电荷传输性清漆制造技术

本发明专利技术提供电荷传输性清漆，其包含(A)芳基磺酸酯化合物，(B)具有至少一个氮原子且全部氮原子具有叔芳胺结构的叔芳胺化合物，和(C)有机溶剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电荷传输性清漆
本专利技术涉及电荷传输性清漆。
技术介绍
有机EL元件中，使用包括有机化合物的电荷传输性薄膜作为发光层或电荷注入层。特别是，空穴注入层承担阳极与空穴传输层或发光层的电荷给受，为了实现有机EL元件的低电压驱动和高亮度而发挥重要的功能。空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法与以旋转涂布法为代表的湿法。若比较这些方法，则湿法可有效地制造大面积且平坦性高的薄膜。因此，已在进展有机EL显示器的大面积化的现在，期望能以湿法形成的空穴注入层。鉴于这样的事情，本专利技术人已开发可适用于各种湿法并且赋予可适用于有机EL元件的空穴注入层时可实现优异特性的薄膜的电荷传输性材料、或对于用于其的有机溶剂的溶解性良好的化合物、以及电荷传输性清漆(例如参考专利文献1～5)。作为可溶于有机溶剂的电荷传输性材料，特别是芳基胺化合物在广为研究开发，进而叔芳胺化合物在干法(例如参考非专利文献1)、湿法(例如参考专利文献5、6)两者中均可作为空穴注入材料而应用。作为显现上述叔芳胺化合物的导电性的方法，一般已知与金属氧化物或氰基化合物组合(例如参考专利文献5、6、非专利文献1)。另外，通过使叔芳胺化合物阳离子化，并与阴离子化的磺酸化合物共存，也可显现导电性(例如参考专利文献6)。另一方面，利用中性状态的叔芳胺化合物与中性状态的磺酸化合物的组合而显现导电性尚未知。这被认为主要原因是可溶解中性状态的叔芳胺化合物的溶剂种类(一般为非极性溶剂)与可溶解中性状态的磺酸化合物的溶剂种类(极性溶剂)不同。现有技术文献专利文献专利文献1国际公开第2008/032616号专利文献2国际公开第2008/129947号专利文献3国际公开第2006/025342号专利文献4国际公开第2010/058777号专利文献5国际公开第2015/050253号专利文献6日本专利第5994213号公报专利文献7日本专利第5136795号公报非专利文献非专利文献1JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.45,No.12,pp.9219-9223(2006)
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术人已报导通过使磺酸化合物酯化，不仅可溶解于极性溶剂，而且也可溶于非极性溶剂(专利文献7)。通过该报导，虽已明确通过使仲芳化合物与磺酸酯化合物组合而可显现导电性，但另一方面，叔芳胺化合物利用磺酸酯化合物能否显现导电性则尚未明确。本专利技术为鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供于形成薄膜时可显现导电性的包含芳基磺酸酯化合物与叔芳胺化合物的电荷传输性清漆。用于解决课题的手段本专利技术人为实现上述目的而不断积极研究，结果发现，使用包含芳基磺酸酯化合物与具有至少一个氮原子且全部氮原子具有叔芳胺结构的叔芳胺化合物的电荷传输性清漆所得到的薄膜显现导电性，因而完成本专利技术。因此，本专利技术提供下述电荷传输性清漆。1.电荷传输性清漆，其包含(A)芳基磺酸酯化合物，(B)具有至少一个氮原子且全部氮原子具有叔芳胺结构的叔芳胺化合物，和(C)有机溶剂。2.如1所述的电荷传输性清漆，其中所述芳基磺酸酯化合物为含氟原子的芳基磺酸酯化合物。3.如1所述的电荷传输性清漆，其中所述芳基磺酸酯化合物由下述式(1)或(1’)表示：[化1][式中，A1为可具有取代基的含1个以上芳环的碳数6～20的m价烃基或由下述式(2)或(3)表示的化合物衍生的m价基团；[化2](式中，W1和W2分别独立地为-O-、-S、-S(O)-或-S(O2)-、或可具有取代基的-N-、-Si-、-P-或-P(O)-。)A2为-O-、-S-或-NH-；A3为碳数6～20的(n+1)价的芳族基团；X1为碳数2～5的亚烷基，在该亚烷基的碳原子间可介入-O-、-S-或羰基，该亚烷基的氢原子的一部分或全部可进而被碳数1～20的烷基取代；X2为单键、-O-、-S-或-NR-，R为氢原子或碳数1～10的1价烃基；X3为可具有取代基的碳数1～20的1价烃基；m为满足1≤m≤4的整数；n为满足1≤n≤4的整数]。4.如3所述的电荷传输性清漆，其中A1为被氟原子取代的含1个以上芳环的碳数6～20的m价烃基或由式(2)或(3)表示的化合物衍生的m价基团。5.如1～4中任一项所述的电荷传输性清漆，其中所述芳基磺酸酯化合物由下述式(1-1)～(1-3)中的任意一个表示：[化3](式中，Rs1～Rs4分别独立地为氢原子、或直链状或分支状的碳数1～6的烷基，Rs5为可具有取代基的碳数2～20的1价烃基；A11为由全氟联苯衍生的m价基团，A12为-O-或-S-，A13为由萘或蒽衍生的(n+1)价的基团；m和n与上述相同。)[化4](式中，Rs6和Rs7分别独立地为氢原子、或直链状或分支状的1价脂肪族烃基，Rs8为直链状或分支状的1价脂肪族烃基，但Rs6、Rs7和Rs8的合计碳数为6以上；A14为可具有取代基的含1个以上芳环的m价烃基、A15为-O-或-S-，A16为(n+1)价的芳族基团；m和n与上述相同。)[化5](式中，Rs9～Rs13分别独立地为氢原子、硝基、氰基、卤素原子、碳数1～10的烷基、碳数1～10的卤化烷基或碳数2～10的卤化烯基；Rs14～Rs17分别独立地为氢原子、或直链状或分支状的碳数1～20的1价脂肪族烃基；Rs18为直链状或分支状的碳数1～20的1价脂肪族烃基，或-ORs19-，Rs19为可具有取代基的碳数2～20的1价烃基；A17为-O-、-S-或-NH-；A18为(n+1)价芳族基团；n与上述相同。)6.如1～5中任一项的电荷传输性清漆，其中所述叔芳胺化合物为具有至少2个氮原子且全部氮原子具有叔芳胺结构的叔芳胺化合物。7.如1～6中任一项的电荷传输性清漆，其中所述有机溶剂为低极性有机溶剂。8.电荷传输性薄膜，其为由如1～7中任一项的电荷传输性清漆而得到的电荷传输性薄膜。9.有机EL元件，其具有如8所述的电荷传输性薄膜。专利技术效果本专利技术的电荷传输性清漆中的磺酸酯化合物不论低分子、高分子，均可广泛作用于叔芳胺化合物而显现导电性。另外，清漆中，上述磺酸化合物与导电性材料同时为中性状态，与包含阴离子或阳离子的清漆不同，墨导电率成为零。由此，可提供能实现适用于有机EL元件时的优异元件特性、大气稳定性优异的空穴注入性清漆。另外，由本专利技术的电荷传输性清漆所得的薄膜由于显示高电荷传输性，故作为空穴注入层或空穴传输层使用时，可降低有机EL元件的驱动电压。利用该薄膜的高平坦性和高电荷传输性，也可广泛应用于太阳能电池的空穴传输层、燃料电池用电极、电容器电极保护膜、抗静电膜。...

