制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备技术

一种制造具有多个微发光二极管的微发光二极管(micro LED)阵列基板的方法。所述方法包括：在基底基板(10)上形成多条信号线；在基底基板(10)上沉积半导体材料以形成半导体材料层；以及，对半导体材料层构图以形成多个微发光二极管的半导体层(500)。在沉积半导体材料期间，多条信号线的远离基底基板(10)的表面未被覆盖。多条信号线形成用于促进半导体材料的外延生长的网格。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备。
技术介绍
近年来，提出和开发了小型化的光电器件，包括微发光二极管(微LED)。基于微LED的显示面板具有高亮度、高对比度、快速响应以及低功耗的优点。基于微LED的显示技术在显示领域中获得了广泛的应用，包括智能电话和智能手表。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供了一种制造具有多个微发光二极管(微LED)的微LED阵列基板的方法，包括：在基底基板上形成多条信号线；在基底基板上沉积半导体材料以形成半导体材料层；以及，对半导体材料层构图以形成多个微LED的半导体层；其中，在沉积半导体材料期间，所述多条信号线的远离基底基板的表面未被覆盖，所述多条信号线形成用于促进半导体材料的外延生长的网格。可选地，在形成所述多条信号线之前，所述方法还包括：在基底基板上形成生长层，半导体材料的外延生长形成在生长层上。可选地，所述方法还包括：在基底基板上形成用于分别驱动所述多个微LED发光的多个薄膜晶体管；其中，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管形成为包括有源层；并且，利用单个掩模板在单次构图工艺中使用相同材料将生长层和有源层形成在同一层。可选地，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管形成为包括源极和漏极；并且，利用单个掩模板在单次构图工艺中使用相同材料将源极、漏极和所述多条信号线形成在同一层。可选地，在形成有源层和生长层之后并且在形成所述多条信号线、源极和漏极之前，所述方法还包括：在有源层和生长层的远离基底基板的一侧形成绝缘层；以及，形成分别贯穿绝缘层的第一过孔、第二过孔和第三过孔；其中，源极形成为通过第一过孔与有源层连接；并且，漏极形成为通过第二过孔与有源层连接且通过第三过孔与生长层连接。可选地，使用包括硅的材料形成生长层和有源层。可选地，在对半导体材料层构图以形成所述多个微LED的半导体层之后，所述方法还包括：形成限定多个子像素孔的像素限定层；以及，在半导体层的远离基底基板的一侧形成接触焊盘层。可选地，所述多条信号线是所述微LED阵列基板的多条数据线。可选地，所述多个微LED的半导体层选自由以下各项构成的组：所述多个微LED的n层、p层、以及多量子阱层。另一方面，本专利技术提供了一种具有多个微发光二极管(微LED)的微LED阵列基板，包括：基底基板；生长层，其位于基底基板上；所述多个微LED的多个半导体层，其位于生长层的远离基底基板的一侧；以及，多个薄膜晶体管，其位于基底基板上；其中，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括有源层；并且，生长层和有源层位于同一层并且包括相同半导体材料。可选地，微LED阵列基板还包括：绝缘层，其位于生长层和有源层的远离基底基板的一侧；以及，多条信号线，其位于绝缘层的远离基底基板的一侧。可选地，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括源极和漏极；并且，源极、漏极和所述多条信号线位于同一层并且包括相同材料。可选地，微LED阵列基板还包括分别贯穿绝缘层的第一过孔、第二过孔和第三过孔；其中，源极通过第一过孔与有源层连接；并且，漏极通过第二过孔与有源层连接且通过第三过孔与生长层连接。可选地，微LED阵列基板还包括：用于限定多个子像素孔的像素限定层，其位于所述多条信号线的远离基底基板的一侧，所述多个半导体层位于所述多个子像素孔中；其中，像素限定层与所述多个微LED的所述多个半导体层中的至少一个直接接触；并且，像素限定层与所述多条信号线直接接触。可选地，所述多条信号线的远离基底基板的上表面与像素限定层直接接触；并且，所述多个微LED的所述多个半导体层的最上表面与像素限定层直接接触。可选地，所述多个子像素孔中的每一个中的所述多个半导体层具有沿与基底基板的主表面垂直的平面的截面；所述截面具有远离基底基板的第一侧和相对第一侧且面对基底基板的第二侧；并且，在所述多个子像素孔中的每一个中，第一侧比第二侧宽。可选地，微LED阵列基板还包括：接触焊盘层，其位于所述多个半导体层的远离基底基板的一侧。可选地，生长层和有源层包括包含硅的材料。可选地，所述多条信号线是所述微LED阵列基板的多条数据线。另一方面，本专利技术提供了一种微发光二极管(微LED)显示设备，其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的微LED阵列基板以及与微LED阵列基板连接的一个或多个集成电路。附图说明以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本专利技术的范围。图1A是示出根据本公开的一些实施例中的制造微LED阵列基板的中间步骤的平面视图。图1B是沿图1A中的A-A'线的截面图。图1C是沿图1A中的B-B'线的截面图。图2A是示出根据本公开的一些实施例中的制造微LED阵列基板的中间步骤的平面视图。图2B是沿图2A中的C-C'线的截面图。图2C是沿图2A中的D-D'线的截面图。图3A是示出根据本公开的一些实施例中的制造微LED阵列基板的中间步骤的平面视图。图3B是沿图2A中的E-E'线的截面图。图3C是沿图2A中的F-F'线的截面图。图4是示出根据本公开的一些实施例中的制造微LED阵列基板的步骤的截面图。图5是示出根据本公开的一些实施例中的微LED阵列基板的结构的示意图。图6是根据本公开的一些实施例中的微LED阵列基板的截面图。图7是示出根据本公开的一些实施例中的微LED显示面板的结构的示意图。具体实施方式现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。在制造微发光二极管(微LED)显示面板时，需要将每个微LED从生长基板转移至阵列基板。考虑到显示面板包括数千个至数百万个微LED，取放转移过程(pick-and-placetransferprocess)是极其耗时的，因此而不适于大规模制造微LED显示面板。对取放转移的一种改进是使用打印头来一次转移多个微LED。然而，使用打印头转移大量微LED的过程相当复杂且耗时。此外，在取放转移或利用打印头的转移过程中，频繁地出现微LED与目标基板中的接合触点对不准，导致显示面板的缺陷。因此，本公开特别提供了制造具有多个微发光二极管(微LED)的微LED阵列基板的方法、具有多个微LED的微发光二极管阵列基板、以及微发光二极管显示设备，其基本上避免了由于相关技术的局限和缺点所导致的问题中的一个或多个。一方面，本专利技术提供了一种制造具有多个微LED的微发光二极管阵列基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成多条信号线；在基底基板上沉积半导体材料以形成半导体材料层；以及，对半导体材料层构图以形成所述多个微LED的半导体层。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造微发光二极管阵列基板的方法，所述微发光二极管阵列基板具有多个微发光二极管，所述方法包括：/n在基底基板上形成多条信号线；/n在所述基底基板上沉积半导体材料以形成半导体材料层；以及/n对所述半导体材料层构图以形成所述多个微发光二极管的半导体层，/n其中，在沉积所述半导体材料期间，所述多条信号线的远离所述基底基板的表面未被覆盖，所述多条信号线形成用于促进所述半导体材料的外延生长的网格。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造微发光二极管阵列基板的方法，所述微发光二极管阵列基板具有多个微发光二极管，所述方法包括：
在基底基板上形成多条信号线；
在所述基底基板上沉积半导体材料以形成半导体材料层；以及
对所述半导体材料层构图以形成所述多个微发光二极管的半导体层，
其中，在沉积所述半导体材料期间，所述多条信号线的远离所述基底基板的表面未被覆盖，所述多条信号线形成用于促进所述半导体材料的外延生长的网格。


2.根据权利要求1所述的方法，在形成所述多条信号线之前，还包括：在所述基底基板上形成生长层，所述半导体材料的所述外延生长形成在所述生长层上。


3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述基底基板上形成用于分别驱动所述多个微发光二极管发光的多个薄膜晶体管；
其中，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管形成为包括有源层；并且
利用单个掩模板在单次构图工艺中使用相同材料将所述生长层和所述有源层形成在同一层。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管形成为包括源极和漏极；并且
利用单个掩模板在单次构图工艺中使用相同材料将所述源极、所述漏极和所述多条信号线形成在同一层。


5.根据权利要求4所述的方法，在形成所述有源层和所述生长层之后并且在形成所述多条信号线、所述源极和所述漏极之前，还包括：
在所述有源层和所述生长层的远离所述基底基板的一侧形成绝缘层；以及
形成分别贯穿所述绝缘层的第一过孔、第二过孔和第三过孔；
其中，所述源极形成为通过所述第一过孔与所述有源层连接；并且，所述漏极形成为通过所述第二过孔与所述有源层连接且通过所述第三过孔与所述生长层连接。


6.根据权利要求3所述的方法，其中，使用包括硅的材料形成所述生长层和所述有源层。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，在对所述半导体材料层构图以形成所述多个微发光二极管的半导体层之后，还包括：形成限定多个子像素孔的像素限定层；以及
在所述半导体层的远离所述基底基板的一侧形成接触焊盘层。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述多条信号线是所述微发光二极管阵列基板的多条数据线。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述多个微发光二极管的半导体层选自由以下各项构成的组：所述多个微发光二极管的n层、p层、以及多量子阱层。


10.一种微发光二极管阵列基板，所述微发光二极管阵列基板具有多个微发光二极管，所述微发光二极管阵列基板包括：
基底基板；
生长层，其位于所述基底基板上；
所述多个微发光二极管的多个半导体层，其位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，张新霞，李恒滨，王国磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11