一种IGBT驱动电路的隔离电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT驱动电路的隔离电源，包括光伏效应驱动光耦OP1、限流电阻Rf、平滑电容Co、稳压管Zo、限流电阻Ro和驱动器U1，光伏效应驱动光耦OP1输入侧为LED光源，光伏效应驱动光耦OP1一侧设有pin1、pin2、pin3和pin4四组引脚，另一侧设有pin5、pin6、pin7和pin8四组引脚，限流电阻Rf一端与输入信号正极Vin电连接，另一端与pin2电连接，pin5和pin7之间电连接有输出滤波电容Co，稳压管Zo负极与pin5电连接；本实用新型专利技术采用光伏效应驱动光耦，占用空间很小，在设计上也不需要额外的抗震措施，通过与滤波电容，稳压二极管的配合为IGBT驱动器提供稳定可靠的电源，电源采用的是光隔离技术，不存在高频电磁辐射的问题，也不会受到空间电磁信号的干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT驱动电路的隔离电源
本技术涉及IGBT驱动电路
，具体为一种IGBT驱动电路的隔离电源。
技术介绍
I0BT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。如图1所示，是一个现有技术中常用的IGBT驱动电路，上部框内的部分是该电路的电源部分-反激式隔离电源，给驱动器U1提供隔离电源VCC2；图中X1是反激变压器，SW是反激电源PWM控制信号，一般由驱动芯片U1提供；C1为输入滤波电容，跨接在输入电源正、负极之间；D1为稳压管，D2为快恢复二极管，D1，D2串接在变压器X1的初级线圈两端；D3是输出整流二极管，D3正极接变压器X1的次级线圈一端，D3负极与输出滤波电容C1及输出侧稳压管D4负极接在一起构成电源VCC2的正极点，C1的另一侧接VCC2的负极，电阻R4与D4串联接在VCC2的正、负极之间。在图1中，电源信号VCC2的稳定平滑对整个驱动电路的正常运行很重要，采用变压器X1来构成隔离电源的缺陷是：变压器是磁性器件，工作在高频开关状态，会产生电磁辐射(EMI)，变压器自身的输出也容易受到周围电磁环境的影响，导致次级电源VCC2存在波动。另一方面变压器占用空间较大，在汽车等移动终端里抗震动能力有限，或者需要额外的固定措施。基于此，本技术设计了一种IGBT驱动电路的隔离电源，以解决上述提到的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种IGBT驱动电路的隔离电源，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种IGBT驱动电路的隔离电源，包括光伏效应驱动光耦OP1、限流电阻Rf、平滑电容Co、稳压管Zo、限流电阻Ro和驱动器U1，所述光伏效应驱动光耦OP1输入侧为LED光源，所述光伏效应驱动光耦OP1一侧从上至下依次设有pin1、pin2、pin3和pin4四组引脚，另一侧从下至上依次设有pin5、pin6、pin7和pin8四组引脚，所述pin2为LED正极，所述pin3为LED负极，所述限流电阻Rf一端与输入信号正极Vin电连接，另一端与pin2电连接，所述pin3电连接输入侧地信号GND1，所述pin5和pin7之间电连接有输出滤波电容Co，所述稳压管Zo负极与pin5电连接，所述稳压管Zo正极与限流电阻Ro串接，所述限流电阻Ro的另一端与次级电源VCC2的地GND2电连接。优选的，所述pin1和pin4均为悬空引脚。优选的，所述pin6和pin8均为悬空引脚。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术采用光伏效应驱动光耦，光伏效应驱动光耦的大小只是一个SO-8封装的IC，占用空间很小，在设计上也不需要额外的抗震措施，通过与滤波电容，稳压二极管的配合为IGBT驱动器提供稳定可靠的电源；电源采用的是光隔离技术，不存在高频电磁辐射的问题，也不会受到空间电磁信号的干扰，同时自身的过滤共模干扰的能力也很强。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术电路示意图；图2为本技术电路示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图2，本技术提供一种IGBT驱动电路的隔离电源技术方案：一种IGBT驱动电路的隔离电源，包括光伏效应驱动光耦OP1、限流电阻Rf、平滑电容Co、稳压管Zo、限流电阻Ro和驱动器U1，所述光伏效应驱动光耦OP1输入侧为LED光源，所述光伏效应驱动光耦OP1一侧从上至下依次设有pin1、pin2、pin3和pin4四组引脚，另一侧从下至上依次设有pin5、pin6、pin7和pin8四组引脚，所述pin2为LED正极，所述pin3为LED负极，所述限流电阻Rf一端与输入信号正极Vin电连接，另一端与pin2电连接，所述pin3电连接输入侧地信号GND1，当流过光伏效应驱动光耦OP1的输入侧电流Iin＝Vin/Rf达到LED的额定值并稳定以后，输出侧Pin5(Vo+)与Pin7(Vo-)之间会输出一个稳定的电压值Vo，所述pin5和pin7之间电连接有输出滤波电容Co，所述稳压管Zo负极与pin5电连接，所述稳压管Zo正极与限流电阻Ro串接，所述限流电阻Ro的另一端与次级电源VCC2的地GND2电连接，Vo-就是次级电源VCC2的地，Vo+即是VCC2的正极。其中，所述pin1和pin4均为悬空引脚；所述pin6和pin8均为悬空引脚。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。以上公开的本技术优选实施例只是用于帮助阐述本技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本技术。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT驱动电路的隔离电源，其特征在于：包括光伏效应驱动光耦OP1、限流电阻Rf、平滑电容Co、稳压管Zo、限流电阻Ro和驱动器U1，所述光伏效应驱动光耦OP1输入侧为LED光源，所述光伏效应驱动光耦OP1一侧从上至下依次设有pin1、pin2、pin3和pin4四组引脚，另一侧从下至上依次设有pin5、pin6、pin7和pin8四组引脚，所述pin2为LED正极，所述pin3为LED负极，所述限流电阻Rf一端与输入信号正极Vm电连接，另一端与pin2电连接，所述pin3电连接输入侧地信号GND1，所述pin5和pin7之间电连接有输出滤波电容Co，所述稳压管Zo负极与pin5电连接，所述稳压管Zo正极与限流电阻Ro串接，所述限流电阻Ro的另一端与次级电源VCC2的地GND2电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动电路的隔离电源，其特征在于：包括光伏效应驱动光耦OP1、限流电阻Rf、平滑电容Co、稳压管Zo、限流电阻Ro和驱动器U1，所述光伏效应驱动光耦OP1输入侧为LED光源，所述光伏效应驱动光耦OP1一侧从上至下依次设有pin1、pin2、pin3和pin4四组引脚，另一侧从下至上依次设有pin5、pin6、pin7和pin8四组引脚，所述pin2为LED正极，所述pin3为LED负极，所述限流电阻Rf一端与输入信号正极Vm电连接，另一端与pin2电连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏军，
申请(专利权)人：深圳市新蕾电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44