引线框架、集成芯片结构及电源模块制造技术

技术编号:25403118 阅读:40 留言:0更新日期:2020-08-25 23:07
本发明专利技术涉及一种引线框架、集成芯片结构及电源模块。该引线框架包括:与第一基岛连接的第一引脚,与第二基岛连接的第二引脚,不与基岛连接的第三引脚,与第三基岛连接的第四引脚,与第四基岛连接的第五引脚,与第五基岛连接的第六引脚;第一、第二、第三、第四、第五基岛上至少具有一个芯片设置区,第一、第四、第五用于设置整流二极管芯片,第三基岛用于设置功率芯片;其中,第一引脚和第二引脚、第五引脚和第六引脚之间的距离均大于等于1.4毫米。减少了电路外围元器件的数量,增加了相同大小的引线框架上设置的芯片的数量,降低了生产成本,在实现引线框架的功能的同时提高了引线框架上设置芯片后形成的产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
引线框架、集成芯片结构及电源模块
本专利技术涉及集成电路封装
,特别是涉及一种引线框架、一种集成芯片结构及一种电源模块。
技术介绍
SOP,即SmallOutlinePackage,一种小外形封装技术,指采用表面贴装式封装的集成电路芯片,此芯片通常有两排引脚,引脚对称,贴装到具有SOP结构的印刷电路板的芯片插座上进行终端集成。随着集成电路技术的飞速发展,对封装工艺的要求也越来越高。但是受限于封装体的尺寸,如何在一个封装体内封装更多的芯片,成为现今研究的热点。典型的封装工艺所能实现的多基岛引线框架通常在每个基岛上布置一个芯片,这对封装体整体尺寸的小型化和封装体内封装芯片的数量都构成了限制。特别在电源应用领域,电路中常需要用整流桥实现交流电转化为直流电,而用于连接整流桥的四个整流二极管芯片由于数量和连接关系的限制,难以集成于同一个封装体内。
技术实现思路
基于此,有必要针对上述问题,提供一种引线框架及一种集成芯片结构及一种电源模块。一种引线框架,包括:与第一基岛连接的第一引脚,与第二基岛连接的第二引脚,不与基岛连接的第三引脚,与第三基岛连接的第四引脚,与第四基岛连接的第五引脚,与第五基岛连接的第六引脚;所述第一基岛、所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛、所述第五基岛上至少具有一个用于设置芯片的芯片设置区,所述第一基岛、所述第四基岛、所述第五基岛用于设置整流二极管芯片,所述第三基岛用于设置功率芯片;其中,所述第一引脚和所述第二引脚、所述第五引脚和所述第六引脚之间的距离均大于等于1.4毫米。在其中一个实施例中,所述第二基岛用于设置控制芯片。在其中一个实施例中,所述第四基岛具有大于等于2个用于设置芯片的芯片设置区。在其中一个实施例中,所述第一基岛、所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛、所述第五基岛中,相邻两个基岛之间的间距大于等于0.2毫米且小于等于0.3毫米。在其中一个实施例中,所述第一引脚和所述第二引脚、所述第五引脚和所述第六引脚之间的距离均小于等于2.0毫米。在其中一个实施例中,所述引线框架还包括第七引脚,所述第七引脚为所述引线框架的扩展引脚。在其中一个实施例中,所述功率芯片为金属-氧化物半导体场效应晶体管。上述引线框架,包括:与第一基岛连接的第一引脚,与第二基岛连接的第二引脚,不与基岛连接的第三引脚,与第三基岛连接的第四引脚,与第四基岛连接的第五引脚,与第五基岛连接的第六引脚;所述第一基岛、所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛、所述第五基岛上至少具有一个用于设置芯片的芯片设置区,所述第一基岛、所述第四基岛、所述第五基岛用于设置整流二极管芯片,所述第三基岛用于设置功率芯片;其中,所述第一引脚和所述第二引脚、所述第五引脚和所述第六引脚之间的距离均大于等于1.4毫米。通过将整流二极管芯片设置在第一基岛、第四基岛、第五基岛的芯片设置区,并将功率芯片设置在第三基岛上,实现了将整流桥的四个整流二极管芯片与控制芯片集成在同一个引线框架上的目的,减少了电路外围元器件的数量,增加了相同大小的引线框架上设置的芯片的数量,降低了生产成本。第一引脚和第二引脚、第五引脚和第六引脚之间的距离均大于等于1.4毫米,在实现引线框架的功能的同时提高了引线框架上设置芯片后形成的产品的可靠性。一种集成芯片结构,包括塑封体,所述集成芯片结构还包括上述任一项所述的引线框架,所述塑封体设置于所述引线框架上,第一引脚为所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二引脚为所述集成芯片结构的接地引脚、第三引脚为所述集成芯片结构的片选信号引脚,第四引脚为所述集成芯片结构的漏极引脚、第五引脚为所述集成芯片结构的高压供电引脚,第六引脚为所述集成芯片结构的第二交流输入引脚。在其中一个实施例中,所述集成芯片结构还包括设置于所述第四基岛上的N型衬底的续流二极管芯片,所述集成芯片结构的整流二极管芯片均为N型衬底的整流二极管芯片。在其中一个实施例中,所述集成芯片结构还包括设置于所述第三基岛上的P型衬底的续流二极管芯片,所述集成芯片结构的整流二极管芯片均为N型衬底的整流二极管芯片。上述集成芯片结构,包括塑封体及上述任一项所述的引线框架,所述塑封体设置于所述引线框架上,所述第一引脚为所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、所述第二引脚为所述集成芯片结构的接地引脚、所述第三引脚为所述集成芯片结构的片选信号引脚,所述第四引脚为所述集成芯片结构的漏极引脚、所述第五引脚为所述集成芯片结构的高压供电引脚,所述第六引脚为所述集成芯片结构的第二交流输入引脚。通过将整流二极管芯片设置在第一基岛、第四基岛、第五基岛的芯片设置区,并将功率芯片设置在第三基岛上,实现了将整流桥的四个整流二极管芯片与控制芯片集成在同一个引线框架上的目的,减少了电路外围元器件的数量,增加了相同大小的引线框架上设置的芯片的数量,降低了生产成本,提高了集成芯片结构的集成度。第一引脚和第二引脚、第五引脚和第六引脚之间的距离均大于等于1.4毫米,在实现引线框架形成的集成芯片结构的交流输入、集成芯片结构的接地和集成芯片结构的高压供电功能的同时,提高了引线框架形成的集成芯片结构的可靠性。一种电源模块,包括上述任一项所述的集成芯片结构。上述电源模块,包括上述任一项所述的集成芯片结构,通过将整流二极管芯片设置在第一基岛、第四基岛、第五基岛的芯片设置区,并将功率芯片设置在第三基岛上,实现了将整流桥的四个整流二极管芯片与控制芯片集成在同一个引线框架上的目的,减少了电源模块外围元器件的数量,增加了相同大小的引线框架上设置的芯片的数量,降低了生产成本,提高了电源模块内集成芯片结构的集成度。第一引脚和第二引脚、第五引脚和第六引脚之间的距离均大于等于1.4毫米,在实现引线框架形成的集成芯片结构的交流输入、集成芯片结构的接地和集成芯片结构的高压供电功能的同时,提高了引线框架形成的集成芯片结构的可靠性,提高了电源模块的可靠性和市场竞争力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。图1为一实施例中引线框架的结构示意图;图2为另一实施例中引线框架的结构示意图;图3为一实施例中集成芯片结构内部芯片设置示意图;图4为另一实施例中集成芯片结构内部芯片设置示意图;图5为再一实施例中集成芯片结构内部芯片设置示意图;图6为一实施例中集成芯片结构的外观图;图7为另一实施例中集成芯片结构的外观图;图8为一实施例中电源模块的电路示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术,下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的首选实施例。但是,本专利技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架,其特征在于,所述引线框架包括:/n与第一基岛连接的第一引脚,与第二基岛连接的第二引脚,不与基岛连接的第三引脚,与第三基岛连接的第四引脚,与第四基岛连接的第五引脚,与第五基岛连接的第六引脚;/n所述第一基岛、所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛、所述第五基岛上至少具有一个用于设置芯片的芯片设置区,所述第一基岛、所述第四基岛、所述第五基岛用于设置整流二极管芯片,所述第三基岛用于设置功率芯片;其中,所述第一引脚和所述第二引脚、所述第五引脚和所述第六引脚之间的距离均大于等于1.4毫米。/n

【技术特征摘要】
1.一种引线框架,其特征在于,所述引线框架包括:
与第一基岛连接的第一引脚,与第二基岛连接的第二引脚,不与基岛连接的第三引脚,与第三基岛连接的第四引脚,与第四基岛连接的第五引脚,与第五基岛连接的第六引脚;
所述第一基岛、所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛、所述第五基岛上至少具有一个用于设置芯片的芯片设置区,所述第一基岛、所述第四基岛、所述第五基岛用于设置整流二极管芯片,所述第三基岛用于设置功率芯片;其中,所述第一引脚和所述第二引脚、所述第五引脚和所述第六引脚之间的距离均大于等于1.4毫米。


2.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于,所述第二基岛用于设置控制芯片。


3.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于,所述第四基岛具有大于等于2个用于设置芯片的芯片设置区。


4.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于,所述第一基岛、所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛、所述第五基岛中,相邻两个基岛之间的间距大于等于0.2毫米且小于等于0.3毫米。


5.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于,所述第一引脚和所述第二引脚、所述第五引脚和所述第六引脚之间的距离均小于等于2.0毫米。


6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:赖辉朋全新冯润渊
申请(专利权)人:深圳市晶导电子有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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