晶体管结构、GOA电路及显示面板制造技术

本申请公开一种晶体管结构、GOA电路以及显示面板，所述晶体管结构包括：基板，以及依次设置在所述基板上的源漏极层、钝化层；其中，所述源漏极层包括源极以及漏极，所述源极围绕所述漏极设置，且所述源极呈环形状；所述钝化层具有一过孔，所述漏极在所述钝化层上的投影覆盖所述过孔。该方案能够有效减小晶体管结构的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构、GOA电路及显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种晶体管结构、GOA电路及显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，目前显示屏的像素值越来越高，且显示屏的边框越来越窄，其中，在显示屏中，晶体管的尺寸较大会造成遮光区域面积变大，进而相应透光区域面积变少，从而影响到像素单元的开口率。而当采用阵列基板栅极驱动技术(GateDriveronArray，简称GOA)时，晶体管的尺寸也会影响到显示屏的边框大小，如果晶体管的尺寸较大，边框会随之变宽。因此，晶体管的大小会限制像素单元的开口率以及将栅极驱动电路集成制作在阵列基板上时边框的大小。
技术实现思路
本申请实施例提供一种晶体管结构、GOA电路及显示面板，能够有效减小晶体管结构的尺寸。本申请提供了一种晶体管结构，包括：基板，以及依次设置在所述基板上的源漏极层和钝化层；其中，所述源漏极层包括源极以及漏极，所述源极围绕所述漏极设置，且所述源极呈环形状；所述钝化层具有一过孔，所述漏极在所述钝化层上的投影覆盖所述过孔。在本申请所提供的晶体管结构中，所述过孔对应位于所述漏极的中间区域。在本申请所提供的晶体管结构中，所述晶体管结构还包括一栅极层，所述栅极层设置在所述基板上，所述栅极层包括一栅极；所述栅极呈环形状。在本申请所提供的晶体管结构中，所述栅极在所述基板上的投影环绕所述漏极在所述基板上的投影设置。在本申请所提供的晶体管结构中，所述晶体管结构为顶栅结构或者底栅结构。在本申请所提供的晶体管结构中，所述晶体管结构还包括一有源层，所述有源层设置在所述基板与所述源漏极层之间，所述有源层包括一沟道；所述源极、所述漏极均与所述沟道直接接触，以使得所述源极、所述漏极均与所述沟道电性连接。在本申请所提供的晶体管结构中，所述沟道呈环形状，且所述沟道对应围绕所述过孔设置。在本申请所提供的晶体管结构中，所述源极在所述基板上的投影、所述漏极在所述基板上的投影均与所述沟道在所述基板上的投影至少部分重合。相应的，本申请还提供一种GOA电路，其包括以上任意一项所述的晶体管结构。相应的，本申请还提供一种显示面板，其包括以上任意一项所述的晶体管结构。本申请提供一种晶体管结构、GOA电路以及显示面板，所述晶体管结构包括：基板，以及依次设置在所述基板上的源漏极层、钝化层；所述钝化层具有一过孔；其中，通过将源极设置成环绕漏极的环形状，漏极在钝化层上的投影覆盖过孔，从而可将过孔直接对应被源极环绕的漏极设置，从而减小了晶体管结构的尺寸。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的晶体管结构的第一平面示意图；图2是本申请实施例提供的晶体管结构的第一结构示意图；图3是本申请实施例提供的晶体管结构的第二结构示意图；图4是本申请实施例提供的晶体管结构的第三结构示意图；图5是本申请实施例提供的晶体管结构的第四结构示意图；图6是本申请实施例提供的晶体管结构的第五结构示意图；图7是本申请实施例提供的晶体管结构的第六结构示意图；图8是本申请实施例提供的晶体管结构的第二平面示意图；图9是本申请实施例提供的晶体管结构的第七结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。本申请实施例中描述的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，且该晶体管可以是P型晶体管或N型晶体管，其中，P型晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。请参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的晶体管结构的平面示意图，图2是本申请实施例提供的晶体管结构的第一结构示意图。如图1和图2所示，该晶体管结构包括：基板10，以及依次设置在基板10上的源漏极层14、钝化层15。其中，源漏极层14包括源极141以及漏极142。源极141围绕漏极142设置。且源极141呈环形状。钝化层15具有一过孔150。漏极142在钝化层15上的投影覆盖过孔150。需要说明的是，本申请实施例中的环形状可以是规则的圆环或方形环，也可以是不规则的其它环形状；漏极142可以是圆形、方形或椭圆形等规则图案，也可以是不规则的其它图案；本申请对此均不作具体限定。其中，基板10可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板、PI柔性基板(聚酰亚胺薄膜，PolyimideFilm)或其他类型基板；钝化层15的材料可以是氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化硅的叠层结构等；源漏层14的材料可以是导电性优的金属，一般为钼、铜、铝或复合金属；本申请对此均不作限定。本申请实施例提供的晶体管结构，通过源极141设置成环绕漏极142的环形状，漏极142在钝化层上的投影覆盖过孔150，从而可将过孔150直接对应被源极141环绕的漏极142设置，从而减小了晶体管结构的尺寸。进一步的，过孔150对应位于漏极142的中间区域。在一些实施例中，当漏极142为规则的图案，如图1所示的正八边形时，漏极142的中心对称点在钝化层15上的投影与过孔150的圆心重合；在另一些实施例中，当漏极142为不规则图形时，过孔150对应漏极142的中间区域设置，该中间区域特指漏极142能够与过孔150的尺寸相匹配的区域；该方案在保证漏极142能够通过过孔150与相应电极线(图中未标识)电性连接，以充分发挥其作用的同时，能够尽可能的减小漏极的面积，进而减小晶体管结构的尺寸。在本申请实施例中，请继续参阅图2，晶体管结构还包括一栅极层11。栅极层11设置在基板10上。栅极层11包括一栅极110。栅极110呈环形状。其中，栅极层11远离基板10的一侧设置有栅绝缘层12。栅绝缘层12的材料可以是无机材料，例如氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化硅的结合等，也可以为有机材料；栅极层11的材料可以是导电性优的金属，一般为钼、铜、铝或复合金属；本申请对此均不作限定。在一些实施例中，栅极110在基板10上的投影环绕漏极142在基板10上的投影设置。该方案使得栅极110在钝化层15上的投影与过孔150错开设置，避免在对钝化层15进行刻蚀以形成过孔150时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：基板，以及依次设置在所述基板上的源漏极层和钝化层；其中，/n所述源漏极层包括源极以及漏极，所述源极围绕所述漏极设置，且所述源极呈环形状；所述钝化层具有一过孔，所述漏极在所述钝化层上的投影覆盖所述过孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：基板，以及依次设置在所述基板上的源漏极层和钝化层；其中，
所述源漏极层包括源极以及漏极，所述源极围绕所述漏极设置，且所述源极呈环形状；所述钝化层具有一过孔，所述漏极在所述钝化层上的投影覆盖所述过孔。


2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述过孔对应位于所述漏极的中间区域。


3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构还包括一栅极层，所述栅极层设置在所述基板上，所述栅极层包括一栅极；所述栅极呈环形状。


4.根据权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于，所述栅极在所述基板上的投影环绕所述漏极在所述基板上的投影设置。


5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构为顶栅结构或者底...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚苏萍，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44