发光显示装置制造方法及图纸

发光显示装置包括：绝缘基板；半导体层，位于绝缘基板上方；第一栅极绝缘膜，位于半导体层上方；第一栅极导电体，位于第一栅极绝缘膜上方；第二栅极绝缘膜，位于第一栅极导电体上方；第二栅极导电体，位于第二栅极绝缘膜上方；层间绝缘膜，位于第二栅极导电体上方；数据导电体，位于层间绝缘膜上方；保护膜，位于数据导电体上方；二极管第一电极，位于保护膜上方；隔壁，位于二极管第一电极和保护膜上方且具有与二极管第一电极重叠的开口部；发光层，位于开口部内的二极管第一电极上方；和二极管第二电极，位于发光层和隔壁上方，数据导电体包括位于平面上的左侧的左侧倾斜面和平面上的右侧的右侧倾斜面，左侧倾斜面不同于右侧倾斜面的面积。

【技术实现步骤摘要】
发光显示装置
本公开涉及发光显示装置及其制造方法。
技术介绍
发光显示装置具有自身发光特性，与液晶显示装置(liquidcrystaldisplaydevice)不同，无需另行配备光源，因此能够减少厚度和重量。另外，发光显示装置表现出低功耗、高亮度及高反应速度等高品质特性。发光显示装置包括发光二极管，该发光二极管包括两个电极和位于其间的发光层，从两个电极分别向发光层内部注入空穴和电子时，在注入的空穴和电子相结合的激子从激发态掉落到基态时进行发光。在发光二极管的情况下，与发光层重叠的电极可以具有凹凸形状。由此，可能会引起随着视角的色变化。
技术实现思路
各实施例提供一种能够改善视角的发光显示装置。本专利技术的一实施例的发光显示装置包括：绝缘基板；半导体层，位于所述绝缘基板的上方；第一栅极绝缘膜，位于所述半导体层的上方；第一栅极导电体，位于所述第一栅极绝缘膜的上方；第二栅极绝缘膜，位于所述第一栅极导电体的上方；第二栅极导电体，位于所述第二栅极绝缘膜的上方；层间绝缘膜，位于所述第二栅极导电体的上方；数据导电体，位于所述层间绝缘膜的上方；保护膜，位于所述数据导电体的上方；二极管第一电极，位于所述保护膜的上方；隔壁，位于所述二极管第一电极和所述保护膜的上方，且具有与所述二极管第一电极相重叠的开口部；发光层，位于所述开口部内的所述二极管第一电极的上方；以及二极管第二电极，位于所述发光层和所述隔壁的上方，所述数据导电体包括位于平面上的左侧的左侧倾斜面和位于平面上的右侧的右侧倾斜面，所述左侧倾斜面的面积不同于所述右侧倾斜面的面积。所述数据导电体可以与所述开口部相重叠。所述左侧倾斜面可以包括与所述开口部相重叠的左侧倾斜面重叠部，所述右侧倾斜面可以包括与所述开口部相重叠的右侧倾斜面重叠部。所述左侧倾斜面重叠部的面积之和可以与所述右侧倾斜面重叠部的面积之和相同。所述左侧倾斜面的面积可以比所述右侧倾斜面的面积宽。所述左侧倾斜面可以在平面上具有锯齿形状。所述保护膜可以在上部面形成有凹凸。所述二极管第一电极可以具有凹凸形状。所述二极管第一电极的所述凹凸形状可以与所述开口部相重叠。本专利技术的一实施例的发光显示装置的制造方法包括：形成位于绝缘基板的上方的半导体层的步骤；在所述半导体层的上方形成第一栅极绝缘膜的步骤；在所述第一栅极绝缘膜的上方形成第一栅极导电体的步骤；在所述第一栅极导电体的上方形成第二栅极绝缘膜的步骤；在所述第二栅极绝缘膜的上方形成第二栅极导电体的步骤；在所述第二栅极导电体的上方形成层间绝缘膜的步骤；在所述层间绝缘膜的上方形成数据导电体的步骤；在所述数据导电体的上方形成保护膜的步骤；在所述保护膜的上方形成二极管第一电极的步骤；在所述二极管第一电极及所述保护膜的上方形成具有与所述二极管第一电极相重叠的开口部的隔壁的步骤；在所述开口部内的所述二极管第一电极的上方形成发光层的步骤；以及在所述发光层及所述隔壁的上方形成二极管第二电极的步骤，所述数据导电体包括位于平面上的左侧的左侧倾斜面和位于平面上的右侧的右侧倾斜面，所述左侧倾斜面的面积不同于所述右侧倾斜面的面积。形成所述数据导电体的步骤可以包括：在所述层间绝缘膜的上方形成数据金属层的步骤；在所述数据金属层的上方形成感光膜的步骤；使用光掩模向所述感光膜照射光而形成第一感光膜图案的步骤；将所述第一感光膜图案作为掩模对所述数据金属层进行蚀刻而形成预备数据导电体的步骤；对所述第一感光膜图案进行灰化处理而形成第二感光膜图案的步骤；以及将所述第二感光膜图案作为掩模对所述预备数据导电体进行蚀刻的步骤。所述光掩模可以包括透光部、遮光部以及半透光部，所述第一感光膜图案包括第一部分以及厚度比所述第一部分薄的第二部分，所述第一部分与所述透光部对应，所述第二部分与所述半透光部对应。所述第二感光膜图案可以是所述第一部分被去除且所述第二部分的厚度变薄而形成的。(专利技术效果)根据各实施例，通过调节数据导电体的左右倾斜面的面积来减少引起随着视角的色变化的情况，能够改善发光显示装置的视角。附图说明图1是本专利技术的一实施例的发光显示装置的一个像素的等效电路图。图2是示意性示出本专利技术的一实施例的发光显示装置的一个像素的平面的一例的图。