QLED发光器件制造技术

本发明专利技术实施例提供的QLED发光器件包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层；通过在靠近电子注入层一侧的量子点层间设置绝缘层，降低了电子的传输速率,从而平衡电子和空穴传输速率，提高QLED发光效率。

【技术实现步骤摘要】
QLED发光器件
本专利技术涉及QLED显示
，尤其涉及一种QLED发光器件。
技术介绍
现有QLED发光器件中，发光层由多层量子点层组成，空穴的传输速率小于电子的传输速率，因此在量子点层中会有电子积聚，发射激子猝灭，需要解决现有QLED发光器件的发光功能层中的电子积聚的问题，因此现有QLED发光器件存在电子和空穴传输不平衡的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种QLED发光器件，可缓解现有QLED发光器件存在电子和空穴传输不平衡的技术问题。本专利技术实施例提供一种QLED发光器件，包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，在所述发光层内，相邻两所述量子点间均设置有所述绝缘层。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，靠近所述电子注入层一侧的所述绝缘层的厚度大于靠近所述空穴注入层一侧的所述绝缘层的厚度。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，从靠近所述电子注入层的一侧到靠近所述空穴注入层的一侧，所述绝缘层的厚度依次递减。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，所述绝缘层的制备材料为聚甲基丙烯酸甲酯材料。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，所述绝缘层的厚度范围为3纳米至8纳米。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，靠近所述电子注入层一侧的所述绝缘层的厚度范围为6纳米至8纳米。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，靠近所述空穴注入层一侧的所述绝缘层的厚度范围为3纳米至5纳米。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，在靠近所述电子注入层一侧，所述绝缘层的厚度相等，在靠近所述电子注入层一侧，相邻两所述量子点层间未设置所述绝缘层。在本专利技术实施例提供的QLED发光器件中，在靠近所述电子注入层一侧，相邻两所述量子点层间设置有至少两层所述绝缘层。有益效果：本专利技术实施例提供的QLED发光器件包括衬底、阵列层、像素定义层、发光功能层、以及封装层，所述发光功能层包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层；其中，通过在量子点层靠近电子注入层一侧设置绝缘层，阻挡电子传输，降低了电子传输速率，同时量子点层的膜质可以得到改善，,从而平衡电子和空穴传输速率，提高QLED发光效率，缓解了现有QLED发光器件存在电子和空穴传输不平衡的技术问题。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本专利技术实施例提供的QLED发光器件的截面示意图；图2为本专利技术实施例提供的QLED发光器件的发光功能层的第一种截面示意图；图3为本专利技术实施例提供的QLED发光器件的发光功能层的第二种截面示意图；图4为本专利技术实施例提供的QLED发光器件的发光功能层的第三种截面示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。为了方便说明，本专利技术实施例提供一种包括QLED发光器件的QLED显示面板，具体如下所述：如图1、图2所示，本专利技术实施例提供的QLED显示面板1包括衬底10、阵列层20、像素定义层30、发光功能层40、以及封装层50，所述发光功能层40设置在所述像素定义层30上方，所述发光功能层40包括电子注入层407、电子传输层406、发光层402、空穴传输层405、空穴注入层404，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层4021，在靠近所述电子注入层407一侧，所述量子点层4021之间设置有绝缘层4022。本专利技术实施例提供的QLED显示面板1包括衬底10、阵列层20、像素定义层30、发光功能层40、以及封装层50，所述发光功能层40设置在所述像素定义层30上方，所述发光功能层40包括电子注入层407、电子传输层406、发光层402、空穴传输层405、空穴注入层404，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层4021，在靠近所述电子注入层407一侧，所述量子点层4021之间设置有绝缘层4022；其中，通过在量子点层4021靠近电子注入层407一侧设置绝缘层4022，阻挡电子传输，降低了电子传输速率，同时量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED发光器件，其特征在于，包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层。/n

【技术特征摘要】
1.一种QLED发光器件，其特征在于，包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层。


2.如权利要求1所述的QLED发光器件，其特征在于，在所述发光层内，相邻两所述量子点间均设置有所述绝缘层。


3.如权利要求2所述的QLED发光器件，其特征在于，靠近所述电子注入层一侧的所述绝缘层的厚度大于靠近所述空穴注入层一侧的所述绝缘层的厚度。


4.如权利要求3所述的QLED发光器件，其特征在于，从靠近所述电子注入层的一侧到靠近所述空穴注入层的一侧，所述绝缘层的厚度依次递减。


5.如权利要求1所述的QLED发光器件，其特征在于，所述绝缘层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵金阳，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44