本发明专利技术提供一种研磨垫修整单元，包括：修整盘，用于对研磨垫的表面性能进行修整；至少一个喷头，设置在所述修整盘上，用于喷射清洗介质。本发明专利技术提供的研磨垫修整单元，通过修整盘打磨堆积在研磨垫表面的研磨渣，同时，喷嘴喷射清洗介质，当研磨渣被打磨下来时，立即被喷嘴喷射的清洗介质清洗掉，从而能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。
【技术实现步骤摘要】
研磨垫修整单元以及装置
本专利技术涉及化学机械研磨
，尤其涉及一种研磨垫修整单元以及装置。
技术介绍
研磨垫上存在用来供研磨浆料流入和排放的孔或纹路，在抛光过程中，产生的研磨渣容易留存在孔或纹路中。在现有技术中，为了去除留存在孔或纹路中的研磨渣，会采用高压纯水进行清洗。当对研磨垫上的研磨渣清洗能力不足时，研磨渣会在孔或纹路中累积起来，累积的研磨渣容易在后续的研磨过程中导致被研磨的硅片表面出现划痕或缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供的研磨垫修整单元以及装置，能够对研磨垫具有良好的清洗效果。第一方面，本专利技术提供一种研磨垫修整单元，其特征在于，包括：修整盘，用于对研磨垫的表面性能进行修整；至少一个喷头，设置在所述修整盘上，用于喷射清洗介质。可选地，所述修整盘的下表面设置有凹槽，所述喷头设置在所述凹槽内，所述喷头的下表面高于所述修整盘的下表面。可选地，所述修整盘的下表面还设置有用于排出所述清洗介质的路径，所述用于排出所述清洗介质的路径与所述凹槽连通。可选地，所述至少一个喷头为多个喷头，所述多个喷头在所述修整盘上按照十字、一字或环形排列。本专利技术提供的研磨垫修整单元，将清洗介质的喷头设置在修整盘上，在修整盘对研磨垫进行修整时，通过修整盘打磨堆积在研磨垫表面的研磨渣，同时，喷嘴喷射清洗介质，当研磨渣被打磨下来时，立即被喷嘴喷射的清洗介质清洗掉，从而能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。第二方面，本专利技术提供一种研磨垫修整装置，包括：调节臂，设置在研磨垫上方；以及如上述任意一项所述的研磨垫修整单元，设置在所述调节臂上。可选地，进一步包括旋转驱动机构，所述修整盘与所述旋转驱动机构传动连接，所述旋转驱动机构用于驱动所述修整盘旋转。可选地，进一步包括竖向驱动机构，所述修整盘与所述竖向驱动机构传动连接，所述竖向驱动机构用于驱动所述修整盘竖向移动。可选地，还包括摆动驱动机构，与所述调节臂传动连接，所述摆动驱动机构用于驱动所述调节臂在预定角度内摆动运动。可选地，所述调节臂的摆动带动所述修整盘在所述研磨垫的中心和边缘之间运动。可选地，进一步包括一介质管道，所述喷头通过介质管道提供清洗介质，所述介质管道设置在所述调节臂内部。本专利技术提供的研磨垫修整装置，将清洗介质的喷头设置在修整盘上，在修整盘对研磨垫进行修整时，通过修整盘打磨堆积在研磨垫表面的研磨渣，同时，喷嘴喷射清洗介质，当研磨渣被打磨下来时，立即被喷嘴喷射的清洗介质清洗掉，从而能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。附图说明图1为本专利技术研磨垫修整单元一实施例的结构示意图；图2为本专利技术研磨垫修整装置一实施例的结构示意图。具体实施方式以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。本专利技术实施例提供一种研磨垫修整单元，如图1所示，包括：修整盘1，用于对研磨垫的表面性能进行修整：至少一个喷头2，设置在修整盘1上，用于喷射清洗介质。作为可选的实施方式，清洗介质为高压的去离子水。在工作过程中，修整盘1会旋转并向研磨垫施加下压力，同时随调节臂3进行摆动运动，通过修整盘1的运动对研磨垫的表面性能进行修整，同时，喷头2喷射清洗介质，对修整盘1修整研磨垫产生的研磨渣进行清洗，能够在研磨渣掉落的同时即进行清洗。因此，本实施例提供的研磨垫修整装置能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。作为本实施例可选的实施方式，修整盘1的下表面设置有凹槽4，喷头2设置在凹槽4内，喷头2的下表面高于修整盘1的下表面。这种设置方式是将修整盘1设置在修整盘1的下表面，由于在修整盘1对研磨垫的表面进行修整时是旋转状态，这种设置方式可以使修整和清洗在极短的时间内交替进行，从而能够提高清洗的效果。但是，本领域技术人员应当明了，上述的设置方式仅作为优选的方式进行示例，并不对喷嘴的设置位置进行限定，喷嘴的设置位置例如还可以设置在修整盘1的边缘。作为本实施例可选的实施方式，当喷嘴设置在修整盘1下表面的凹槽4内时，在修整盘1的下表面还设置有用于排出清洗介质的路径，用于排出清洗介质的路径与凹槽4连通。在修整盘1上设置清洗介质的排出路径，能够使清洗液和清洗掉的研磨渣沿排出路径排出，不会重新进入到修整盘1与研磨垫之间而影响修整过程。作为本实施例可选的实施方式，至少一个喷头2为多个喷头2，多个喷头2在修整盘1上按照十字、一字或环形排列。如图1中示出了喷头2按照十字排列的形式。本专利技术实施例还提供一种研磨垫修整装置，如图2所示，包括：调节臂3，设置在研磨垫上方；上述实施例中的研磨垫修整单元，设置在调节臂3上。在工作过程中，修整盘1会旋转并向研磨垫施加下压力，同时随调节臂3进行摆动运动，通过修整盘1的运动对研磨垫的表面性能进行修整，同时，喷头2喷射清洗介质，对修整盘1修整研磨垫产生的研磨渣进行清洗，能够在研磨渣掉落的同时即进行清洗。因此，本实施例提供的研磨垫修整装置能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。作为本实施例可选的实施方式，还包括旋转驱动机构，修整盘1与旋转驱动机构(图中未示出)传动连接，旋转驱动机构用于驱动修整盘1旋转。旋转驱动机构驱动修整盘1旋转，修整盘1的旋转能够使修整盘1对研磨垫表面的修整作用和喷嘴的清洗作用在极短的时间内交替进行，提高修整和清洗的效果。作为本实施例可选的实施方式，还包括竖向驱动机构，修整盘1与竖向驱动机构(图中未示出)传动连接，竖向驱动机构用于驱动修整盘1竖向移动。在修整盘1对研磨垫的修整过程中，需要一定的下压力，因此，需要竖向驱动机构驱动修整盘1做竖向的运动，从而提供一个向研磨垫的下压力。作为本实施例可选的实施方式，还包括摆动驱动机构(图中未示出)，与调节臂3传动连接，摆动驱动机构用于驱动调节臂3在预定角度内摆动运动。优选地，调节臂3的摆动带动所述修整盘1在研磨垫的中心和边缘之间运动。由于研磨垫的尺寸大于修整盘1的尺寸，为了确保对研本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种研磨垫修整单元，其特征在于，包括：/n修整盘，用于对研磨垫的表面性能进行修整；/n至少一个喷头，设置在所述修整盘上，用于喷射清洗介质。/n
【技术特征摘要】
1.一种研磨垫修整单元，其特征在于，包括：
修整盘，用于对研磨垫的表面性能进行修整；
至少一个喷头，设置在所述修整盘上，用于喷射清洗介质。
2.根据权利要求1所述研磨垫修整单元，其特征在于，所述修整盘的下表面设置有凹槽，所述喷头设置在所述凹槽内，所述喷头的下表面高于所述修整盘的下表面。
3.根据权利要求2所述研磨垫修整单元，其特征在于，所述修整盘的下表面还设置有用于排出所述清洗介质的路径，所述用于排出所述清洗介质的路径与所述凹槽连通。
4.根据权利要求1所述研磨垫修整单元，其特征在于，所述至少一个喷头为多个喷头，所述多个喷头在所述修整盘上按照十字、一字或环形排列。
5.一种研磨垫修整装置，其特征在于，包括：
调节臂，设置在研磨垫上方；以及
如权利要求1-4任意一项所述的研磨垫修整单元，设置在所述调节臂上。
【专利技术属性】
技术研发人员：丁彦荣，张月，杨涛，卢一泓，刘青，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。