一种低电阻透明导电膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种导电材料，尤其涉及一种低电阻透明导电膜。本实用新型专利技术的低电阻透明导电膜，包括基材，其中，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层和保护层，所述的导电层与所述的保护层交替设置；所述的导电层至少两层，所述的保护层至少两层，其中一层所述导电层设于所述基材的表面。本实用新型专利技术提供的低电阻透明导电膜通过含有纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种的导电层和含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物、复合导电性高分子材料等的保护层，形成类似并联的电路，从而大大降低了导电膜的阻值。

【技术实现步骤摘要】
一种低电阻透明导电膜
本技术涉及一种导电材料，尤其涉及一种低电阻透明导电膜。
技术介绍
透明导电薄膜(简称透明导电膜)是一种既能导电又在可见光范围内具有高透光率的导电材料，在触摸屏、平面显示器、太阳能电池、发光二极管等领域有着广泛的应用。作为纳米材料的典型代表，纳米银线(下面简称为：AgNW)透明导电薄膜由于在电学、光学和机械性能方面都有良好的特性，在近几年引起了科研工作者的广泛关注。用AgNW制备的透明导电薄膜，不仅具有可见光透过率高、表面电阻低、表面平整光滑、柔性好等优点，而且相对于现在广泛使用的ITO薄膜价格较为低廉。现有技术中，将纳米银线涂布在透明玻璃等基材上形成透明导电薄膜的生产方法一般为：首先调制纳米银线涂布液，一般是将纳米银线均匀搅拌于胶水中，然后再在其中添加或者不添加辅助剂(一种含有分散剂、固化剂和溶剂的混合物)，然后将调制好的纳米银线涂布液涂布在透明基材表面，形成纳米银线导电涂层，最后再烘烤固化而成。胶水的主要成分为一种或几种高分子有机物，这些高分子有机物通常会降低纳米银线导电层的透过率和导电性，在透过率85％左右时，纳米银线导电薄膜的方阻值一般只能达到20Ω/sq左右。为了降低AgNW透明导电膜的表面电阻，通常通过增加AgNW层的厚度来达到，这样做必然会牺牲导电膜的透光率(即可见光透过率)，增加导电膜的雾度，从而降低导电膜的综合效果。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述缺陷，提供一种低电阻透明导电膜。为实现本技术的目的，本技术采用如下技术方案：<br>一种低电阻透明导电膜，包括基材，其中，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层和保护层，所述的导电层与所述的保护层交替设置；所述的导电层至少两层，所述的保护层至少两层，其中一层所述导电层设于所述基材的表面。进一步的，设于基材表面的导电层的电阻小于其它保护层的电阻。进一步的，所述的导电层含有导电组分；优选，所述的导电组分为纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种；所述的保护层含有树脂或导电材料；优选，所述的树脂含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物，所述的导电材料为复合导电性高分子材料、氧化铟锡或者无机半导体材料。进一步的，所述的共轭结构为吡咯、噻吩、苯胺及其衍生物、低聚吡咯、低聚噻吩、低聚苯胺或它们之间的共聚物中的一种或多种；所述的电荷转移配合物为TMB、TCNQ或两者形成的电荷转移配合物；所述的复合导电性高分子材料为高分子材料内部添加导电填料或者纤维形成的，所述的导电填料为导电碳粉、导电氧化锌、导电ITO、防静电ATO中的一种或多种；所述的无机半导体材料为硒、锗、单晶硅或者第三主族元素和第五主族元素构成的化合物。进一步的，所述的低电阻透明导电膜的方阻为0.1-80Ω/sq，透过率为50-92％，雾度为0.6-20％。进一步的，所述的基材为玻璃、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚酯的一种或者以上材料的共聚物、或混合物、或层压物、或经过功能化涂层处理得到的薄膜；优选所述的聚烯烃为聚乙烯，所述的聚酯为聚对苯二甲酸乙二醇酯。进一步的，所述的基材的厚度为1-200μm，所述的导电层的厚度为10-500nm，所述的保护层的厚度为10-500nm。与现有技术相比，本技术具有如下优点：本技术提供的低电阻透明导电膜通过含有纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种的导电层和含有带共轭结构的化合物、电荷转移配合物、复合导电性高分子材料等的保护层，形成类似并联的电路，从而大大降低了导电膜的阻值。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：图1为本技术的五层结构的低电阻透明导电膜的结构示意图；图2为本技术的七层结构的低电阻透明导电膜的结构示意图；其中，图中：1——基材，2——导电层，3——保护层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。一种低电阻透明导电膜，包括基材1，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层2和保护层3，所述的导电层2与所述的保护层3交替设置；所述的导电层2至少两层，所述的保护层3至少两层，如所述的导电层2和保护层3可以为两层，也可以为三层；其中一层所述导电层2设于所述基材1的表面。如图1所示，提供一种五层结构的低电阻透明导电膜，具体为：一种低电阻透明导电膜，包括基材1、导电层2和保护层3，所述的导电层2与所述的保护层3交替设置，所述的导电层2和保护层3均为两层，其中一层所述导电层2设于所述基材1的表面。如图2所示，提供一种七层结构的低电阻透明导电膜，具体为：一种低电阻透明导电膜，包括基材1、导电层2和保护层3，所述的导电层2与所述的保护层3交替设置，所述的导电层2和保护层3均为三层，其中一层所述导电层2设于所述基材1的表面。所述的导电层2含有纳米银、石墨烯、碳纳米管或导电高分子中的一种或几种，厚度为10-500nm；所述的保护层3含有树脂或导电涂料，具体地说，所述的树脂含有导电基团或导电材料，所述的导电材料为复合导电性高分子材料、带共轭结构的化合物、电荷转移配合物、氧化铟锡或者无机半导体材料厚度为10-500nm。所述的复合导电性高分子材料为高分子材料内部添加导电填料或者纤维，所述的导电填料为导电碳粉、导电氧化锌、导电ITO溶液、防静电ATO溶液中的一种或多种；所述的共轭结构为吡咯、苯胺、噻吩及其衍生物、低聚吡咯、低聚噻吩、低聚苯胺或它们之间的共聚物中的一种或多种；所述的电荷转移配合物为TMB、TCNQ或两者形成的电荷转移配合物；所述的无机半导体材料为硒、锗、单晶硅或者第三主族元素和第五主族元素构成的化合物。所述基材的厚度为1-200μm，基材为玻璃、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚酯的一种或者以上材料的共聚物、或混合物、或层压物、或经过功能化涂层处理得到的薄膜；优选所述的聚烯烃为聚乙烯，所述的聚酯为聚对苯二甲酸乙二醇酯。所述的低电阻透明导电膜的方阻为0.1-80Ω/sq，透过率为50-92％，雾度为0.6-20％。实施例1在本实施例中，提供一种低电阻透明导电膜，如图1所示，包括基材1、两层导电层2和两层保护层3，每层导电层2与每层保护层3交替设置，其中一层导电层2设于所述基材1的表面。基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，厚度125μm；导电层2含有纳米银，厚度100nm；保护层3含有带导电基团低聚噻吩的化合物，厚度100nm。所述的低电阻透明导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低电阻透明导电膜，包括基材(1)，其特征在于，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层(2)和保护层(3)，所述的导电层(2)与所述的保护层(3)交替设置；所述的导电层(2)至少两层，所述的保护层(3)至少两层，其中一层所述导电层(2)设于所述基材(1)的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种低电阻透明导电膜，包括基材(1)，其特征在于，所述的低电阻透明导电膜还包括导电层(2)和保护层(3)，所述的导电层(2)与所述的保护层(3)交替设置；所述的导电层(2)至少两层，所述的保护层(3)至少两层，其中一层所述导电层(2)设于所述基材(1)的表面。


2.根据权利要求1所述的低电阻透明导电膜，其特征在于，设于基材(1)表面的导电层(2)的电阻小于保护层(3)的电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡劲锐，鲁英杰，
申请(专利权)人：惠州达祺光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44