定记忆块。上述和其他实施方式可以各自选择性地(optionally)单独(alone)或组合(combination)包括以下技术特征中的一或多个。特别是，亦可有一种实施方式包括以下所有特征的组合。存储器控制器可以架构成依序(sequentially)从多条字线中选择特定字线。存储器控制器可架构成依序从多个记忆块中选择特定记忆块。存储器控制器可架构成随机地(randomly)从多条字线中选择特定字线。存储器控制器可架构成随机地从多个记忆块中选择特定记忆块。存储器控制器可架构成通过提供12V和26V之间的编程电压，以对特定存储区块执行块操作。存储器装置可以包括侦错电路(errordetectioncircuit)，该侦错电路架构成探测发生于特定存储区块的一或多个错误，并产生错误率。当错误率满足阈值(thresholdvalue)时，存储器控制器可以架构成执行块操作。存储器装置可包括多条位线(bitlines)，各这些位线分别耦接到多个记忆块的一或多个记忆块。在块操作的单一周期(singlecycle)期间，存储器控制器可以架构成执行块操作至这些位线的一位线中的单一记忆块(singlememorychunk)。本说明书所描述技术可以实施于存储器装置，该存储器装置包括存储单元阵列、侦错电路和存储器控制器。存储单元阵列包括多个存储区块。各这些存储区块包括多条字线。多个记忆块耦接到这些字线的至少其中之一。侦错电路架构成探测发生于存储区块的一或多个错误，并产生错误率。存储器控制器架构成通过包括从侦错电路所获得的错误率的操作执行来将数据编程到多个记忆块的特定记忆块。当错误率满足阈值时，存储器控制器决定特定存储区块的状态。根据特定存储区块的状态，存储器控制器从第一编程操作(firstprogrammingoperation)和第二编程操作(secondprogrammingoperation)之间决定执行哪种编程操作，以及对特定存储区块执行已决定的编程操作。上述和其他实施方式可以各自选择性地单独或组合包括以下特征中的一个或多个。特别是一种实施方式包括以下所有特征的组合。第一编程操作可以包括从多条字线中选择特定字线，从耦接到特定字线的多个记忆块中选择特定记忆块，并将编程电压施加到特定存储区块，以将数据编程到特定记忆块。第二编程操作可以包括选择特定存储区块中的一或多个第一记忆块、施加第一编程电压到特定存储区块来同时将数据编程到一或多个第一记忆块，选择特定存储区块中的一或多个第二记忆块，以及将施加第二编程电压到特定存储区块来同时将数据编程到一或多个第二记忆块。本说明书所描述技术可以用一方法来实施，在编程周期(programmingcycle)期间，由存储器控制器来编程一或多个存储器装置的存储单元。该方法包括由存储器控制器从存储器装置的存储单元阵列中的多个存储区块的特定存储区块所包括的多条字线中选择特定字线，其中多个记忆块耦接到这些字线的至少其中之一。存储器控制器从耦接到特定字线的多个记忆块中选择特定记忆块。存储器控制器施加编程电压至对应于特定记忆块的特定存储区块，以将数据编程到特定记忆块。上述和其他实施方式可以各自单独或组合地选择包括以下特征中的一个或多个。特别是一种实施方式包括以下所有特征的组合。选择特定字线可以包括依序从多条字线中选择特定字线。选择特定记忆块可以包括依序从多个记忆块中选择特定记忆块。选择特定字线可以包括随机地从多条字线中选择特定字线。选择特定记忆块可以包括随机地从多个记忆块中选择特定记忆块。施加的编程电压可以包括提供12V和26V之间的编程电压。该方法可以包括用于存储器装置中的侦错电路来探测发生于特定存储区块的一或多个错误。回应于所探测的一或多个错误，侦错电路可以产生错误率。在错误率满足阈值时，存储器控制器可以施加编程电压至对应于特定记忆块的特定存储区块，以将数据编程到特定记忆块。在编程周期期间，从多个记忆块中所选择的特定记忆块可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：/n一存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储区块，其中各这些存储区块包括多条字线，其中多个记忆块耦接到这些字线的至少其中之一；以及/n一存储器控制器，该存储器控制器架构成通过执行一块操作来将数据编程到这些记忆块的一特定记忆块，该块操作包括：/n从多条字线中选择一特定字线；/n从耦接到该特定字线的这些记忆块中选择该特定记忆块；以及/n将一编程电压施加到对应于该特定记忆块的一特定存储区块，以将数据编程到该特定存储区块。/n

【技术特征摘要】
20190221 US 16/281,2581.一种存储器装置，包括：
一存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储区块，其中各这些存储区块包括多条字线，其中多个记忆块耦接到这些字线的至少其中之一；以及
一存储器控制器，该存储器控制器架构成通过执行一块操作来将数据编程到这些记忆块的一特定记忆块，该块操作包括：
从多条字线中选择一特定字线；
从耦接到该特定字线的这些记忆块中选择该特定记忆块；以及
将一编程电压施加到对应于该特定记忆块的一特定存储区块，以将数据编程到该特定存储区块。


2.如权利要求1所述的装置，其中该存储器控制器架构成依序从这些字线中选择该特定字线。


3.如权利要求1所述的装置，其中该存储器控制器架构成依序从这些记忆块中选择该特定记忆块。


4.如权利要求1所述的装置，其中该存储器控制器架构成随机地从这些字线中选择该特定字线。


5.如权利要求1所述的装置，其中该存储器控制器架构成随机地从这些记忆块中选择该特定记忆块。


6.如权利要求1所述的装置，其中该存储器控制器架构成通过提供介于12V与26V之间的该编程电压，以对该特定存储区块执行该块操作。


7.如权利要求1所述的装置，还包括：
一侦错电路，该侦错电路架构成探测在该特定存储区块所发生的一或多个错误，并产生一错误率；
其中在该错误率满足一阈值时，该存储器控制器架构成执行该块操作。


8.如权利要求1所述的装置，还包括：
多条位线，各这些位线分别耦接到这些记忆块的一或多个记忆块；
其中在该块操作的一单一周期内，该存储器控制器架构成对这些位线的一位线中的一单一记忆块执行该块操作。


9.一种存储器装置，包括：
一存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储区块，其中各这些存储区块包括多条字线，多个记忆块耦接到这些字线的至少其中之一；
一侦错电路，该侦错电路架构成探测在该特定存储区块所发生的一或多个错误，并产生一错误率；以及
一存储器控制器，该存储器控制器架构成通过执行多个操作来将数据编程到这些记忆块的一特定记忆块，这些操作包括：
从该侦错电路获得该错误率；
当该错误率满足一阈值时，决定一特定存储区块的一状态；
根据该特定存储区块的该状态，在一第一编程操作和一第二编程操作之间决定执行哪种编程操作；以及
对该特定存储区块执行所决定的该编程操作。


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【专利技术属性】
技术研发人员：刘亦峻，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71