【技术保护点】
1.电荷传输性清漆，其包含(A)芳基磺酸酯化合物，(B)具有至少一个氮原子且全部氮原子具有叔芳胺结构的叔芳胺化合物，和(C)有机溶剂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171220 JP 2017-2435501.电荷传输性清漆，其包含(A)芳基磺酸酯化合物，(B)具有至少一个氮原子且全部氮原子具有叔芳胺结构的叔芳胺化合物，和(C)有机溶剂。


2.根据权利要求1所述的电荷传输性清漆，其中所述芳基磺酸酯化合物为含氟原子的芳基磺酸酯化合物。


3.根据权利要求1所述的电荷传输性清漆，其中所述芳基磺酸酯化合物由下述式(1)或(1’)表示：
[化1]



式中，A1为可具有取代基的含1个以上芳环的碳数6～20的m价烃基或由下述式(2)或(3)表示的化合物衍生的m价基团；
[化2]



式中，W1和W2分别独立地为-O-、-S、-S(O)-或-S(O2)-、或者可具有取代基的-N-、-Si-、-P-或-P(O)-；
A2为-O-、-S-或-NH-；
A3为碳数6～20的(n+1)价的芳族基团；
X1为碳数2～5的亚烷基，在该亚烷基的碳原子间可介入-O-、-S-或羰基，该亚烷基的氢原子的一部分或全部可进而被碳数1～20的烷基取代；
X2为单键、-O-、-S-或-NR-，R为氢原子或碳数1～10的1价烃基；
X3为可具有取代基的碳数1～20的1价烃基；
m为满足1≤m≤4的整数；
n为满足1≤n≤4的整数。


4.根据权利要求3所述的电荷传输性清漆，其中A1为被氟原子取代的含1个以上芳环的碳数6～20的m价烃基或由式(2)或(3)表示的化合物衍生的m价基团。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的电荷传输性清漆，其中所述芳基磺酸酯化合物由下述式(1-1)～(1-3)中的任一个表示：
[化3]

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤岁幸，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP