LD白光装置制造方法及图纸

技术编号:25156110 阅读:14 留言:0更新日期:2020-08-05 07:51
本申请提供一种LD白光装置,属于半导体技术领域。LD白光装置包括基板、环形的导热围坝、发光芯片和荧光透镜。基板上设置有置晶区。导热围坝设置于基板且凸出基板的表面,使导热围坝与基板之间形成凹槽。发光芯片被配置成能够产生蓝光,发光芯片安装于置晶区,且发光芯片位于凹槽内。荧光透镜焊接于导热围坝的远离基板的一侧,且荧光透镜覆盖发光芯片和置晶区。此白光装置的发光芯片发蓝光,与荧光透镜结合以后得到白光,不需要使用荧光粉。且荧光透镜焊接于导热围坝上进行封装,不需要有机胶的使用,改善了因荧光粉和有机胶的使用产生的发光效率降低、封装失效等问题。

【技术实现步骤摘要】
LD白光装置
本申请涉及半导体
,具体而言,涉及一种LD白光装置。
技术介绍
LD(LaserDiode),激光二极管,是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件。LD激光二极管最终能够应用在日常生活中,需要对LD激光二极管进行封装。LD白光装置发出的白光光源具有亮度高、响应速度快和传输距离远等优点,在汽车照明、显示、工业照明及高铁舰船等远程照明领域获得广泛应用。然而,LD白光装置长时间使用以后,会出现发光效率降低、封装失效等问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种LD白光装置,改善了LD白光装置长时间使用以后,产生的发光效率降低、封装失效等问题。第一方面,本申请实施例提供一种LD白光装置,包括基板、环形的导热围坝、发光芯片和荧光透镜。基板上设置有置晶区。导热围坝设置于基板且凸出基板的表面,使导热围坝与基板之间形成凹槽。发光芯片被配置成能够产生蓝光,发光芯片安装于置晶区,且发光芯片位于凹槽内。荧光透镜焊接于导热围坝的远离基板的一侧,且荧光透镜覆盖发光芯片和置晶区。通过导热围坝的设置,不仅可以形成具有安装发光芯片的空间,还可以通过导热围坝进行散热,并可以实现荧光透镜的焊接,不需要使用有机胶进行黏合就能够实现荧光透镜的封装,避免了有机黏合胶的黄化或裂化等问题,改善了因有机胶的使用产生的封装失效问题;且使用荧光透镜与发光芯片配合发出白光,避免了荧光粉的使用,改善了因荧光粉的耐热效果差造成的发光效率降低的问题。在一种可能的实施方式中,还包括第一热沉台和第二热沉台,第一热沉台和第二热沉台间隔设置于基板且位于凹槽内,发光芯片分别与第一热沉台和第二热沉台导通,第一热沉台和第二热沉台与导热围坝不导通,第一热沉台被配置成与第一电极导通,第二热沉台被配置成与第二电极导通。将第一热沉台和第二热沉台分开设置,主要作用是能够使发光芯片与外界电源导通,不需要使用金线来实现发光芯片与电路的电性连接,避免了由于金线的长时间使用造成的金线容易断裂的问题。同时还具有一定的散热作用,发光芯片工作时产生的热量先导热至热沉台上,再通过导热围坝导出,使LD白光装置的散热效果更好。在一种可能的实施方式中,还包括金属导电片,发光芯片的第一电性连接点焊接于第一热沉台,金属导电片的两端分别焊接于第二热沉台和发光芯片的第二电性连接点。通过金属导电片将发光芯片和第二热沉台电性连接,并使发光芯片直接与第一热沉台电性连接,从而通过金属导电片、第一热沉台和第二热沉台的共同作用使发光芯片导通,替代现有的导通发光芯片的金丝,可以改善由于金丝的长时间使用而造成的金丝断裂的问题。在一种可能的实施方式中,发光芯片位于凹槽的中部,第一热沉台和第二热沉台均为扇形板,扇形板的弧形面靠近导热围坝且与导热围坝之间具有间隙,发光芯片与第一热沉台的靠近尖端的部分面连接,金属导电片的一端与发光芯片面连接,金属导电片的远离发光芯片的一端与第二热沉台的靠近尖端的部分面连接。发光芯片位于凹槽的中部,发光芯片发出的光经过荧光透镜折射以后,发出基本平行的白光。发光芯片在凹槽的中部时,第一热沉台和第二热沉台均为扇形板,可以使第一热沉台和第二热沉台的面积较大,第一热沉台和第二热沉台的散热效果更好。且设置于凹槽中部的发光芯片与扇形的靠近尖端的部位面连接,可以使凹槽中部的发光芯片牢固连接的同时能够使热沉台的散热面积较大。在一种可能的实施方式中,扇形板的圆心角约为90°,导热围坝为圆环形,弧形面与导热围坝的内壁的间隔距离为0.25-0.8mm。尽可能增大第一热沉台和第二热沉台的面积,但是不影响发光芯片的安装,且保证热沉台和导热围坝不导通。在一种可能的实施方式中,基板为绝缘基板,基板上具有贯穿基板的两个表面的第一导电通孔和第二导电通孔,第一电极通过第一导电通孔与第一热沉台导通,第二电极通过第二导电通孔与第二热沉台导通。通过贯穿绝缘基板的第一导电通孔和第二导电通孔,使第一热沉台和第二热沉台与外部电源导通,从而使发光芯片工作。在一种可能的实施方式中,还包括第一导电柱和第二导电柱,第一导电柱安装于第一导电通孔内且第一导电柱的一端部与第一热沉台导通,第一导电柱的远离第一热沉台的一端被配置成与第一电极导通,第二导电柱安装于第二导电通孔内且第二导电柱的一端部与第二热沉台导通,第二导电柱的远离第二热沉台的一端被配置成与第二电极导通。通过第一导电柱和第二导电柱的设置,可以使导电柱与热沉台直接形成可靠的电性连接,以便与外界电源导通。在一种可能的实施方式中,绝缘基板的背离导热围坝的表面上间隔设置有第一电极焊盘和第二电极焊盘,第一电极焊盘与第一导电柱导通且被配置成连接第一电极,第二电极焊盘与第二导电柱导通且被配置成连接第二电极。通过电极焊盘的设置,可以使LD白光装置与外界电源的连接更加牢固,且连接效果更好。在一种可能的实施方式中,导热围坝包括连接的内环和外环,外环的远离基板的端面凸出内环的远离基板的端面,荧光透镜焊接于内环的远离基板的端面。内环进行荧光透镜的安装,外环可以对荧光透镜的外表面具有一定的限定作用,可以使荧光透镜的安装更加牢固,且,不容易脱落。在一种可能的实施方式中,内环和外环的远离荧光透镜的端面均设置于基板的可焊镀层上。可以先在基板上形成一层可焊镀层,再焊接导热围坝,以使LD白光装置的封装效果更好。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图也属于本申请的保护范围。图1为本申请实施例提供的LD白光装置的结构示意图;图2为本申请实施例提供的LD白光装置的爆炸图;图3为本申请实施例提供的LD白光装置的第一视图;图4为本申请实施例提供的LD白光装置的第一剖视图;图5为本申请实施例提供的LD白光装置的第二剖视图;图6为本申请实施例提供的LD白光装置的制备流程图。图标:10-基板;20-导热围坝;30-发光芯片;40-荧光透镜;21-内环;22-外环;23-凹槽;11-绝缘基板;12-可焊镀层;51-第一热沉台;52-第二热沉台;60-金属导电片;111-第一导电通孔;112-第二导电通孔;71-第一导电柱;72-第二导电柱;81-第一电极焊盘;82-第二电极焊盘。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行描述。LD白光装置长时间使用以后,会出现发光效率降低、封装失效等问题。专利技术人研究发现,LD白光装置产生白光的原理是通过LD芯片产生的蓝光激发荧光粉产生黄光,并与蓝光混合合成白光,且LD白光装置中透镜主要是通过有机胶进行黏合封装的。由于荧光粉和有机胶的耐热效果比较差,所以LD白本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LD白光装置,其特征在于,包括:/n基板,所述基板上设置有置晶区;/n环形的导热围坝,所述导热围坝设置于所述基板且凸出所述基板的表面,使所述导热围坝与所述基板之间形成凹槽;/n发光芯片,所述发光芯片被配置成能够产生蓝光,所述发光芯片安装于所述置晶区,且所述发光芯片位于所述凹槽内;/n荧光透镜,所述荧光透镜焊接于所述导热围坝的远离所述基板的一侧,且所述荧光透镜覆盖所述发光芯片和所述置晶区。/n

【技术特征摘要】
1.一种LD白光装置,其特征在于,包括:
基板,所述基板上设置有置晶区;
环形的导热围坝,所述导热围坝设置于所述基板且凸出所述基板的表面,使所述导热围坝与所述基板之间形成凹槽;
发光芯片,所述发光芯片被配置成能够产生蓝光,所述发光芯片安装于所述置晶区,且所述发光芯片位于所述凹槽内;
荧光透镜,所述荧光透镜焊接于所述导热围坝的远离所述基板的一侧,且所述荧光透镜覆盖所述发光芯片和所述置晶区。


2.根据权利要求1所述的LD白光装置,其特征在于,还包括第一热沉台和第二热沉台,所述第一热沉台和所述第二热沉台间隔设置于所述基板且位于所述凹槽内,所述发光芯片分别与所述第一热沉台和所述第二热沉台导通,所述第一热沉台和所述第二热沉台与所述导热围坝不导通,所述第一热沉台被配置成与第一电极导通,所述第二热沉台被配置成与第二电极导通。


3.根据权利要求2所述的LD白光装置,其特征在于,还包括金属导电片,所述发光芯片的第一电性连接点焊接于所述第一热沉台,所述金属导电片的两端分别焊接于所述第二热沉台和所述发光芯片的第二电性连接点。


4.根据权利要求3所述的LD白光装置,其特征在于,所述发光芯片位于所述凹槽的中部,所述第一热沉台和所述第二热沉台均为扇形板,所述扇形板的弧形面靠近所述导热围坝且与所述导热围坝之间具有间隙,所述发光芯片与所述第一热沉台的靠近尖端的部分面连接,所述金属导电片的一端与所述发光芯片面连接,所述金属导电片的远离所述发光芯片的一端与所述第二热沉台的靠近尖端的部分面连接。


5.根据权利要求4所述的LD白光装置,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹永革申小飞李英魁麻朝阳文子诚王恩哥王充
申请(专利权)人:松山湖材料实验室
类型:新型
国别省市:广东;44

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