用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

一种用于处理基板的装置，其包括：干燥室，该干燥室对在其上表面上残留有有机溶剂的基板进行干燥工艺；烘焙室，该烘焙室对进行了干燥工艺的基板进行加热；以及传送组件，该传送组件在干燥室和烘焙室之间传送基板。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法
在本文中描述的专利技术构思的实施方式涉及用于处理诸如半导体晶片或平板显示面板的基板的装置和方法。
技术介绍
为了制造半导体元件或平板显示器，基板处理装置使用各种类型的处理液在诸如半导体晶片或玻璃基板的基板上进行液体处理，然后执行使附着有处理液的基板干燥的干燥工艺。这里，在基板处理装置中通过处理液进行的液体处理包括：用化学品例如清洁溶液或蚀刻剂清洁或蚀刻基板的表面的清洁或蚀刻工艺；以及用冲洗液对进行了清洁工艺或蚀刻工艺的基板的表面进行冲洗的冲洗工艺。在干燥工艺中使用挥发性有机化学品，例如异丙醇。可以将有机化学品供应至基板的表面以代替冲洗溶液，然后可以干燥基板。然而，由于按比例缩小形成在基板表面上的图案的临界尺寸(CD)，所以即使在执行干燥工艺之后，也不能除去供应至基板表面的有机化学品。因此，附着至基板表面的有机化学品被固化，并且诸如颗粒的杂质可能附着至固化的有机化学品。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式提供用于有效处理基板的基板处理装置和方法。本专利技术构思的实施方式提供用于有效地去除残留在进行了干燥工艺的基板上的杂质的基板处理装置和方法。本专利技术构思的实施方式提供用于提供各种因素以去除残留在进行了干燥工艺的基板上的杂质的基板处理装置和方法。本专利技术构思要解决的技术问题不限于前述问题，并且本专利技术构思所属领域的技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：转位模块；清洁工艺模块，其对基板执行清洁工艺；以及烘焙室，其加热基板。转位模块包括：装载端口，在装载端口上放置其中容纳有基板的载体；以及传送框架，其布置在装载端口与清洁工艺模块之间并且包括转位机械手，该转位机械手在放置在装载端口上的载体和清洁过程模块之间传送基板。清洁工艺模块包括：干燥室，该干燥室对在其上表面上残留有有机溶剂的基板进行干燥工艺；以及传送室，其包括传送机械手，该传送机械手在清洁工艺室中传送基板。烘焙室对进行了干燥工艺的基板加热。根据实施方式，清洁工艺模块还可以包括液体处理室，该液体处理室通过将有机溶剂供应至基板来对基板进行液体处理。根据实施方式，干燥室可通过将超临界流体供应至基板来处理基板。根据实施方式，干燥室可以包括液体供应单元，其将有机溶剂供应至基板。根据实施方式，烘焙室可包括：壳体，其具有内部空间；和加热构件，其加热基板以热分解附着于基板的杂质。根据实施方式，烘焙室还可以包括控制加热构件的控制器，并且控制器可以控制加热构件以将基板加热到附着于基板的杂质的热分解温度之上。根据实施方式，杂质可以包括碳，并且控制器可以控制加热构件以将基板加热到600℃或更高的温度。根据实施方式，加热构件可以是闪光灯，其将光供应至基板以加热基板。根据实施方式，所述烘焙室还可包括：气体供应构件，其将惰性气体供应至内部空间中；以及排气管线，其排放惰性气体。根据实施方式，气体供应构件和排气管线可以位于比位于内部空间中的基板更高的位置。根据实施方式，气体供应构件可包括附接至壳体的侧壁的多个气体供应构件，并且排气管线可以位于面对气体供应构件的区域中。根据实施方式，烘焙室可以设置在转位模块上。根据实施方式，烘焙室可以被设置成能够从转位模块拆卸。根据实施方式，转位模块和清洁工艺模块可以沿着第一方向布置，并且装载端口可以包括多个装载端口。多个装载端口可以沿着垂直于第一方向的第二方向布置。烘焙室和多个装载端口可以沿第二方向布置成行。根据实施方式，烘焙室可以设置在清洁工艺模块中。根据实施方式，烘焙室可以设置在转位模块和干燥室之间。根据实施方式，转位模块和清洁工艺模块可以沿第一方向布置，并且转位模块、干燥室和烘焙室可以沿第一方向依次布置。根据实施方式，该装置还可以包括控制该装置的控制器，并且该控制器可以控制传送机械手或转位机械手，使得：在干燥室中干燥被供应至基板的有机溶剂，然后在烘焙室中加热基板以热分解附着于基板的杂质。根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：干燥室，该干燥室对在其上表面上残留有有机溶剂的基板进行干燥工艺；烘焙室，该烘焙室对进行了干燥工艺的基板加热；以及传送组件，该传送组件在干燥室和烘焙室之间传送基板。根据实施方式，该装置还可以包括液体处理室，其通过将有机溶剂供应至基板来对基板进行液体处理。根据实施方式，干燥室可通过将超临界流体供应至基板来处理基板。根据实施方式，该装置还可以包括加热构件，其加热基板以热分解附着于基板的杂质。根据实施方式，烘焙室可包括壳体，其具有内部空间；加热部件，其加热基板以热分解附着于基板的杂质；以及控制器，其控制加热部件。控制器可以控制加热构件以将基板加热至高于附着于基板的杂质的热分解温度。根据实施方式，杂质可以包括碳，并且控制器可以控制加热构件以将基板加热至600℃或更高的温度。根据实施方式，所述烘焙室还可以包括：气体供应构件，其将惰性气体供应至内部空间中；以及排气管线，其排放惰性气体。根据实施方式，气体供应构件和排气管线可以位于比位于内部空间中的基板更高的位置。根据实施方式，气体供应构件包括附接至壳体的侧壁的多个气体供应构件，并且排气管线位于面对气体供应构件的区域中。根据示例性实施方式，一种用于处理基板的方法包括：溶剂处理步骤，其将有机溶剂供应至基板上以处理基板；干燥步骤，其干燥基板以去除基板上的有机溶剂；以及烘焙步骤，其加热基板以热分解附着于基板的杂质。干燥步骤和烘焙步骤在不同的室中进行。根据实施方式，在干燥步骤中，可以将超临界流体供应至基板上以干燥基板。根据实施方式，可以在包括加热基板的加热构件的烘焙室中执行烘焙步骤，并且烘焙室可以包括多个烘焙室。多个烘焙室可以包括不同的加热构件。在多个烘焙室之中根据基板选择的具有加热构件的烘焙室可被安装在基板处理装置中，在基板处理装置中安装有执行干燥步骤的干燥室，并且在所选择的烘焙室中执行烘焙步骤。根据实施方式，烘焙室的加热构件可以是选自闪光灯、红外灯、紫外灯、激光器和电热丝中的一个。附图说明通过以下参考附图的描述，上述及其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另外指明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记表示相同的部分，并且其中：图1是示出根据本专利技术构思的实施方式的基板处理装置的平面图；图2是示出根据本专利技术构思的另一实施方式的基板处理装置的平面图；图3是示出根据本专利技术构思的另一实施方式的基板处理装置的平面图；图4是示出图1的烘焙室的一个实施方式的截面图；图5图示出在图4的烘焙室中去除附着于基板的杂质的状态；图6是示出图1的烘焙室的另一实施方式的截面图；图7是示出根据本专利技术构思的实施方式的基板处理方法的流程图；图8图示出根据本专利技术构思的另一实施方式的基板处理方法；图9是示出根据本专利技术构思的另一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n转位模块；/n清洁工艺模块，所述清洁工艺模块被配置为对所述基板执行清洁工艺；和/n烘焙室，所述烘焙室被配置为加热所述基板，/n其中，所述转位模块包括：/n装载端口，在所述装载端口上放置有其中容纳有所述基板的载体；和/n传送框架，所述传送框架设置在所述装载端口和所述清洁工艺模块之间，并且包括转位机械手，所述转位机械手被配置为在被放置在所述装载端口上的所述载体和所述清洁工艺模块之间传送所述基板，/n其中所述清洁工艺模块包括：/n干燥室，所述干燥室被配置为对在其上表面残留有有机溶剂的所述基板进行干燥工艺；和/n传送室，所述传送室包括传送机械手，所述传送机械手被配置为在所述清洁工艺室中传送所述基板，并且/n其中，所述烘焙室对进行了所述干燥工艺的基板加热。/n

【技术特征摘要】
20181218 KR 10-2018-01636901.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
转位模块；
清洁工艺模块，所述清洁工艺模块被配置为对所述基板执行清洁工艺；和
烘焙室，所述烘焙室被配置为加热所述基板，
其中，所述转位模块包括：
装载端口，在所述装载端口上放置有其中容纳有所述基板的载体；和
传送框架，所述传送框架设置在所述装载端口和所述清洁工艺模块之间，并且包括转位机械手，所述转位机械手被配置为在被放置在所述装载端口上的所述载体和所述清洁工艺模块之间传送所述基板，
其中所述清洁工艺模块包括：
干燥室，所述干燥室被配置为对在其上表面残留有有机溶剂的所述基板进行干燥工艺；和
传送室，所述传送室包括传送机械手，所述传送机械手被配置为在所述清洁工艺室中传送所述基板，并且
其中，所述烘焙室对进行了所述干燥工艺的基板加热。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述清洁工艺模块还包括：
液体处理室，所述液体处理室被配置为通过将所述有机溶剂供应至所述基板来对所述基板进行液体处理。


3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述干燥室通过向所述基板供应超临界流体来处理所述基板。


4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述干燥室包括液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将所述有机溶剂供应至所述基板。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述烘焙室包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；和
加热构件，所述加热构件被配置为加热所述基板以热分解附着于所述基板的杂质。


6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述烘焙室还包括控制器，所述控制器被配置为控制所述加热构件，并且
其中，所述控制器控制所述加热构件以将所述基板加热至高于附着于所述基板的杂质的热分解温度。


7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述杂质包括碳，并且
其中，所述控制器控制所述加热部件以将所述基板加热至600℃或更高的温度。


8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述加热构件是被配置为向所述基板提供光以加热所述基板的闪光灯。


9.根据权利要求5所述的装置，其中，所述烘焙室还包括：
气体供应构件，所述气体供应构件被配置为将惰性气体供应至所述内部空间中；和
排气管线，所述排气管线被配置为排出所述惰性气体。


10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述气体供应构件和所述排气管线位于比位于所述内部空间中的所述基板更高的位置。


11.根据权利要求9所述的装置，其中，所述气体供应构件包括附接至所述壳体的侧壁的多个气体供应构件，并且
其中，所述排气管线位于面对所述气体供应构件的区域中。


12.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述烘焙室设置在所述转位模块上。


13.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述烘焙室被设置为能够从所述转位模块拆卸。


14.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述转位模块和所述清洁工艺模块沿着第一方向布置，
其中，所述装载端口包括多个装载端口，
其中，所述多个装载端口沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置，并且
其中，所述烘焙室和所述多个装载端口沿所述第二方向布置成行。


15.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述烘焙室设置在所述清洁工艺模块中。


16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述烘焙室设置在所述转位模块与所述干燥室之间。


17.根据权利要求15所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴舟楫，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR