新型耐用的阳极层离子源制造技术

本申请属于离子源辅助镀膜的技术领域，尤其涉及新型耐用的阳极层离子源。所述基座上安装腔、所述基座上端面上设有外阴极和内阴极，且所述外阴极和内阴极与阳极之间留有间隙，所述安装腔内还设有均气座，所述均气座上设有若干等间隔设置且与间隙连通的导气孔，通过增加均气座的结构，使得工艺气体进入到工作的空间前，需要经过均气座上的导气孔，而通过多个等间距设置的导气孔相当于将工艺气体均匀分散，从而使其更均匀的进入到阴极和阳极之间的间隙中，实现其均匀布满工艺气体，达到离子源工作时等离子浓度均衡稳定，使得镀膜的质量更稳定。

【技术实现步骤摘要】
新型耐用的阳极层离子源
本技术属于离子源辅助镀膜的
，尤其涉及新型耐用的阳极层离子源。
技术介绍
阳极离子源镀膜一种广泛应用于精密光学，半导体，微电子，装饰薄膜，硬质薄膜等领域，其作用主要为提高基材的附着力(玻璃、PET、PMMA、不锈钢等)，同时有效的控制膜层内应力，改善微观结构和致密性。其工作原理为，在离子源阳极附近磁力线和电力线几乎是正交的，这种交叉电磁场的存在捕获了电子，这些电子绕磁力线旋转并且在阳极附近区域内作角向漂移，形成霍尔电流，从而增加了电子与中性气体分子或原子的碰撞几率，提高了气体的离化率。在阳极表面附近区域由于电子和中性气体碰撞电离形成了等离子体，其中离子在阳极和阴极电势差以及交叉电磁场所形成的霍尔电流的共同加速下，从离子源下游引出。由于离子的产生和加速发生在阳极附近的一个狭小的区域，所以把这种离子源叫做阳极层离子源。目前的阳极层线性离子源主要存在以下缺陷：1.离子源外阴极和内阴极容易被电场电离的电子侵蚀，产生粉末和削状污染物，容易导致阴极和阳极之间短路，影响使用寿命；2.针对阳极做冷却，阴极没有冷却；3.布气结构不合理，工艺气体分布不均匀，导致工作时等离子的浓度不均衡，影响镀膜的质量。
技术实现思路
为解决现有技术中布气结构不合理导致等离子浓度不均衡的问题，本技术提供了新型耐用的阳极层离子源。本技术是通过以下技术方案实现的：新型耐用的阳极层离子源，包括基座，所述基座上设有向下凹陷用于安装阳极的安装腔、所述基座上端面上设有外阴极和内阴极，且所述外阴极和内阴极与阳极之间留有间隙，所述安装腔内还设有均气座，所述均气座上设有若干等间隔设置且与间隙连通的导气孔，所述基座的下端面上设有用于导入工艺气体的通气孔，从所述通气孔导入的工艺气体需经过均气座上的导气孔分散后导入至外阴极和内阴极与阳极之间留有间隙中。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，所述内阴极上设有阴极冷却水道，所述阳极上设有阳极冷却水道。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，所述均气座上设有与其上端面连通的上环形空腔、与其下端面连通的下环形空腔以及位于上环形空腔和下环形空腔之间的分隔部，所述导气孔设于分隔部上使所述上环形空腔和下环形空腔连通，所述上环形空腔与间隙连通。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，所述通气孔也设有多个，且与所述导气孔一一相对。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，所述基座下端面上设有上凹的第二空腔，所述通气孔设于第二空腔内，且新型耐用的阳极层离子源还包括设于第二空腔内且与第二空腔围成与外界密封的进气空腔的布线盒。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，所述布线盒的下端中部设有进气口。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，所述布线盒上还设有与所述阴极冷却水道连通的第一管道和与所述阳极冷却水道连通的第二管道。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，所述阳极冷却水道外还设有聚四氟套。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，所述内阴极和外阴极的夹角为80°。如上所述的新型耐用的阳极层离子源，相邻两个所述的导气孔之间的间隙为8至10mm，且所述导气孔的孔径为1至2mm。与现有技术相比，本技术有如下优点：1、本技术提供了新型耐用的阳极层离子源，通过增加均气座的结构，使得工艺气体进入到工作的空间前，需要经过均气座上的导气孔，而通过多个等间距设置的导气孔相当于将工艺气体均匀分散，从而使其更均匀的进入到阴极和阳极之间的间隙中，实现其均匀布满工艺气体，达到离子源工作时等离子浓度均衡稳定，使得镀膜的质量更稳定。2、本技术新型耐用的阳极层离子源，在阳极处设置阳极冷却水路，在阴极处设置阴极冷却水路，可以有效的实现长时间工作，不会因为温升导致异常。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术新型耐用的阳极层离子源的结构示意图一；图2为新型耐用的阳极层离子源的结构爆炸图一；图3为图2的A部放大图；图4为新型耐用的阳极层离子源的切面立体图(沿导气孔的切面)；图5为本技术新型耐用的阳极层离子源的结构爆炸图二；图6为本技术新型耐用的阳极层离子源的结构示意图二图7为本技术新型耐用的阳极层离子源沿导气孔轴线的截面图(图中箭头方向为工艺气体的流动方向示意)；图8为图6的B-B截面图(沿第一管道轴线的切面)；图9为图6的A-A截面图(沿第二管道轴线的切面)；图10为均气座的结构示意图。【具体实施方式】为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术是通过以下技术方案实现的：如图1至图10所示，新型耐用的阳极层离子源，包括基座8，所述基座8上设有向下凹陷用于安装阳极12的安装腔81、所述基座8上端面上设有外阴极1和内阴极3，且所述外阴极1和内阴极3与阳极12之间留有间隙82，所述安装腔81内还设有均气座11，所述均气座11上设有若干等间隔设置且与间隙82连通的导气孔11a，所述基座8的下端面上设有用于导入工艺气体的通气孔821，从所述通气孔821导入的工艺气体需经过均气座11上的导气孔11a分散后导入至外阴极1和内阴极3与阳极12之间留有间隙82中。本技术提供了新型耐用的阳极层离子源，通过增加均气座的结构，使得工艺气体进入到工作的空间前，需要经过均气座上的导气孔，而通过多个等间距设置的导气孔相当于将工艺气体均匀分散，从而使其更均匀的进入到阴极和阳极之间的间隙中，实现其均匀布满工艺气体，达到离子源工作时等离子浓度均衡稳定，使得镀膜的质量更稳定。本方案特别针对长条形的离子源，其长度及镀膜产品的宽度，其由于进入口都是在一个位置进去，等气体从进气口进入到阳极与阴极的间隙中电离时，一般是靠近进气口位置的浓度高，远离进气口的一端浓度低，从而造成等离子的浓度不稳定，影响镀膜的质量。具体地，所述均气座11上设有与其上端面连通的上环形空腔111、与其下端面连通的下环形空腔112以及位于上环形空腔111和下环形空腔112之间的分隔部113，所述导气孔11a设于分隔部113上使所述上环形空腔111和下环形空腔112连通，所述上环形空腔111与间隙82连通。即环境空腔是连通的，只是通过分隔部将其隔开，使得工艺气体首先进入到下环形空腔112内，而由于导气孔11a的存在，位于下环形空腔内的工艺气体仅能沿导气孔11a流到上环形空腔111内，故多个导气孔以及分隔部113起到对气体的分散，从而均匀的从每个导气孔流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.新型耐用的阳极层离子源，其特征在于，包括基座(8)，所述基座(8)上设有向下凹陷用于安装阳极(12)的安装腔(81)、所述基座(8)上端面上设有外阴极(1)和内阴极(3)，且所述外阴极(1)和内阴极(3)与阳极(12)之间留有间隙(82)，所述安装腔(81)内还设有均气座(11)，所述均气座(11)上设有若干等间隔设置且与间隙(82)连通的导气孔(11a)，所述基座(8)的下端面上设有用于导入工艺气体的通气孔(821)，从所述通气孔(821)导入的工艺气体需经过均气座(11)上的导气孔(11a)分散后导入至外阴极(1)和内阴极(3)与阳极(12)之间留有间隙(82)中。/n

【技术特征摘要】
1.新型耐用的阳极层离子源，其特征在于，包括基座(8)，所述基座(8)上设有向下凹陷用于安装阳极(12)的安装腔(81)、所述基座(8)上端面上设有外阴极(1)和内阴极(3)，且所述外阴极(1)和内阴极(3)与阳极(12)之间留有间隙(82)，所述安装腔(81)内还设有均气座(11)，所述均气座(11)上设有若干等间隔设置且与间隙(82)连通的导气孔(11a)，所述基座(8)的下端面上设有用于导入工艺气体的通气孔(821)，从所述通气孔(821)导入的工艺气体需经过均气座(11)上的导气孔(11a)分散后导入至外阴极(1)和内阴极(3)与阳极(12)之间留有间隙(82)中。


2.根据权利要求1所述的新型耐用的阳极层离子源，其特征在于，所述内阴极(3)上设有阴极冷却水道(2)，所述阳极(12)上设有阳极冷却水道(5)。


3.根据权利要求1所述的新型耐用的阳极层离子源，其特征在于，所述均气座(11)上设有与其上端面连通的上环形空腔(111)、与其下端面连通的下环形空腔(112)以及位于上环形空腔(111)和下环形空腔(112)之间的分隔部(113)，所述导气孔(11a)设于分隔部(113)上使所述上环形空腔(111)和下环形空腔(112)连通，所述上环形空腔(111)与间隙(82)连通。


4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜翠宁，徐从高，
申请(专利权)人：广东生波尔光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44