图3是示意性示出沿着III-III'线切断图2的发光显示装置的剖面的一例的图。图4是示意性示出图2的发光显示装置的驱动电压线及第一数据连接构件的平面的一例的图。图5是示意性示出沿着V-V'线切断图4的驱动电压线及第一数据连接构件的剖面的一例的图。图6至图8是示意性示出本专利技术的一实施例的发光显示装置的制造方法的一例的图。图9及图10分别是示意性示出本专利技术的一实施例的发光显示装置的驱动电压线及第一数据连接构件的平面的一例的图。符号说明：130：半导体层；151：第一扫描线；152：第二扫描线；153：发光控制线；155：第一栅电极；158：旁路控制线；171：数据线；172：驱动电压线；172L：左侧倾斜面；172R：右侧倾斜面；172LA：左侧倾斜面重叠部；172RA：右侧倾斜面重叠部；191：二极管第一电极；270：二极管第二电极；300：光掩模；350：隔壁；351：开口部；370：发光层；71：第一数据连接构件；72：第二数据连接构件；71L：左侧倾斜面；71R：右侧倾斜面；71LA：左侧倾斜面重叠部；71RA：右侧倾斜面重叠部；73：第三数据连接构件；79：电容控制图案。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的多个实施例进行详细的说明，以使本领域技术人员能够容易地实施本专利技术。本专利技术可以实现为多种相互不同的形态，并不限于在此说明的各实施例。为了明确说明本专利技术，省略了与说明无关的部分，在整个说明书中，对于相同或类似的结构要素赋予相同的符号。另外，为了说明上的便利，附图中示出的各结构的大小及厚度是任意的，因此本专利技术并不限于图示的内容。在附图中为了明确表现出多个层及区域而放大表示了厚度。此外，为了说明上的便利，在附图中夸张地表示了一部分层及区域的厚度。另外，当描述为层、膜、区域、板等部分置于另一部分的“上方”或者“上”时，其不仅包括位于另一部分的“直接上方”的情况，还包括其间设有其他部分的情况。相反地，当描述为某一部分位于另一部分“直接上方”时，表示其间不存在其他部分。另外，当描述为处于作为基准的部分的“上方”或者“上”时，表示位于作为基准的部分的上方或者下方，而并非表示必须位于重力相反方向侧的“上方”或者“上”。另外，在整个说明书中，当描述为某个部分“包括”某个结构要素时，除非有特别相反的记载，则表示还可以包括其他结构要素，而不是将其他结构要素排除在外。另外，在整个说明书中，当描述为“平面上”时，表示从上方观察对象部分，当描述为“剖面上”时，表示从侧方观察将对象部分垂直切断的剖面。图1是本专利技术的一实施例的发光显示装置的一个像素的等效电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光显示装置，包括：/n绝缘基板；/n半导体层，位于所述绝缘基板的上方；/n第一栅极绝缘膜，位于所述半导体层的上方；/n第一栅极导电体，位于所述第一栅极绝缘膜的上方；/n第二栅极绝缘膜，位于所述第一栅极导电体的上方；/n第二栅极导电体，位于所述第二栅极绝缘膜的上方；/n层间绝缘膜，位于所述第二栅极导电体的上方；/n数据导电体，位于所述层间绝缘膜的上方；/n保护膜，位于所述数据导电体的上方；/n二极管第一电极，位于所述保护膜的上方；/n隔壁，位于所述二极管第一电极和所述保护膜的上方，且具有与所述二极管第一电极相重叠的开口部；/n发光层，位于所述开口部内的所述二极管第一电极的上方；以及/n二极管第二电极，位于所述发光层和所述隔壁的上方，/n所述数据导电体包括位于平面上的左侧的左侧倾斜面和位于平面上的右侧的右侧倾斜面，/n所述左侧倾斜面的面积不同于所述右侧倾斜面的面积。/n

【技术特征摘要】
20190124 KR 10-2019-00094391.一种发光显示装置，包括：
绝缘基板；
半导体层，位于所述绝缘基板的上方；
第一栅极绝缘膜，位于所述半导体层的上方；
第一栅极导电体，位于所述第一栅极绝缘膜的上方；
第二栅极绝缘膜，位于所述第一栅极导电体的上方；
第二栅极导电体，位于所述第二栅极绝缘膜的上方；
层间绝缘膜，位于所述第二栅极导电体的上方；
数据导电体，位于所述层间绝缘膜的上方；
保护膜，位于所述数据导电体的上方；
二极管第一电极，位于所述保护膜的上方；
隔壁，位于所述二极管第一电极和所述保护膜的上方，且具有与所述二极管第一电极相重叠的开口部；
发光层，位于所述开口部内的所述二极管第一电极的上方；以及
二极管第二电极，位于所述发光层和所述隔壁的上方，
所述数据导电体包括位于平面上的左侧的左侧倾斜面和位于平面上的右侧的右侧倾斜面，
所述左侧倾斜面的面积不同于所述右侧倾斜面的面积。


2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪相玟，丁憙星，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR