一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品，所述瞬态电压抑制保护器件包括，衬底，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；所述电子产品包括上述瞬态电压抑制保护器件，本发明专利技术实施例公开的技术方案可以在较低电压下触发开启保护，并且电容很小，同时制作工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品
本专利技术实施例涉及集成电路
，具体涉及一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品。
技术介绍
随着电子产品信号传输速率不断增加，后端IC器件工艺制程越来越先进，电子产品对ESD(静电释放)和EOS(电气过应力)的承受能力越来弱，这就需要增加瞬态电压抑制保护器件(TVS)对电子产品后端IC进行防护，同时对TVS器件提出更高的要求。现有低电容TVS产品存在工艺复杂，触发电压较高问题，对后端IC防护存在很大问题。
技术实现思路
本专利技术提供的实施例一个目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓减上述问题。本专利技术提供的实施例另一目的在于提供一种瞬态电压抑制保护器件、制作工艺及电子产品，可以在较低电压下触发开启保护功能，并且器件电容很小，制作工艺简单。第一方面，本专利技术实施例公开了一种瞬态电压抑制保护器件，包括，衬底，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；所述衬底作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。作为本专利技术的优选实施例，所述第一阱和第二阱分别与所述衬底之间形成的pn结的结深相同，所述第一注入区和所述第二注入区分别与所述第一阱和第二阱之间形成的pn结的结深相同。作为本专利技术的优选实施例，所述第一阱和第二阱掺杂浓度相同，所述第一注入区和第二注入区掺杂浓度相同。作为本专利技术的优选实施例，所述第一注入区和第二注入区分别设置在所述第一阱和第二阱中央位置。作为本专利技术的优选实施例，所述第一阱和第二阱之间间隔距离为5-20um。作为本专利技术的优选实施例，所述衬底作为集电极的电阻率为30-1500Ω·cm。与现有技术相比，本专利技术实施例提供了一种瞬态电压抑制保护器件，通过在衬底上形成从左到右相互间隔设置的第一阱和第二阱，其中，第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区，通过将两个第一阱和第二阱共用一个衬底作为共用集电极，这样可以利用半导体穿通特性，解决了高阻衬底三极管单向截止特性导致器件无法正常单独应用的问题，本专利技术实施例提供的保护器件由两个共用集电极的基极开路三极管串联，可以在较低电压下触发开启保护，可以使器件电容减半，获得更小的电容，同时有更高抗浪涌和静电能力。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种瞬态电压抑制保护器件，包括，衬底，外延层，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；所述外延层设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述外延层上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述外延层的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；所述外延层作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。作为本专利技术的优选实施例，所述第一阱和第二阱分别与所述外延层之间形成的pn结的结深相同，所述第一注入区和所述第二注入区分别与所述第一阱和第二阱之间形成的pn结的结深相同。作为本专利技术的优选实施例，所述第一阱和第二阱掺杂浓度相同，所述第一注入区和第二注入区掺杂浓度相同。作为本专利技术的优选实施例，所述外延层的掺杂浓度小于所述衬底。作为本专利技术的优选实施例，所述外延层与所述衬底的掺杂类型相同或者不同。作为本专利技术的优选实施例，所述第一注入区和第二注入区分别设置在所述第一阱和第二阱中央位置。作为本专利技术的优选实施例，所述第一阱和第二阱之间间隔距离为5-20um。作为本专利技术的优选实施例，所述外延层作为集电极的电阻率为30-1500Ω·cm。与现有技术相比，本专利技术实施例提供了一种瞬态电压抑制保护器件，通过在外延层上形成从左到右相互间隔设置的第一阱和第二阱，其中，第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与外延层的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区，通过将两个第一阱和第二阱共用一个外延层作为共用集电极，这样可以利用半导体穿通特性，解决了高阻衬底三极管单向截止特性导致器件无法正常单独应用的问题，本专利技术实施例提供的保护器件由两个共用集电极的基极开路三极管串联，可以在较低电压下触发开启保护，可以使器件电容减半，获得更小的电容，同时有更高抗浪涌和静电能力。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种瞬态电压抑制保护器件的制作工艺，包括，在衬底上形成与所述衬底掺杂类型相反第一阱和第二阱；在所述第一阱和第二阱内形成与所述第一阱和第二阱掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；所述衬底作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出；或，在衬底上形成与衬底掺杂类型相同的外延层；在所述外延层上形成与所述外延层掺杂类型相反第一阱和第二阱；在所述第一阱和第二阱内形成与所述第一阱和第二阱掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；所述外延层作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。与现有技术相比，本专利技术实施例提供的一种瞬态电压抑制保护器件的制作工艺的有益效果与上述第一方面或第二方面任一技术方案所述瞬态电压抑制保护器件的有益效果相同，在此不在赘述。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种电子产品，包括第一方面和第二方面公开的任一技术方案所述的瞬态电压抑制保护器件。与现有技术相比，本专利技术实施例提供的电子产品的有益效果与上述第一方面或第二方面任一技术方案所述瞬态电压抑制保护器件的有益效果相同，在此不做赘述。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一个实施例公开的瞬态电压抑制保护器件的剖面图；图2为本专利技术一个实施例公开的瞬态电压抑制保护器件的等效电路图；图3为本专利技术另一个实施例公开的瞬态电压抑制保护器件的等效电路图；图4为本专利技术另一个实施例公开的瞬态电压抑制保护器件的剖面图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括，衬底，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；/n所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；/n所述衬底作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。/n

【技术特征摘要】
1.一种瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括，衬底，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；
所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述衬底的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；
所述衬底作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。


2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱分别与所述衬底之间形成的pn结的结深相同，所述第一注入区和所述第二注入区分别与所述第一阱和第二阱之间形成的pn结的结深相同。


3.根据权利要求1至2任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱掺杂浓度相同，所述第一注入区和第二注入区掺杂浓度相同。


4.根据权利要求1至2任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一注入区和第二注入区分别设置在所述第一阱和第二阱中央位置。


5.根据权利要求1至2任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第二阱之间间隔距离为5-20um。


6.根据权利要求1至2任一项所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述衬底作为集电极的电阻率为30-1500Ω·cm。


7.一种瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括，衬底，外延层，第一阱，第二阱，第一注入区和第二注入区；
所述外延层设置在所述衬底上，所述第一阱和第二阱依次从左到右相互间隔设置在所述外延层上，所述第一阱和第二阱掺杂类型相同，且分别与所述外延层的掺杂类型相反，所述第一阱和第二阱分别设置有掺杂类型相反的第一注入区和第二注入区；
所述外延层作为共用集电极，所述第一阱和第二阱分别作为基极，所述第一注入区和第二注入区分别通过金属连接作为发射极引出。


8.根据权利要求7所述的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一阱和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张富生，许成宗，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31