一种晶圆移送装置及半导体生产线制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆移送装置及半导体生产线。该晶圆移送装置包括：装置架、送风结构、气帘结构以及排气结构；送风结构与排气结构之间形成用于移送晶圆的移送通道；气帘结构设置于移送通道上以在晶圆通过时收集晶圆表面的残留气体并将残留气体输送到排气结构。该晶圆移送装置通过送风结构、排气结构在装置架内形成排气的大环境，通过气帘结构可以有效去除晶圆表面残留的残留气体并将残留气体收集输送到排气结构排出，同时防止其他气体附着到晶圆表面，有效抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆移送装置及半导体生产线
本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种晶圆移送装置及半导体生产线。
技术介绍
半导体制造工艺中，晶圆需要在晶圆移送装置、真空装置以及工艺装置之间进行移送，若晶圆在上一工艺过程中接触了工艺气体，晶圆表面常常会残留上一工艺的工艺气体，而晶圆移送装置处于大气环境，这些工艺气体和大气里包含的氧气或水分发生反应可能产生氧化物，导致晶圆图案不良或装置内部被污染，更为严重的，若残余的工艺气体和水分发生反应形成腐蚀物质，则可能使晶圆图案腐蚀甚至装置内部部件腐蚀，缩短装置的使用寿命，降低半导体生产率。目前的晶圆移送装置的排气只能通过晶圆移送装置上方的送风部以及装置下方的排气部调节排气压力，排气速度不够迅速，不能灵活调节排气压力进行主动排气，晶圆表面残留的有害气体依旧存在损害装置结构的可能。如果采用安装自上而下喷射惰性气体的喷嘴以去除晶圆表面的残余气体或采用惰性环境的晶圆移送装置，则需要花费大量财力维护相关设备，存在成本较高的问题。
技术实现思路
本技术公开了一种晶圆移送装置及半导体生产线，用于去除晶圆表面残留的工艺气体同时防止其他气体附着到晶圆表面，以抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害。为达到上述目的，本技术提供以下技术方案：一种晶圆移送装置，包括：装置架、送风结构、气帘结构以及排气结构；所述送风结构设置于所述装置架的顶部，所述排气结构设置于所述装置架的底部，所述送风结构与所述排气结构之间形成用于移送晶圆的移送通道；所述气帘结构设置于所述移送通道上以在所述晶圆通过时收集所述晶圆表面的残留气体并将所述残留气体输送到所述排气结构。上述晶圆移送装置通过气帘结构将晶圆表面的残留气体去除并收集输送到排气结构；而装置架顶部的送风结构配合装置架底部的排气结构能够形成自上而下的气流以将装置架内可能存在的残留气体输送到排气结构，最后排气结构将所有的残留气体排出到外部。可以看出，本技术提供的晶圆移送装置通过送风结构、排气结构在装置架内形成排气的大环境，通过气帘结构可以有效去除晶圆表面残留的残留气体并将残留气体收集输送到排气结构排出，同时防止其他气体附着到晶圆表面，有效抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害，延长设备的使用寿命，提高产品合格率。可选地，所述气帘结构包括环形框架、供气组件、排气组件以及用于控制所述供气组件和所述排气组件的控制箱；所述环形框架设置于所述移送通道且与所述晶圆的移送方向垂直以使所述晶圆穿过所述环形框架，所述环形框架的内形成有开口朝向所述开口槽；所述环形框架上设置有与所述供气组件相连通的喷嘴，用于在所述晶圆穿过所述环形框架时向所述晶圆喷洒惰性气体或压缩气体以驱使所述晶圆表面的残留气体落入所述开口槽内；所述环形框架上还设置有与所述排气组件连通的排气口，所述排气口与所述开口槽连通，所述排气组件与所述排气结构连通。可选地，所述供气组件包括设置于所述控制箱内的气体输送器以及连通所述喷嘴与所述气体输送器的供气管道；所述控制箱上设置有与所述气体输送器连通的供气口。可选地，所述供气组件还包括加热器，所述加热器设置于所述供气管道上。可选地，所述供气组件还包括过滤器，所述过滤器设置于所述加热器与所述喷嘴之间的所述供气管道上。可选地，所述喷嘴包括上下对称设置于所述环形框架的两个第一喷嘴组以及左右对称设置于所述环形框架的两个第二喷嘴组；两个所述第一喷嘴组的喷气方向朝向所述开口槽，用于向穿过所述环形框架的晶圆喷洒惰性气体或压缩气体以将所述晶圆表面的残留气体吹入所述开口槽；两个所述第二喷嘴组的喷气方向垂直于所述晶圆的移送方向，用于喷洒惰性气体或压缩气体以形成气帘墙。可选地，每个所述第一喷嘴组包括与所述供气组件连通的第一进气口以及第一喷嘴，所述第一喷嘴具有垂直于所述晶圆移送方向的长条形喷气口；每个所述第二喷嘴组包括与所述供气组件连通第二进气口以及第二喷嘴，所述第二喷嘴具有垂直于所述晶圆移送方向的长条形喷气口。可选地，所述排气组件包括排气泵以及排气管道；所述排气管道的一端连通所述排气口，另一端连通所述排气泵；所述排气泵与所述排气结构连通。可选地，所述排气结构包括收集箱以及底座；所述收集箱形成有用于进气的进气栅网以及用于排出气体的第一排气管；所述底座上形成有与外部排气装置连通的第二排气管，所述第二排气管通过第一收集口与所述第一排气管连通并通过第二收集口与所述气帘结构连通。一种半导体生产线，包括真空装置以及如上述技术方案提供的任一种所述的晶圆移送装置。附图说明图1为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置的左视图；图4为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置在主视视角气体流向示意图；图5为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置在左视视角气体流向示意图；图6为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置中气帘结构的结构示意图；图7为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置中气帘结构的环形框架的结构示意图；图8为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置中气帘结构的环形框架的剖面结构示意图；图9为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置中排气结构的结构示意图；图10为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置中排气结构的结构示意图；图11为本技术实施例提供的一种晶圆移送装置中气帘结构和排气结构的结构示意图。附图标记：1-装置架；11-机械手；12-机械手保护盖；2-送风结构；3-气帘结构；31-环形框架；311-开口槽；32a-第一喷嘴组；321-第一进气口；322-第一喷嘴；32b-第二喷嘴组；323-第二进气口；324-第二喷嘴；33-排气口；34-控制箱；341-第一供气口；342-第二供气口；351-供气管道；3511-加热器；3512-过滤器；361-排气泵；4-排气结构；41-收集箱；411-进气栅网；411a-上冲孔板；411b-下冲孔板；411c-正面冲孔板；412-第一排气管；42-底座；421-第二排气管；4211-第一收集口；4212-第二收集口；422-备用排气管。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1或图2所示，本技术实施例提供了一种晶圆移送装置，该晶圆移送装置包括装置架1、送风结构2、气帘结构3以及排气结构4；具体地，送风结构2设置于装置架1的顶部，对应地，排气结构4设置于装置架1的底部，送风结构2与排气结构4之间形成用于移送晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆移送装置，其特征在于，包括：装置架、送风结构、气帘结构以及排气结构；/n所述送风结构设置于所述装置架的顶部，所述排气结构设置于所述装置架的底部，所述送风结构与所述排气结构之间形成用于移送晶圆的移送通道；/n所述气帘结构设置于所述移送通道上以在所述晶圆通过时收集所述晶圆表面的残留气体并将所述残留气体输送到所述排气结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆移送装置，其特征在于，包括：装置架、送风结构、气帘结构以及排气结构；
所述送风结构设置于所述装置架的顶部，所述排气结构设置于所述装置架的底部，所述送风结构与所述排气结构之间形成用于移送晶圆的移送通道；
所述气帘结构设置于所述移送通道上以在所述晶圆通过时收集所述晶圆表面的残留气体并将所述残留气体输送到所述排气结构。


