发光器件及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种发光器件及其制备方法和显示装置，其中，发光器件包括包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和P型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍。该发光器件通过在发光结构的空穴传输层和量子点发光层之间设置偶极层，能够降低NiO空穴传输层/量子点发光层界面空穴注入势垒，提高NiO空穴传输层的空穴注入效率，提高发光结构的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法和显示装置
本专利技术涉及显示器件
，特别是涉及一种发光器件及其制备方法和显示装置。
技术介绍
由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快，可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，目前已步入商业化的轨道，但寿命问题成为阻碍QLED发展的关键问题。对于QLED寿命的不足的原因，目前并没有明确的定论，可能是由于缺乏合适的空穴传输材料导致电子空穴不平衡且电子过量导致的，也可能是量子点自身的一些并未被发现的缺陷导致的，等等。总而言之，不断深入探究QLED的发光和衰退机制，提高其效率和寿命是科研人员不断努力的方向。其中，为了促进QLED电荷平衡，基于氧化镍(NiO)的无机材料空穴传输层被引入到QLED中，人们认为无机材料的空穴导电性和稳定性都会好于有机材料，因此NiO空穴传输材料被寄予厚望。目前，QLED中制备NiO空穴传输层的方法主要是借鉴其在太阳能电池中的成膜方法，即溶胶-凝胶法。具体来说，即是将含有Ni的前驱体溶液沉积在基板上，然后高温退火使其发生水解反应生成NiO。为了使生成的NiO具有良好的空穴迁移率，往往需要300℃～500℃的高温处理，显而易见，这种方式对QLED是极不适用的，因为这样的高温几乎破坏了所有的其他功能层的性能。为了避免高温对器件的破坏，低温(150℃～200℃)处理也见报道，但低温处理的NiO薄膜空穴迁移率明显较低，达不到人们的要求。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够提高发光效率的发光器件。一种发光器件，包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和P型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍(NiOOH)。在其中一个实施例中，所述偶极层的材料还包括聚合物，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。在其中一个实施例中，所述聚合物选自聚丙烯酰胺(PAM)或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。在其中一个实施例中，所述聚合物与所述羟基氧化镍的质量比为1:(0.01～0.1)。在其中一个实施例中，所述偶极层是经过紫外臭氧处理的。在其中一个实施例中，所述偶极层的厚度为0.5nm～7nm。在其中一个实施例中，所述量子点发光层的材料选自II-VI族化合物半导体纳米材料、III-V族化合物半导体纳米材料、I-III-VI族化合物半导体纳米材料、IV族单质半导体纳米材料和钙钛矿量子点中的一种。本专利技术另一目的在于提供一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：提供基板；于所述基板上形成第一电极；于所述第一电极上形成发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和P型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍；于所述发光结构上形成第二电极，得到所述发光器件。在其中一个实施例中，所述制备方法还包括对所述羟基氧化镍进行钝化处理的步骤。在其中一个实施例中，所述钝化处理为将所述羟基氧化镍与聚合物混合，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。在其中一个实施例中，所述制备方法还包括对所述偶极层进行紫外-臭氧处理的步骤。本专利技术又一目的在于提供一种显示装置，包括上述的发光器件或采用上述方法制备得到的发光器件。上述发光器件，通过在发光结构的空穴传输层和量子点发光层之间设置偶极层，偶极层的材料包括羟基氧化镍，能够降低NiO空穴传输层/量子点发光层界面空穴注入势垒的作用，从而可以提高NiO空穴传输层的空穴注入效率，达到提高发光器件的发光效率的作用。附图说明图1为本专利技术一实施方式的发光器件的结构示意图；图2为本专利技术一实施例发光器件的发光结构的能极结构示意图；图3为本专利技术另一实施例发光器件的发光结构的能极结构示意图；图4为本专利技术一实施例的QLED器件的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述，并给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。NiO是一种无机的P型半导体，用作空穴传输层的材料，具有比有机材料的空穴传输层更好的空穴迁移率和稳定性，但传统的溶胶-凝胶制备NiO薄膜的方法需要高温(350℃～500℃)处理，不适合发光器件的制备，而低温处理会导致NiO空穴迁移率降低。因此，为了提高NiO空穴传输层的性能，本专利技术在NiO空穴传输层和量子点发光层之间设置偶极层，来提高空穴传输层表面功函数，降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。请参见图1，本专利技术一实施方式提供的一种发光器件100，包括基板110、层叠设置于基板110上的第一电极120和第二电极140，以及设于第一电极120和第二电极140之间的发光结构130。可理解，第一电极120和第二电极140中的一个可作为阳极，另一个可作为阴极。例如，在图4所示的具体实施例中，第一电极作为阳极，第二电极作为阴极。在其他实施例中，第一电极作为阴极，第二电极作为阳极。具体地，第一电极或第二电极的材料可以是透明或半透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等；也可以是不透明的金属材料，例如镁、铝、银、镁银合金等。可以理解，当以不透明金属材料为第一电极材料(阳极)，透明或半透明导电材料为第二电极材料(阴极)时，显示器件为正式结构，即顶发射显示器件；当以透明导电材料为第一电极材料(阴极)，以不透明金属材料为第二电极材料(阳极)时，显示器件为反式结构，即底发射显示器件。发光结构130包括空穴传输层131、量子点发光层133，以及设置在空穴传输层131和量子点发光层133之间的偶极层132；其中，空穴传输层131的材料包括纳米NiO和P型掺杂纳米NiO中的至少一种；偶极层的材料包括NiOOH。请参见图2，上述发光器件100的发光结构130，通过在空穴传输层131和量子点发光层133之间设置偶极层132，偶极层132的材料包括羟基氧化镍，能够有效提高NiO空穴传输层131表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和p型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和p型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述偶极层的材料还包括聚合物，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述聚合物选自聚丙烯酰胺或聚乙烯吡咯烷酮。


4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述聚合物与所述羟基氧化镍的质量比为1:(0.01～0.1)。


5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述偶极层是经过紫外臭氧处理的。


6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述偶极层的厚度为0.5nm～7nm。


7.根据权利要求1～6任一项所述的发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料选自II-VI族化合物半导体纳米材料、III-V族化合物半导体纳米材料、...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44