一种用于半熔工艺的坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于半熔工艺的坩埚，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体内的硅板，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述硅板设置在所述底座上，所述硅板为多晶硅薄板、切片余料板、或所述多晶硅薄板和所述切片余料板交替层叠形成的复合板。本实用新型专利技术提供的坩埚可以用于半熔工艺，以制备多晶硅锭，其中硅板可以阻隔硅料与坩埚本体底座的直接接触，避免在铸锭过程中硅锭受到杂质污染，减少尾部红区，提高硅锭的出材率，提高硅锭切片数量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半熔工艺的坩埚
本技术涉及晶体硅铸锭
，特别涉及一种用于半熔工艺的坩埚。
技术介绍
多晶硅铸锭过程中，硅锭会受到杂质影响，从而在头尾部出现少子寿命红区(不良区域)。其中，尾部红区可以通过提高坩埚和氮化硅涂层的纯度而改善。但是，由于尾部结晶最早，受到坩埚和氮化硅涂层的金属侵袭时间最长，仅依靠提高坩埚和氮化硅涂层的纯度还是很难将尾部红区控制在合适范围内。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种用于半熔工艺的坩埚，将硅板置于坩埚本体的底座上，以阻隔在铸锭过程中硅料与底座的直接接触，避免硅锭受到杂质污染，降低杂质污染，减少尾部红区，提高硅锭的出材率，提高硅锭切片数量。第一方面，本技术提供了一种用于半熔工艺的坩埚，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体内的硅板，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述硅板设置在所述底座上，所述硅板为多晶硅薄板、切片余料板、或所述多晶硅薄板和所述切片余料板交替层叠形成的复合板。可选的，所述切片余料板由多个切片余料片无缝拼接形成。在本技术中，硅锭在切片过程中，头尾部不良区域无需进行切片，称之为切片余料片。切片余料板由多个切片余料片无缝拼接形成，以使在铸锭过程中硅料不与底座接触，避免硅锭受到杂质污染。可选的，所述切片余料片的横向尺寸为156mm-200mm。进一步的，所述切片余料片的横向尺寸为156mm-170mm。更进一步的，所述切片余料片的横向尺寸为156mm-166mm。可选的，所述切片余料板的厚度为0.5mm-2mm。进一步的，所述切片余料板的厚度为0.8mm-1.6mm。可选的，所述多晶硅薄板由多个多晶硅薄片无缝拼接形成。可选的，所述多晶硅薄片的横向尺寸为156mm-200mm。进一步的，所述多晶硅薄片的横向尺寸为156mm-170mm。更进一步的，所述多晶硅薄片的横向尺寸为156mm-166mm。可选的，所述多晶硅薄板的厚度为0.5mm-2mm。进一步的，所述多晶硅薄板的厚度为0.8mm-1.5mm。可选的，当所述硅板为所述多晶硅薄板和所述切片余料板交替层叠形成的复合板时，所述硅板与所述底座贴合设置的为多晶硅薄板或切片余料板。在本技术中，当所述硅板为所述复合板时，所述多晶硅薄板和所述切片余料板的层数或厚度均不作限定。可选的，所述复合板包括1-6层的多晶硅薄板以及1-6层的切片余料板。在本技术中，当所述硅板为所述复合板时，其中多个所述多晶硅薄板的厚度可以相同，也可以不同；多个所述切片余料板的厚度可以相同，也可以不同。可选的，所述硅板的厚度为1mm-10mm。进一步的，所述硅板的厚度为2mm-10mm。更进一步的，所述硅板的厚度为4mm-9mm。可选的，所述硅板完全覆盖所述底座。可选的，所述硅板与所述底座完全贴合设置。在本技术中，所述硅板完全覆盖所述底座和/或所述硅板与所述底座完全贴合设置均可以有效避免铸锭过程中硅料与底座的直接接触，改善硅锭尾部红区，提高硅锭良率。可选的，所述硅板远离所述底座一侧的表面上设置有氮化硅层。可选的，所述氮化硅层的厚度为0.1mm-0.5mm。进一步的，所述氮化硅层的厚度为0.2mm-0.45mm。在本技术中，所述氮化硅层可以完全覆盖所述硅板，也可以覆盖部分所述硅板。在铸锭过程中，硅料放置在具有氮化硅层的硅板上。在本技术中，所述硅板可以重复利用，且仅在所述硅板上设置氮化硅层，而不需在坩埚本体底座上再次设置氮化硅层，节省氮化硅用量，节约成本。可选的，所述坩埚本体为圆形、方形或不规则形状。本技术的有益效果：本技术提供了一种用于半熔工艺的坩埚，将硅板置于坩埚本体的底座上，以阻隔在铸锭过程中硅料与底座的直接接触，避免硅锭受到杂质污染，降低杂质污染，减少尾部红区，提高硅锭的出材率，提高硅锭切片数量。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。图1为本技术提供的一种用于半熔工艺的坩埚的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供了一种用于半熔工艺的坩埚，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体内的硅板，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述硅板设置在所述底座上。请参阅图1，为本技术提供了一种用于半熔工艺的坩埚的截面示意图，包括坩埚本体10和设置在坩埚本体10内的硅板20，坩埚本体10包括底座11和由底座11向上延伸的侧壁12，硅板20设置在底座11上，硅板20为多晶硅薄板、切片余料板、或所述多晶硅薄板和所述切片余料板交替层叠形成的复合板。本技术实施方式中，切片余料板由多个切片余料片无缝拼接形成。在本技术中，硅锭在切片过程中，头尾部残留有不用切片的部分称之切片余料片。切片余料板由多个切片余料片无缝拼接形成，以使在铸锭过程中硅料不与底座11接触，避免硅锭受到杂质污染。本技术实施方式中，切片余料片的横向尺寸为156mm-200mm。进一步的，切片余料片的横向尺寸为156mm-170mm。更进一步的，所述切片余料片的横向尺寸为156mm-166mm。具体的，切片余料片的横向尺寸可以但不限于为156mm、157.75mm、158mm、158.75mm、166mm、180mm或195mm。本技术实施方式中，切片余料板的厚度为0.5mm-2mm。进一步的，切片余料板的厚度为0.8mm-1.6mm。具体的，切片余料板的厚度可以但不限于为0.5mm、0.75mm、0.8mm、1.0mm、1.2mm或1.7mm。本技术实施方式中，多晶硅薄板由多个多晶硅薄片无缝拼接形成。本技术实施方式中，多晶硅薄片的横向尺寸为156mm-200mm。进一步的，多晶硅薄片的横向尺寸为156mm-170mm。更进一步的，切片余料片的横向尺寸为156mm-166mm。具体的，多晶硅薄片的横向尺寸可以但不限于为156mm、157.75mm、158mm、158.75mm、166mm、175mm或190mm。本技术实施方式中，多晶硅薄板的厚度为0.5mm-2mm。进一步的，多晶硅薄板的厚度为0.8mm-1.5mm。具体的，多晶硅薄板的厚度可以但不限于为0.5mm、0.6mm、0.75mm、0.9mm、1.2mm或1.8mm。本技术实施方式中，当硅板20为多晶硅薄板和切片余料板交替层叠形成的复合板时，硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半熔工艺的坩埚，其特征在于，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体内的硅板，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述硅板设置在所述底座上，所述硅板为多晶硅薄板和切片余料板交替层叠形成的复合板，所述硅板的厚度为1mm-10mm，所述硅板远离所述底座一侧的表面上设置有氮化硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半熔工艺的坩埚，其特征在于，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体内的硅板，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述硅板设置在所述底座上，所述硅板为多晶硅薄板和切片余料板交替层叠形成的复合板，所述硅板的厚度为1mm-10mm，所述硅板远离所述底座一侧的表面上设置有氮化硅层。


2.如权利要求1所述的用于半熔工艺的坩埚，其特征在于，所述切片余料板由多个切片余料片无缝拼接形成。


3.如权利要求2所述的用于半熔工艺的坩埚，其特征在于，所述切片余料片的横向尺寸为156mm-200mm。


4.如权利要求1所述的用于半熔工艺的坩埚，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡润光，李建敏，陈欣文，黄俊，
申请(专利权)人：赛维LDK太阳能高科技新余有限公司，江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36