2.根据权利要求1所述的晶圆移送装置，其特征在于，所述气帘结构包括环形框架、供气组件、排气组件以及用于控制所述供气组件和所述排气组件的控制箱；
所述环形框架设置于所述移送通道且与所述晶圆的移送方向垂直以使所述晶圆穿过所述环形框架，所述环形框架的内侧形成有开口槽；
所述环形框架上设置有与所述供气组件相连通的喷嘴，用于在所述晶圆穿过所述环形框架时向所述晶圆喷洒惰性气体或压缩气体以驱使所述晶圆表面的残留气体落入所述开口槽内；
所述环形框架上还设置有与所述排气组件连通的排气口，所述排气口与所述开口槽连通，所述排气组件与所述排气结构连通。


3.根据权利要求2所述的晶圆移送装置，其特征在于，所述喷嘴包括上下对称设置于所述环形框架的两个第一喷嘴组以及左右对称设置于所述环形框架的两个第二喷嘴组；
两个所述第一喷嘴组的喷气方向朝向所述开口槽，用于向穿过所述环形框架的晶圆喷洒惰性气体或压缩气体以使所述晶圆表面的残留气体落入所述开口槽；
两个所述第二喷嘴组的喷气方向垂直于所述晶圆的移送方向，用于形成气帘墙。


4.根据权利要求3所述的晶圆移送装置，其特征在于，每个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳相元，朴大正，权起大，
申请(专利权)人：合肥欣奕华智能机器有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34