本发明专利技术涉及基于集成面环形微腔与悬臂梁的微位移传感器，它包括平面环形微腔、光波导、基底、与光波导相连的入射光纤及出射光纤，所述平面环形微腔与光波导的光相耦合；其特点是所述微位移传感器还有悬臂梁与探针，悬臂梁的一端连接在基底上，另一端为自由端；所述探针在悬臂梁的下表面自由端前部中间位置，悬臂梁和探针均用刻蚀形成；所述平面环形微腔与光波导均被刻蚀在悬臂梁的上表面；是利用现代ＭＥＭＳ加工技术制成的，可适用于磁场环境复杂，真空环境，被测物体范围广，除普通的金属，非金属物质表面外，也可对生物细胞进行表面测量。其测量精度可达１０↑［－４］埃。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微机电系统
，主要涉及一种微位移传感器，特别是涉 及基于集成平面环形微腔与悬臂梁的微位移传感器。
技术介绍
在微纳技术、微机电系统技术和精密控制
中，微位移传感器是 微机电系统中较为重要的组件之一。针对微位移的测量方法，目前主要有电测 量技术和光学测量技术。其中基于电测量技术的位移传感器主要有电磁式传感 器，电涡流式传感器。电磁式传感器测量精度很低，达不到微米量级，而且受 电磁影响较大。电涡流式传感器测量精度可以达到微米量级，但是要求被测物 体必须为金属表面。基于光学测量技术的位移传感器主要有光纤微位移传感器和激光干涉法 测量微位移。这两者虽然克服了电测量微位移的缺点，精度也可以达到微米量 级。但是光纤微位移传感器由于光源输出光能量的波动，反射物体表面反射率的变化和外界环境的干扰会造成较大的测量误差;而激光干涉法测量微位移主 要缺点是要求光源一定要为干涉光，不能使用普通光源，并且对系统稳定性要 求极高，不适用于现场测量。随着近来发展起来的平面环形微腔，具有极高的品质因子和极小的模式体 积，使它在空间和时域上很好地实现光存储，成为研究腔量子电动力学效应、 提高或抑制自发辐射率、降低激光器域值、制备光学率波器、产生确定性单光 子源、实现波长调制转换器和光存储器等的理想研究平台。由于平面环形微腔对光极为敏感，并且它的形状对在平面环形微腔内传播 的光有决定作用，平面环形微腔中光的共振频率和腔的形状有以下关系这里，^代表在平面环形微腔中传输基于集成平面环形微腔与悬臂梁的微 位移传感器光的共振频率，《代表整数倍，C代表光速3xl0、"， ；/代表平面 环形微腔材料的折射率，丄代表平面环形微腔腔的长度。很显然，腔壁的微小 变化也会使在平面环形微腔传输的光的共振峰值发生明显变化。因此，将平面环形微腔作为微位移的传感器件成为可能。同时，伴随MEMS (光刻、腐蚀、刻蚀)加工工艺的发展，也使实现平面环形微腔、光波导、悬 臂梁单元的制备和传感器系统一体化集成成为可能。
技术实现思路
本专利技术的目的是在克服上述微位移传感器缺点和不足的基础上，而设计 和提供一种结构简单，测量灵敏度更高，精度更高，适用范围更广的基于集成 平面环形微腔与悬臂梁的微位移传感器。为实现上述的目的，本专利技术采取以下技术方案基于集成平面环形微腔与悬臂梁的微位移传感器，包括平面环形微腔、光 波导、基底、与光波导相连的入射光纤及出射光纤，所述平面环形微腔与光波 导的光相耦合，平面环形微腔与光波导之间存在有0 2um距离；其特点是所 述微位移传感器还有悬臂梁与探针，悬臂梁的一端连接在基底上，另一端为自 由端；所述探针在悬臂梁的下表面自由端前部中间位置，悬臂梁和探针均用刻 蚀形成；所述平面环形微腔与光波导均被刻蚀在悬臂梁的上表面。上述微位移传感器纵向由上而下由三层结构构成,三层结构依次由光刻技 术刻蚀形成。第一层结构是所述平面环形微腔和光波导，所述平面环形微腔为 平面圆柱环形，光波导形状为细长方体，均采用对光有良好折射率的材料。第 二层结构是所述悬臂梁，所述悬臂梁几何形状为长而薄的长方体，采用半导体 材料，并且在悬臂梁的下表面自由端前部中间位置设有探针；悬臂梁是由正面 刻蚀和反面深刻蚀技术形成的，材料为半导体材料，探针形状为针尖状，长度与悬臂梁的厚度有关，细度可以根据刻蚀程度进行调整为纳米级或者微米级。 第三层结构为基底，所述基底几何形状为长方体，采用半导体材料。专利技术基于集成平面环形微腔与悬臂梁的微位移传感器利用现代MEMS加工技术制成。本专利技术由于采取以上技术方案，其具有以下优点1、 由于采用集成平面环形微腔和悬臂梁结构，和以往的传感器相比，结 构精巧简单，可以适用于基于悬臂梁阵列技术(也就是传感器是由一组悬臂梁 组成的，因此可以将每一个悬臂梁上都刻蚀平面环形微腔和光波导，利用的机 理是范德华力使悬臂梁发生形变，影响透射谱共振峰值)的微传感器上。2、 由于采用长而薄的悬臂梁结构，并且与基底相连成为一体，和以往的 悬臂梁相比，可以取得高的灵敏度。3、 由于采用平面环形微腔和光波导传输光路，可以克服以往传感器的应 用限制，可以应用在如电磁复杂和超高真空系统等非常严格的环境中。4、 可用于扫描探测物体表面，和以往的扫描区域相比，可以探测更大的区域，而且不需要调试对准，(因为以往的光纤位移传感器，主要用到了光纤 的全反射，就是对光路有很高要求，而此传感器应用的机理在于利用范德华力 使得悬臂梁发生形变，影响透射光的共振频率，所以不需要调试对准，直接测 就可以了)降低操作难度和因此带来的误差，对金属和非金属物体表面的探测 均适用。5、 由于利用原子间的范德华力使得悬臂梁发生形变，通过光透射谱线共振峰中心频率的显著变化进行探测针尖发生的微小位移，因而达到的精度比以 往传感器所达到的精度都高，测量精度可达到原子量级。本专利技术主要应用在物体表面形貌的显微探测，可适用于磁场环境复杂，真 空环境，被测物体范围广，除普通的金属，非金属物质表面外，也可对生物细附图说明图l是本专利技术的结构主视图； 图2是本专利技术的结构侧视图； 图3是本专利技术的工作原理图。 具体实施例方式下面结合附图详细说明本专利技术的实施例。 本专利技术的结构如图l和图2所示，基于集成平面环形微腔与悬臂梁的微位移传感器包括平 面环形微腔l、光波导2、悬臂梁3、探针4、基底5、与光波导相连的入射光纤6 与出射光纤7;所述平面环形微腔与光波导的光相耦合；所述悬臂梁的一端与 基底相连，另一端为自由端，所述探针在悬臂梁的下表面自由端前部中间位置， 悬臂梁和探针均用刻蚀形成;所述平面环形微腔与光波导均被刻蚀在悬臂梁的上表面o基于集成平面环形微腔与悬臂梁的微位移传感器由三层结构构成，第一层结构是利用光刻技术形成的平面环形微腔1和光波导2;第二层结构是利用第二 次光刻技术形成的悬臂梁3，同时再次利用正背面刻蚀技术形成悬臂梁的下表 面自由端前部中间位置的探针4;第三层结构是通过第三次光刻技术形成基底 5。微位移传感器通过层层刻蚀后平面环形微腔1和光波导2形成在悬臂梁3上表 面，并将平面环形微腔l、光波导2、悬臂梁3和探针4集成在一起。 本专利技术实例(1) 平面环形微腔采用MEMS加工技术在Si表面氧化生成Si02,并加工形 成平面环形微腔，材料为Si02，半径为20-25um，环厚度为l-2um。为了得到半 高宽度值小，调制深度深，品质因数高的平面环形微腔，本实例选择平面环形 微腔的内径为20um。(2) 光波导材料为Si02，几何形状为细长方体，其中宽为l-2um，厚度为0. 75-lum。(3) 悬臂梁材料为GaAs，几何形状为长方体，其中所述矩形的设计尺度 可以为长度为100-400um，宽度为20-50um，厚度为O. 4-10um。由于悬臂梁的应力探测精度，随着长度/厚度比的增加而增加，因此，为了 取得高的灵敏度，宜制备长而薄的梁结构，本实例选择悬臂梁的几何尺寸分别 为长为400um，宽为30um，厚度为10um。(4) 探针在悬臂梁前端下表面中部刻蚀探针，材料为GaAs，长度为lum，细度是微米级别。(5) 基底几何形状为长方体，材料为^/。.6( "。4^。上述实例中，平面环形微腔1和光波导2通过光刻技术加本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于集成平面环形微腔与悬臂梁的微位移传感器，包括平面环形微腔（１）、光波导（２）、基底（５）、与光波导相连的入射光纤（６）及出射光纤（７），所述平面环形微腔与光波导的光相耦合，平面环形微腔与光波导之间存在有０～２ｕｍ距离；其特征在于：所述微位移传感器还有悬臂梁（３）与探针（４），悬臂梁的一端连接在基底上，另一端为自由端；所述探针在悬臂梁的下表面自由端前部中间位置，悬臂梁和探针均用刻蚀形成；所述平面环形微腔与光波导均被刻蚀在悬臂梁的上表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张文栋，熊继军，薛晨阳，闫树斌，吉喆，严英占，王少辉，王宝花，姜国庆，
申请(专利权)人：中北大学，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]
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