应变片制造技术

本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，由Cr混合相膜形成，其中，所述电阻体包括形成在所述基材的一侧的第一电阻部、以及形成在所述基材的另一侧的第二电阻部，所述第一电阻部和所述第二电阻部被布置成使栅格方向在平面视图中交叉。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】应变片
本专利技术涉及一种应变片(straingauge)。
技术介绍
已知一种应变片，其粘贴在测定对象物上，以对测定对象物的应变进行检测。应变片具有用于对应变进行检测的电阻体，作为电阻体的材料，例如使用包含Cr(铬)或Ni(镍)的材料。另外，电阻体例如形成在由绝缘树脂构成的基材上(例如参见专利文献1)。<现有技术文献><专利文献>专利文献1：(日本)特开2016-74934号公报
技术实现思路
<本专利技术要解决的问题>另一方面，存在一种方法，其将2个应变片的栅格方向错开期望的角度(例如90度或45度)并将其粘贴到测定对象物上，以对主应变方向未知的应变进行测定。在该方法中，由于将2个应变片贴合，因此贴合精度较差，难以以期望的角度进行贴合。因此，无法进行精确的应变测定。鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种应变片，其能够在不考虑贴合精度的情况下对主应变方向未知的应变进行测定。<用于解决问题的手段>本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，由Cr混合相膜形成，其中，所述电阻体包括形成在所述基材的一侧的第一电阻部、以及形成在所述基材的另一侧的第二电阻部，所述第一电阻部和所述第二电阻部被布置成使栅格方向在平面视图中交叉。<专利技术的效果>根据所公开的技术，能够提供一种应变片，其能够在不考虑贴合精度的情况下对主应变方向未知的应变进行测定。附图说明图1是示出根据第1实施方式的应变片的平面图。图2是示出根据第1实施方式的应变片中的电阻部31的图案的平面图。图3是示出根据第1实施方式的应变片的剖面图(其1)。图4是示出根据第1实施方式的应变片的剖面图(其2)。图5A是示出根据第1实施方式的应变片的制造工序的图(其1)。图5B是示出根据第1实施方式的应变片的制造工序的图(其2)。图5C是示出根据第1实施方式的应变片的制造工序的图(其3)。图5D是示出根据第1实施方式的应变片的制造工序的图(其4)。图6是示出根据第1实施方式的应变片的剖面图(其3)。图7是示出根据第1实施方式的应变片的剖面图(其4)。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。在各附图中，对相同部件赋予相同符号，并且有时会省略重复的说明。<第1实施方式>图1是示出根据第1实施方式的应变片的平面图。图2是示出根据第1实施方式的应变片中的电阻部31的图案的平面图。图3是示出根据第1实施方式的应变片的剖面图，示出了沿图1及图2的线A-A的剖面。图4是示出根据第1实施方式的应变片的剖面图，示出了沿图1及图2的线B-B的剖面。如图1～图4所示，应变片1具有基材10、电阻体30(电阻部31及32)、端子部41及42、以及覆盖层61及62。需要说明的是，在本实施方式中，为方便起见，在应变片1中，基材10的设置有电阻部32的一侧为上侧或一侧，设置有电阻部31的一侧为下侧或另一侧。另外，各部位的设置有电阻部32的一侧的表面为一个表面或上表面，设置有电阻部31的一侧的表面为另一表面或下表面。但是，也可以以上下颠倒的状态来使用应变片1，或者可以以任意角度来布置应变片1。另外，平面视图是指从基材10的上表面10a的法线方向对对象物进行观察的视图，平面形状是指从基材10的上表面10a的法线方向对对象物进行观察时的形状。基材10是作为用于形成电阻体30等的基底层的部件，并且具有可挠性。对于基材10的厚度并无特别限制，可以根据目的适当地选择，例如可以为大约5μm～500μm。特别地，从能够减小电阻部31和32的应变灵敏度误差的观点来看，基材10的厚度优选为5μm～200μm。基材10例如可以由PI(聚酰亚胺)树脂、环氧树脂、PEEK(聚醚醚酮)树脂、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)树脂、PPS(聚苯硫醚)树脂、聚烯烃树脂等绝缘树脂薄膜形成。需要说明的是，薄膜是指厚度为大约500μm以下、并且具有可挠性的部件。在此，“由绝缘树脂薄膜形成”并不妨碍在基材10的绝缘树脂薄膜中含有填充剂或杂质等。基材10例如也可以由含有二氧化硅或氧化铝等填充剂的绝缘树脂薄膜形成。电阻体30是形成在基材10上，并且经受应变而产生电阻变化的感测部。电阻体30包括经由基材10层叠的电阻部31和32。即，电阻体30是电阻部31和32的总称，在无需特别区分电阻部31和32的情况下称为电阻体30。需要说明的是，在图1及图2中，为方便起见，以阴影图案示出电阻部31和32。电阻部31是以预定图案形成在基材10的下表面10b侧的薄膜。电阻部31可以直接形成在基材10的下表面10b侧，也可以经由其他层形成在基材10的下表面10b侧。在电阻部31的两端部上，形成有承接通路用的焊盘31A。焊盘31A从电阻部31的两端部延伸，并且在平面视图中相对于电阻部31增宽并形成为大致矩形形状。电阻部32是以预定图案形成在基材10的上表面10a侧的薄膜。电阻部32可以直接形成在基材10的上表面10a上，也可以经由其他层形成在基材10的上表面10a上。在平面视图中，电阻部32的栅格方向被布置成与电阻部31的栅格方向交叉。在此，交叉是指在平面视图中电阻部32的栅格方向与电阻部31的栅格方向不平行。在平面视图中，电阻部32的栅格方向例如相对于电阻部31的栅格方向呈90度(正交)。但是，其仅是一个示例，在平面视图中，电阻部32的栅格方向可以相对于电阻部31的栅格方向呈45度，也可以呈其他角度。电阻体30(电阻部31和32)例如可以由包含Cr(铬)的材料、包含Ni(镍)的材料、或包含Cr和Ni两者的材料形成。即，电阻体30可以由包含Cr和Ni中的至少一者的材料形成。作为包含Cr的材料，例如可以举出Cr混合相膜。作为包含Ni的材料，例如可以举出Cu-Ni(铜镍)。作为包含Cr和Ni两者的材料，例如可以举出Ni-Cr(镍铬)。在此，Cr混合相膜是对Cr、CrN、Cr2N等进行相混合而成的膜。Cr混合相膜可以包含氧化铬等不可避免的杂质。对于电阻体30的厚度并无特别限制，可以根据目的适当地选择，例如可以为大约0.05μm～2μm。特别地，从构成电阻体30的晶体的结晶性(例如，α-Cr的结晶性)得到提高的观点来看，电阻体30的厚度优选为0.1μm以上，从能够减少因构成电阻体30的膜的内部应力而引起的膜的裂纹或从基材10上翘曲的观点来看，更优选为1μm以下。例如，在电阻体30是Cr混合相膜的情况下，通过以作为稳定的晶相的α-Cr(α-铬)作为主成分，从而能够提高应变特性的稳定性。另外，通过使电阻体30以α-Cr作为主成分，从而能够将应变片1的应变率设定为10以上，并且将应变率温度系数TCS及电阻温度系数TCR设定为-1000ppm/℃～+1000ppm/℃的范围内。在此，主成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应变片，包括：/n基材，具有可挠性；以及/n电阻体，由Cr混合相膜形成，/n其中，所述电阻体包括形成在所述基材的一侧的第一电阻部、以及形成在所述基材的另一侧的第二电阻部，/n所述第一电阻部和所述第二电阻部被布置成使栅格方向在平面视图中交叉。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171115 JP 2017-2204071.一种应变片，包括：
基材，具有可挠性；以及
电阻体，由Cr混合相膜形成，
其中，所述电阻体包括形成在所述基材的一侧的第一电阻部、以及形成在所述基材的另一侧的第二电阻部，
所述第一电阻部和所述第二电阻部被布置成使栅格方向在平面视图中交叉。


2.根据权利要求1所述的应变片，还包括：
第一电极，与所述第一电阻部电连接；以及
第二电极，与所述第二电阻部电连接，
其中，所述第一电极和所述第二电极形成在所述基材的一侧。


3.根据权利要求2所述的应变片，其中，
所述第二电极经由设置在所述基材上的通路孔与从所述第二电阻部的端部延伸的焊盘电连接，
所述第二电极从所述基材的一侧在所述通路孔的侧壁和暴露于所述通路孔内的所述焊盘的表面上连续地形成，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：美齐津英司，足立重之，北原昂祐，浅川寿昭，北村厚，
申请(专利权)人：美蓓亚三美株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP