一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法，设备包括：第一舱室和第二舱室；所述第一舱室和所述第二舱室之间设置有隔离阀；所述隔离阀包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接，以带动所述阀板往返移动，从而连通或隔断所述第一舱室和所述第二舱室；所述抽气模块与所述过滤模块连接，以将杂质吸附至所述过滤模块。本发明专利技术提供的半导体工艺设备、隔离阀及控制方法，用以解决现有技术中的半导体工艺设备存在舱室易被杂质粒子污染的技术问题。实现了减少腔室、内部设备和晶圆污染，提高良率和减少设备损坏几率的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法
本公开内容涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法。
技术介绍
半导体制备工艺步骤繁多，不同的工艺步骤往往在不同的制程舱内进行，故需要将晶圆在不同的舱室之间移动。鉴于较多制程有真空条件的要求，故在各舱室之间往往设置有隔离阀。然而在隔离阀打开时，往往会有杂质粒子进入有高洁净度要求的舱室，导致舱室和设备污染，引起设备故障或造成晶圆缺陷，导致良率较低。例如，在设置有静电吸盘的制程舱和设置有机械臂的传输舱之间设置有隔离阀，当需要取出或放入晶圆时，需要开启隔离阀，就会导致机械臂或其他传输模块产生的杂质粒子随着气流进入制程舱内，从而污染舱室或静电吸盘。也就是说，现有技术中的半导体工艺设备存在舱室易被杂质粒子污染的技术问题。
技术实现思路
本公开内容的目的至少部分在于，解决现有技术中的半导体工艺设备存在的舱室易被杂质粒子污染的技术问题。第一方面，本公开内容的实施例提供了如下技术方案：一种半导体工艺设备，包括：第一舱室和第二舱室；所述第一舱室和所述第二舱室之间设置有隔离阀；所述隔离阀包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接，以带动所述阀板往返移动，从而连通或隔断所述第一舱室和所述第二舱室；所述抽气模块与所述过滤模块连接，以将杂质吸附至所述过滤模块。可选的，所述控制模块包括：气缸和阀杆，所述阀杆的一端与所述气缸连接，另一端与所述阀板连接；所述气缸推拉所述阀杆带动所述阀板往返移动；所述抽气模块包括：抽气泵和真空配管模块，所述真空配管模块的一端与所述过滤模块连接，另一端与所述抽气泵连接，所述抽气泵抽气时，气流依次经所述过滤模块和所述真空配管模块，以将杂质吸附至所述过滤模块。可选的，所述隔离阀包括：两个所述阀板，所述过滤模块固定于两个所述阀板之间，所述控制模块带动两个所述阀板和所述过滤模块同步往返移动。可选的，所述抽气模块包括：抽气泵、真空配管、适配器和容置结构；所述容置结构贴合固定于两个所述阀板之间；所述容置结构的一侧呈开口状，另一侧固定有所述适配器；所述适配器为通孔状，所述适配器位于所述容置结构内侧的形状与所述过滤模块匹配，另一侧的形状与所述真空配管匹配；所述真空配管的一端与所述适配器连接，另一端与所述抽气泵连接；其中，所述过滤模块容置于所述容置结构的开口侧，所述抽气泵抽气时，气流依次经所述过滤模块、所述适配器和所述真空配管，以将杂质吸附至所述过滤模块。可选的，所述阀板的材质为铝合金；所述过滤模块为用25000V以上的超高压电流做超静电处理的高效空气过滤器。可选的，所述阀板的材质为含有镁的经热处理的A5052铝合金材质；所述过滤模块的处理效率等级为H13～U17的高效空气过滤器或超高效空气过滤器。第二方面，本公开内容的实施例提供了一种隔离阀，包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接，以带动所述阀板往返移动，从而连通或隔断所述第一舱室和所述第二舱室；所述抽气模块与所述过滤模块连接，以将杂质吸附至所述过滤模块。可选的，所述隔离阀包括：两个所述阀板，所述过滤模块固定于两个所述阀板之间，所述控制模块带动两个所述阀板和所述过滤模块同步往返移动；所述抽气模块包括：抽气泵、真空配管、适配器和容置结构；所述容置结构贴合固定于两个所述阀板之间；所述容置结构的一侧呈开口状，另一侧固定有所述适配器；所述适配器为通孔状，所述适配器位于所述容置结构内侧的形状与所述过滤模块匹配，另一侧的形状与所述真空配管匹配；所述真空配管的一端与所述适配器连接，另一端与所述抽气泵连接；其中，所述过滤模块容置于所述容置结构的开口侧，所述抽气泵抽气时，气流依次经所述过滤模块、所述适配器和所述真空配管，以将杂质吸附至所述过滤模块。第三方面，本公开内容的实施例提供了一种半导体工艺设备控制方法，，所述设备包括：之间设置有隔离阀的第一舱室和第二舱室；所述隔离阀包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接；所述抽气模块与所述过滤模块连接，所述方法包括：所述控制模块带动所述阀板移动为开启状态，以连通所述第一舱室和所述第二舱室；所述抽气模块开启抽气模式，吸引气流带动杂质吸附至所述过滤模块。可选的，所述控制模块带动所述阀板移动为开启状态的步骤与所述抽气模块开启抽气模式的步骤之间有1～2s的延迟。本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请实施例提供的半导体工艺设备、隔离阀及控制方法，在隔离阀上设置过滤模块和抽气模块，在阀门开启时，控制抽气模块进入抽气模式，从而吸引气流带动杂质粒子吸附至过滤模块上，以减少进入腔室中的杂质粒子，从而减少腔室、内部设备和晶圆污染，提高良率和减少设备损坏几率。附图说明为了更清楚地说明本公开内容实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开内容的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为依据本公开一个或多个实施方式的半导体工艺设备的结构图；图2为依据本公开一个或多个实施方式的隔离阀的结构图一；图3为依据本公开一个或多个实施方式的隔离阀的结构图二；图4为依据本公开一个或多个实施方式的半导体工艺设备控制方法流程图；图5为依据本公开一个或多个实施方式的半导体工艺设备控制方法示意图；图6为依据本公开一个或多个实施方式的效果验证示意图。具体实施方式以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。在本公开的上下文中，相似或者相同的部件可能会用相同或者相似的标号来表示。为了更好的理解上述技术方案，下面将结合具体的实施方式对上述技术方案进行详细说明，应当理解本公开内容实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本申请实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：/n第一舱室和第二舱室；所述第一舱室和所述第二舱室之间设置有隔离阀；/n所述隔离阀包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接，以带动所述阀板往返移动，从而连通或隔断所述第一舱室和所述第二舱室；所述抽气模块与所述过滤模块连接，以将杂质吸附至所述过滤模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：
第一舱室和第二舱室；所述第一舱室和所述第二舱室之间设置有隔离阀；
所述隔离阀包括：阀板、过滤模块、抽气模块和控制模块；所述控制模块与所述阀板连接，以带动所述阀板往返移动，从而连通或隔断所述第一舱室和所述第二舱室；所述抽气模块与所述过滤模块连接，以将杂质吸附至所述过滤模块。


2.如权利要求1所述的设备，其特征在于：
所述控制模块包括：气缸和阀杆，所述阀杆的一端与所述气缸连接，另一端与所述阀板连接；所述气缸推拉所述阀杆带动所述阀板往返移动；
所述抽气模块包括：抽气泵和真空配管模块，所述真空配管模块的一端与所述过滤模块连接，另一端与所述抽气泵连接，所述抽气泵抽气时，气流依次经所述过滤模块和所述真空配管模块，以将杂质吸附至所述过滤模块。


3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述隔离阀包括：
两个所述阀板，所述过滤模块固定于两个所述阀板之间，所述控制模块带动两个所述阀板和所述过滤模块同步往返移动。


4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述抽气模块包括：
抽气泵、真空配管、适配器和容置结构；所述容置结构贴合固定于两个所述阀板之间；所述容置结构的一侧呈开口状，另一侧固定有所述适配器；所述适配器为通孔状，所述适配器位于所述容置结构内侧的形状与所述过滤模块匹配，另一侧的形状与所述真空配管匹配；所述真空配管的一端与所述适配器连接，另一端与所述抽气泵连接；
其中，所述过滤模块容置于所述容置结构的开口侧，所述抽气泵抽气时，气流依次经所述过滤模块、所述适配器和所述真空配管，以将杂质吸附至所述过滤模块。


5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述阀板的材质为铝合金；所述过滤模块为用25000V以上的超高压电流做超静电处理的高效空气过滤器。


6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔珍善，李俊杰，李琳，王佳，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11