一种防止负载开关被热烧毁的保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，多个支路并联，在每个并联支路中，电流源IDC的一端连接电源输入端VCC，电流源IDC的另一端连接反相器INV的一端和三极管的集电极，三极管的基极连接电压源VDC的正极端，三极管的发射极接地，反射器的另一端连接或门OR的输入端。本实用新型专利技术在功率管周围选取的点多，能够多方位准确检测温度的变化，当功率管任何部位发生温度变化时都能够实时检测。根据电路内部的具体情况选择温度传感器的个数，按一定的排序方法排列在功率管的周围，更能有效控制芯片内部温度，从而保护芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种防止负载开关被热烧毁的保护电路
本专利技术涉及保护电路领域，尤其是一种防止被热烧毁的保护结构和方法。
技术介绍
随着芯片的不断集成化，在电源管理芯片中常常会用到大功率器件，这就对于芯片的温度有着严格的要求，防止由于温度过高而导致芯片烧毁的事故发生。目前大多数芯片采用在芯片内部内置温度传感器来检测功率管的温度，来防止功率管温度过高而烧毁。但目前所采用的技术方法同时存在一些问题，如图1所示，实线框为功率管位置示意图，虚线框为温度传感器位置示意图，一般都是把温度传感器放置在功率管的一侧来进行温度检测，由于功率管在芯片中占据的面积很大，各个部分的温度都不一样，一般功率管中心的温度比两侧的温度高，但由于温度传感器只能检测到功率管的一侧温度，不能检测到功率管内部的真实温度，造成温度检测时的偏差，从而还有可能烧毁功率管。所以，需要开发一种能够准确检测到功率管温度的保护电路，进一步准确的监控芯片内部的温度，从而避免芯片的烧毁而造成的进一步损失。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，可在负载开关的芯片内部多个位置准确的检测到功率管内部的实时温度，从而控制芯片是否继续工作，可以有效地在温度过高时及时关断芯片内部电路，来解决上述传统温度检测的不足之处。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，包括输入端VCC，电压源VDC，电流源IDC1、IDC2、IDC3，具有负温度系数的三极管Q1、Q2、Q3，反相器INV1、INV2、INV3，反相器OR和输出端VOUT；所述输入端VCC连接电流源IDC1的一端、电流源IDC2的一端和电流源IDC3的一端；电流源IDC1的另一端连接反相器INV1的一端和三极管Q1的集电极；所述电流源IDC2的另一端连接反相器INV2的一端和三极管Q2的集电极；所述电流源IDC3的另一端连接反相器INV3的一端和三极管Q3的集电极；所述电压源VDC为Regulator电压，电压源VDC的正极端连接三极管Q1、Q2、Q3的基极，电压源VDC的负极端接地；所述三极管Q1的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC1的另一端和反相器INV1的一端，发射极接地；所述三极管Q2的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC2的另一端和反相器INV2的一端，发射极接地；所述三极管Q3基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC3的另一端和反相器INV3的一端，发射极接地；所述反相器INV1一端连接电流源IDC1的另一端和三极管Q1的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述反相器INV2一端连接电流源IDC2的另一端和三极管Q2的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述反相器INV3一端连接电流源IDC3的另一端和三极管Q3的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述或门OR的输入端分别连接反相器INV1的另一端、INV2的另一端和INV3的另一端，或门OR的输出端连接过温保护电路的输出端口VOUT。进一步的，三极管Q1、Q2和Q3作用为温度传感器，可根据电路实际需求增加多个并联支路，并将并联支路中的三极管均匀分布于功率管上检测功率管的温度；所述每个并联支路中，电流源IDC的一端连接输入端VCC，电流源IDC的另一端连接反相器INV的一端和三极管的集电极，三极管的基极连接电压源VDC的正极端，三极管的发射极接地，反射器的另一端连接或门OR的输入端。本专利技术的有益效果在于：1.在功率管周围选取的点多，能够多方位准确检测温度的变化，当功率管任何部位发生温度变化时都能够实时检测。2.根据电路内部的具体情况选择温度传感器的个数，按一定的排序方法排列在功率管的周围，更能有效控制芯片内部温度，从而保护芯片。附图说明图1为传统的温度传感器和功率管位置关系示意图。图2为本专利技术的防止负载开关被热烧毁的保护结构的电路示意图。图3为本专利技术的温度传感器和功率管位置关系示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，电路如图2所示，包括输入端VCC，电压源VDC，电流源IDC1、IDC2、IDC3，具有负温度系数的温度传感器的三极管Q1、Q2、Q3，反相器INV1、INV2、INV3，反相器OR和输出端VOUT。所述输入端VCC连接电流源IDC1的一端、电流源IDC2的一端和电流源IDC3的一端；电流源IDC1的另一端连接反相器INV1的一端和三极管Q1的集电极；所述电流源IDC2的另一端连接反相器INV2的一端和三极管Q2的集电极；所述电流源IDC3的另一端连接反相器INV3的一端和三极管Q3的集电极；所述电压源VDC为图2所示电路实际应用中所在的芯片中其他部分提供的Regulator电压，电压源VDC的正极端连接三极管Q1、Q2、Q3的基极，电压源VDC的负极端接地；所述三极管Q1的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC1的另一端和反相器INV1的一端，发射极接地；所述三极管Q2的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC2的另一端和反相器INV2的一端，发射极接地；所述三极管Q3基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC3的另一端和反相器INV3的一端，发射极接地；所述反相器INV1一端连接电流源IDC1的另一端和三极管Q1的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述反相器INV2一端连接电流源IDC2的另一端和三极管Q2的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述反相器INV3一端连接电流源IDC3的另一端和三极管Q3的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述或门OR的输入端分别连接反相器INV1的另一端、INV2的另一端和INV3的另一端，或门OR的输出端连接过温保护电路的输出端口VOUT。进一步的，三极管Q1、Q2和Q3作用为温度传感器，可根据电路实际需求增加多个并联支路，并将并联支路中的三极管均匀分布于功率管上检测功率管的温度；所述每个并联支路中，电流源IDC的一端连接输入端VCC，电流源IDC的另一端连接反相器INV的一端和三极管的集电极，三极管的基极连接电压源VDC的正极端，三极管的发射极接地，反射器的另一端连接或门OR的输入端。一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，如图3所示：在功率管的中心点和四个角分别固定放置一个温度传感器，分别检测功率管中心温度和四个边角温度；在图2所示电路的芯片中检测温度的监测点多，更能有效地及时监测功率管内部各点的温度。由于选用的温度传感器具有负温度系数，当功率管温度升高时，温度传感器自身电阻值减小，温度传感器的集电极的电压值降低，通过反相器反相后，通过或门将芯片内放置的几个温度传感器的变化进行或运算，任何一个监测点的温度高于设置的温度阈值，则或门输出高电位，及时传输关断芯片工作的信号，从而及时保护芯片。综上，本专利技术提出了一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，实现简单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，其特征在于：/n所述防止负载开关被热烧毁的保护电路，包括输入端VCC，电压源VDC，电流源IDC1、IDC2、IDC3，具有负温度系数的三极管Q1、Q2、Q3，反相器INV1、INV2、INV3，反相器OR和输出端VOUT；/n所述输入端VCC连接电流源IDC1的一端、电流源IDC2的一端和电流源IDC3的一端；电流源IDC1的另一端连接反相器INV1的一端和三极管Q1的集电极；所述电流源IDC2的另一端连接反相器INV2的一端和三极管Q2的集电极；所述电流源IDC3的另一端连接反相器INV3的一端和三极管Q3的集电极；所述电压源VDC为Regulator电压，电压源VDC的正极端连接三极管Q1、Q2、Q3的基极，电压源VDC的负极端接地；所述三极管Q1的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC1的另一端和反相器INV1的一端，发射极接地；所述三极管Q2的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC2的另一端和反相器INV2的一端，发射极接地；所述三极管Q3基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC3的另一端和反相器INV3的一端，发射极接地；/n所述反相器INV1一端连接电流源IDC1的另一端和三极管Q1的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述反相器INV2一端连接电流源IDC2的另一端和三极管Q2的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述反相器INV3一端连接电流源IDC3的另一端和三极管Q3的集电极，另一端连接或门OR的输入端；所述或门OR的输入端分别连接反相器INV1的另一端、INV2的另一端和INV3的另一端，或门OR的输出端连接过温保护电路的输出端口VOUT。/n...

【技术特征摘要】
1.一种防止负载开关被热烧毁的保护电路，其特征在于：
所述防止负载开关被热烧毁的保护电路，包括输入端VCC，电压源VDC，电流源IDC1、IDC2、IDC3，具有负温度系数的三极管Q1、Q2、Q3，反相器INV1、INV2、INV3，反相器OR和输出端VOUT；
所述输入端VCC连接电流源IDC1的一端、电流源IDC2的一端和电流源IDC3的一端；电流源IDC1的另一端连接反相器INV1的一端和三极管Q1的集电极；所述电流源IDC2的另一端连接反相器INV2的一端和三极管Q2的集电极；所述电流源IDC3的另一端连接反相器INV3的一端和三极管Q3的集电极；所述电压源VDC为Regulator电压，电压源VDC的正极端连接三极管Q1、Q2、Q3的基极，电压源VDC的负极端接地；所述三极管Q1的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC1的另一端和反相器INV1的一端，发射极接地；所述三极管Q2的基极连接电压源VDC的正极端，集电极连接电流源IDC2的另一端和反相器INV2的一端，发射极接地；所述三极管Q3基极连接电压源VDC的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：方建平，边疆，张适，
申请(专利权)人：西安拓尔微电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61