一种柔性低阻导电膜制造技术

本实用新型专利技术提供了一种柔性低阻导电膜，包括基材层、所述基材层包含第一光学面以及第二光学面，所述第一光学面上设置有第一硬化层以及第二铜导电层，通过结构的设计实现了导电性能高，以及提高了光学和机械性能，降低生产成本，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性低阻导电膜
本技术涉及光学膜，具体涉及柔性低阻导电膜及其制备方法。
技术介绍
导电薄膜作为一种低电阻的基础薄膜光电材料。被广泛应用于带电防护膜、抗静电涂层、太阳能电池、显示器等方面。对于这些固体材料来说，透光度和导电率是一对矛盾的属性，通常导电性提高会导致透光度的下降，因而可商品化的透明导电膜比较少。透明导电膜在能源、信息、国防等领域具有广泛的应用价值和重要的研究意义。在本技术出现之前，透明导电膜市场上如电容式触摸屏、纳米银类导电屏等的基材主体主要是PET的硬化膜，这类硬化膜产品能够满足目前触摸屏的基本需求。但是却难以满足大尺寸触摸屏的使用需求。在大尺寸触摸屏使用的低阻导电膜中(尺寸≥10.4英寸)，要求其表面电阻在0～10欧姆之间。若使用传统的1T0作为主要导电材料，至少需要300纳米厚的1T0薄膜才能达到10欧姆的电阻，不仅成本高，而且加工后的光学和机械特性变差。COP是“环烯烃聚合物(CycloOlefinPolymer)”的简称，是一种可同时实现高的光学特性(高折射率、高阿贝数、低双折射)与优异的树脂加工性，且具有低透氧性等优异性能。尤其其光学性能与玻璃接近，其光学透过率≥92％，雾度≤0.1％，双折射＜10nm，因而天生具备高透过、低雾度、优异的低彩虹纹性能。因而低阻COP导电膜在经过MetalMesh加工后中的应用具备高透低阻的优势，但是这种材料比较脆，因而不耐内、外弯折，加工难度大，因而需要后天改善。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种柔性低阻导电膜，通过结构的设计实现了导电膜电阻在0-10欧姆之间，提高加工后的光学和机械性能，降低生产成本，提高生产效率。为实现上述目的本技术的技术方案为：一种柔性低阻导电膜导电膜，包括基材层、所述基材层包含第一光学面以及第二光学面，所述第一光学面上设置有第一硬化层以及第二铜导电层。进一步地，所述第二光学面上设置有第二硬化层以及第一铜导电层。进一步地，所述基材为COP，所述基材的厚度范围为10-200μm，所述基材的收缩率TD向小于0.1％，MD向小于0.1％，各厂家通过流延法生产的透过率大于92％、雾度小于0.1％、高温收缩率(TD\MD向、150℃)在0.1％以内，厚度在10-200μm范围内的的环烯烃聚合物薄膜；因为基材厚度变厚会导致成本严重增加，且导电膜厚度明显提高。优选20μm<厚度<150μm，是充分考虑了现有生产状况和生产成本后，所制定出来的合理范围。进一步地，所述第一硬化层的折射率范围为1.45-1.55的丙烯酸类UV固化树脂，所述第一硬化层的厚度范围为0-2.0μm，最优为0.5-1.5μm，此硬化胶水不宜涂厚，否则不利于弯折的改善。进一步地，所述第二硬化层的折射率范围为1.45-1.55的丙烯酸类UV固化树脂，所述第二硬化层的厚度范围为0-2.0μm。进一步地，所述第一导铜导电层厚度范围为50-200nm，从而可以调控其阻值≤50Ω。进一步地，所述第二导电层镀铜厚度范围为50-200nm，从而可以调控其阻值≤50Ω。进一步地，所述第一铜导层及所述第一铜导电层远离基材层的一侧设置有保护膜，加工流程中所述耐高温保护膜是各厂家生产的PET、TAC、PC、PE、PP等透明光学基材制备的保护膜，并不仅仅只局限于上述所举的例子。透明基材原膜的收缩率(TD\MD向、150℃)控制在0.1％以内，从而保证搭配后期加工的正负翘曲在10mm以内，厚度跟COP透明基材的厚度相一致，这也易于控制后期加工的正负翘曲。进一步地，所述保护膜的厚度等于基材层的厚度，所述保护膜的厚度原则上最好等于基材层厚度或者其厚度绝对值差不得小于基材厚度的30％，从而保证生产加工的可行性。一种包含上述柔性低阻导电膜导电膜的制备方法，包含以下步骤：S1，在所述透明基材的第一光学面上涂布第一硬化层；S2，在所述第一硬化层远离基材层的一侧覆耐高温保护膜；S3，在所述透明基材的第二光学面上涂布第二硬化层；S4，在所述第二硬化层上镀铜，形成第一铜导电层；S5，在所述第一硬化层上镀第二铜导电层；S6，在所述第二铜导电层上覆耐高温保护膜。有益效果本技术的技术方案，通过结构的设计实现了导电性能高，以及提高了光学和机械性能，降低生产成本，提高生产效率。附图说明图1为实施例1柔性低阻导电膜导电膜示意图，其中1为基材层，2第一硬化层，3第二铜导电层。图2为实施例2柔性低阻导电膜导电膜示意图，其中1为基材层，2第一硬化层，3第二铜导电层，4第二硬化层，第一铜导电层。图3双面导电膜的制备流程示意图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合实施例来详细说明本技术。实施例1使用透过率≥92％、雾度≤0.04％，在150℃收缩率TD\MD向小于0.1％的50μm的COP作为基材，在所述基材的第一光学面涂布第一硬化胶水，形成厚度为0.9μm的第一硬化层，在所述第一硬化层远离基材层的一侧镀150nm的第二铜导电层，制成柔性低阻导电膜。实施例2使用透过率≥92％、雾度≤0.04％，在150℃收缩率TD\MD向小于0.1％的50μm的COP作为基材，在所述基材的第一光学面涂布第一硬化胶水，形成厚度为0.9μm的第一硬化层，在所述第一硬化层远离基材层一侧在线覆耐高温膜，在所述基材的第二光学面涂布第二硬化胶水，形成厚度为0.9的第二硬化层，在所述第二硬化层远离基材层的一侧镀150nm第一铜导电层，在所述第一铜导电层远离基材层的一侧覆耐高温保护膜，撕除第一硬化膜所覆的耐高温保护膜，在所述第一硬化层远离基材层的一侧镀150nm的第二铜导电层，在所述第二铜导电层上覆保护膜，制成柔性低阻导电膜。实施例3不同于实施例2，所述第一铜导电层的厚度为50nm，所述第二铜导电层的厚度为50nm。实施例4不同于实施例2，所述第一铜导电层的厚度为200nm，所述第二铜导电层的厚度为200nm。实施例5不同于实施例2，所述第一硬化层厚度为0.5μm，所述第二硬化层为0.5μm。实施例6不同于实施例2，所述第一硬化层厚度为2.0μm，所述第二硬化层为2.0μm。对比例1不同于实施例1，所述在所述第一硬化层远离基材层的一侧溅射350nmITO层。对比例2不同于实施例2，在所述第二硬化层远离基材层的一侧溅射300nmITO层，在所述第一硬化层远离基材层的一侧镀300nmITO层。对比例3不同于实施例2，所述第一铜导电层的厚度为20nm，所述第二铜导电层的厚度为20nm。对比例4不同于实施例2，所述第一铜导电层的厚度为250nm，所述第二铜导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性低阻导电膜，其特征在于，包括基材层、所述基材层包含第一光学面以及第二光学面，所述第一光学面上设置有第一硬化层以及第二铜导电层。/n

【技术特征摘要】
1.一种柔性低阻导电膜，其特征在于，包括基材层、所述基材层包含第一光学面以及第二光学面，所述第一光学面上设置有第一硬化层以及第二铜导电层。


2.根据权利要求1所述的柔性低阻导电膜，其特征在于，所述第二光学面上设置有第二硬化层以及第一铜导电层。


3.根据权利要求1所述的柔性低阻导电膜，其特征在于，所述基材为COP，所述基材的厚度范围为10-200μm，所述基材的收缩率TD向小于0.1％，MD向小于0.1％。


4.根据权利要求1所述的柔性低阻导电膜，其特征在于，所述第一硬化层的折射率范围为1.45-1.55，所述第一硬化层的厚度范围为0.5-2.0μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：葛建峰，徐金龙，孔祥永，耿龙飞，
申请(专利权)人：湖南中天碧水膜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43