【技术实现步骤摘要】
具有改良的发光颜色的无镉量子点发光器件
本专利技术涉及一种量子点发光器件(QuantumDotLightEmittingDevice,简称QD-LED),更具体地,涉及一种QD-LED的结构,其不包含有毒材料,并且对于显示器中的蓝色子像素表现出改良的色坐标。
技术介绍
量子点发光二极管(称为QD-LED、QLED或ELQLED)是一种发光器件,其中由于量子点上的电子和空穴的复合而发光。量子点由无机材料组成,因此与使用有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiodes,简称OLED)的现有技术相比,有望带来更多好处。除了更长寿命的预期好处外,QD-LED可以在更高的电流密度下工作(从而实现更高的亮度值),并且更易于溶液处理,量子点发出的光覆盖更窄的波长范围,产生更饱和的颜色。显示设备通常在每个像素内包括三种颜色的子像素:一种发射红光,一种发射绿光,另一种发射蓝光。构成每个子像素发射光谱的光的波长可以使用一对坐标来描述,例如CIE1931XYZ色彩空间中的x和y坐标,或者CIE1976LUV色彩空间中的u’和v’坐标。一起绘制的三个子像素的色坐标定义了显示设备的色域。为了确保在一个显示设备上显示的图像看起来与在另一显示设备上显示的图像相同,随着时间的流逝,已经开发并使用了各种行业标准和公认的惯例,例如NTSC,Rec.709(也用于sRGB)和DCI-P3。这些标准定义了从显示设备发出的红色、绿色和蓝色光的色坐标,称为“原色”。为了实现良好的色彩再现,无论是通过单个子像素的发射还是两个或 ...
【技术保护点】
1.一种发光器件,其特征在于,所述发光器件包括:/n基板;/n设置在所述基板上方的第一电极,所述第一电极设置在所述发光器件的外表面和所述基板之间;/n第二电极,设置在所述第一电极和所述外表面之间;/n第一发光层,与所述第一电极和所述第二电极电接触,其中所述第一发光层包括被电激发时发射光的量子点,并且其中所述第一发光层与一第一峰值波长λ
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190129 US 16/2609401.一种发光器件,其特征在于,所述发光器件包括:
基板;
设置在所述基板上方的第一电极,所述第一电极设置在所述发光器件的外表面和所述基板之间;
第二电极,设置在所述第一电极和所述外表面之间;
第一发光层,与所述第一电极和所述第二电极电接触,其中所述第一发光层包括被电激发时发射光的量子点,并且其中所述第一发光层与一第一峰值波长λ1相匹配;以及
第二发光层,设置在所述第一发光层和所述发光器件的观察侧之间,其中所述第二发光层是包括被光激发时发射光的量子点的光致发光层,并且所述第二发光层与不同于所述第一峰值波长的的第二峰值波长λ2相匹配;
其中所述第二发光层将由所述第一发光层发射的光的一部分从所述第一峰值波长转换到所述第二峰值波长。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
405nm≤λ1≤490nm且405nm≤λ2≤490nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件,其特征在于,
当与CIE1976LUV色彩空间中波长为467nm的单色光相比时,所述发光器件的合成发射具有Δu’v’≤0.04的值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件,其特征在于,405nm≤λ1≤460nm且460nm≤λ2≤490nm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件,其特征在于,
由所述第一发光层发射的光的半峰全宽(FWHM)小于30nm,并且由所述第二发光层发射的光的FWHM小于60nm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述第二电极至少是半透明的,并且所述发光器件是顶部发光器。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件,其特征在于,
还包括:与所述基板相对设置的薄膜封装层,其中所述薄膜封装层还包括:
一个或多个无机薄膜层;以及
一个或多个有机薄膜层;其中所述第二发光层的所述量子点设置在所述一个或多个有机薄膜层中的至少一个内。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件,其特征在于,
还包括:与所述基板相对设置的薄膜封装层,其中所述薄膜封装层还包括:
一个或多个无机薄膜层;
以及一个或多个有机薄膜层;
其中所述第二发光层被设置与所述一个或多个薄膜层物理接触。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件,其特征在于,
所述第二发光层设置在所述基板和所述第一电极之间,且所述发光器件是底部发光器。
技术研发人员:爱德华·安德鲁·伯尔德曼,恩里科·安焦尼,蒂姆·米迦勒·斯米顿,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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