抹除方法技术

本发明专利技术提供一种抹除方法，适于半导体存储器装置，包括对半导体存储器装置执行预程序化程序，对半导体存储器装置执行抹除程序，对半导体存储器装置的多个存储单元执行过抹除验证程序，并检测该些存储单元的总消耗电流，依据总消耗电流决定执行软程序化程序的存储单元数量，以及基于存储单元数量在该些存储单元中进行软程序化程序。

【技术实现步骤摘要】
抹除方法
本专利技术涉及一种半导体存储器装置的操作方法，尤其涉及一种适于半导体存储器装置的抹除方法。
技术介绍
一般来说，于半导体存储器中执行抹除程序时，先选择欲执行的存储单元阵列区域，接着会依序执行预程序化(PreProgram)程序、抹除(PureErase)程序、抹除验证程序(Eraseverify)、过抹除验证程序(Over-Eraseverify)、软程序化(SoftProgram)程序以及更新(Refresh)。若抹除验证程序验证有至少一存储单元尚未被抹除成功，则再次执行抹除程序；倘若所有存储单元均已被抹除成功，则针对所有存储单元进行过抹除验证程序找出过抹除的存储单元并且针对过抹除的所有存储单元执行软程序化程序，并验证是否所有的存储单元均已软程序化成功。倘若有至少一存储单元尚未被软程序化成功，则再次执行软程序化程序；倘若所有存储单元均已被软程序化成功，则针对所有未选择到执行抹除程序的存储单元进行更新(Refresh)，当所有存储单元均已更新完成，则结束抹除程序。执行预程序化程序以及抹除程序所耗费的时间非常短，但执行软程序化程序所耗费的时间会因存储器芯片的额定供应电压而有所差异。一般来说，若存储器芯片的额定供应电压越小时，则执行软程序化程序所消耗的时间会越长。另一方面，温度也会对软程序化程序有影响。例如，于室温操作下，存储器芯片执行软程序化程序所花费的时间约为100～200ms，然而于低温操作下(例如：-25℃)，存储器芯片执行软程序化程序所花费的时间则会增加到900～950ms，这是由于温度下降使得电荷泵的输出电压下降进而造成存储单元的漏极端电压下降的缘故。电荷泵的输出电压下降的原因是来自于执行软程序化程序的存储单元以及未执行软程序化程序的存储单元所产生的漏电流，在低温时，产生的漏电流更巨。如此一来，软程序化程序所消耗的时间增加，大大降低了软程序化程序的效率。针对软程序化程序效率降低的问题，一般的解决方法是加强电荷泵的能力。电荷泵的能力与泵电路的主动区域相关，若要加强，相对地也会扩大泵电路的主动区域，使得存储器芯片的尺寸也会变大。这对于目前电子元件的尺寸微小化的趋势下是一个考验。另一软程序化程序效率降低的解决方法是以采用新的程序化或是软程序化演算法来节省时间。其中一种作法是降低消耗的电流，作法上是使用大的负偏压于未执行验证程序的字线，或是降低每次执行软程序化程序的存储单元数量。然而，这两种作法都必须预先进行设定，并没有办法保证能够提升软程序化程序效率并减少软程序化的时间。
技术实现思路
本专利技术提供一种适于半导体存储器装置的抹除方法，以提升软程序化程序的效率并减少软程序化的时间。在本专利技术的一实施例中，上述的抹除方法，适用于半导体存储器装置，包括对半导体存储器装置执行预程序化程序，对半导体存储器装置执行抹除程序，对半导体存储器装置的多个存储单元执行过抹除验证程序，并检测该些存储单元的总消耗电流，依据总消耗电流决定执行软程序化程序的存储单元数量，以及基于存储单元数量在该些存储单元中进行软程序化程序。基于上述，在本专利技术实施例所提出的抹除方法中，可依据总消耗电流的多寡来决定同时进行软程序化程序的存储单元数量，故可节省软程序化程序的时间。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是本专利技术实施例所绘示的流程图；图2是本专利技术实施例所绘示的存储单元阵列的示意图；图3是本专利技术实施例所绘示的抹除方法的另一流程图。附图标记说明11～15：存储器装置的抹除方法的步骤2：存储单元阵列31～35：存储器装置的抹除方法的步骤BL0～BLi：位线WL0～WL255：字线具体实施方式一般来说，温度会对软程序化程序有所影响。例如，温度下降使得电荷泵的输出电压下降进而造成存储单元的漏极端电压下降。电荷泵的输出电压下降的原因是来自于执行软程序化程序的存储单元以及未执行软程序化程序的存储单元所产生的漏电流。如此一来，软程序化程序所消耗的时间增加，大大降低了软程序化程序的效率。在对存储单元执行软程序化程序时，正在执行软程序化程序的存储单元与未执行软程序化程序的存储单元都会消耗电流，但正在执行软程序化程序的存储单元所消耗的电流是相对较大的。当所消耗的电流愈大时，漏极电荷泵的负担将愈重，这也是低供应电压的存储器芯片在对存储单元执行软程序化程序时效率降低的原因。在本专利技术的一实施例中，通过检测所有存储单元的总消耗电流来决定一次针对多少存储单元执行软程序化程序，以提升软程序化程序效率并减少软程序化的时间。请参照图1，所示的抹除方法适于半导体存储器装置，例如可为反或闸快闪存储器芯片(NORflashmemorychip)。在步骤11中，对半导体存储器装置执行预程序化程序。在步骤12中，对半导体存储器装置执行抹除程序并确认所有的存储单元都通过抹除。在步骤13中，对半导体存储器装置的多个存储单元执行过抹除验证程序，纪录未通过过抹除验证程序的一或多个选中存储单元并检测这些存储单元的总消耗电流。更详细来说，过抹除验证程序是在验证并找出是否有过抹除的存储单元。将未通过过抹除验证程序的存储单元记录下来，以对这些存储单元来执行软程序化程序，并且在验证的同时，检测这些存储单元的总消耗电流。例如，在WL0～WL255的存储单元阵列中以一次进行8bits的验证时，总消耗电流＝Icell×8+Ioff×255×8。其中，Icell代表目前通电正在验证的存储单元的消耗电流，Ioff代表其他未通电的存储单元(即，字线WL0～WL255)的漏电流。之后，在步骤14中，依据总消耗电流决定执行软程序化程序的存储单元数量。在步骤15中，基于存储单元数量在这些存储单元中进行软程序化程序。也就是说，基于决定出的存储单元数量来导通字线上对应数量的位线，藉此进行软程序化程序。例如，以一次导通一条字线来执行软程序程序而言，在决定执行软程序化程序的存储单元数量为2之后，在每一次执行软程序化程序时，导通2条字线，以此类推。请参阅图2，存储单元阵列2包括256条字线以及i条位线。在本实施例中，对存储单元阵列2执行预程序化程序及抹除程序/抹除验证程序时，都是针对整个存储单元阵列，而对存储单元阵列2执行过抹除验证程序与软程序化程序则是一次针对一条字线上的8比特来执行。举例来说，先对字线WL0与位线BL0～BL7上的存储单元执行过抹除验证程序，并检测此时的总消耗电流。即，导通字线WL0以及位线BL0～BL7。接着，依据总消耗电流决定执行软程序化程序的存储单元数量。然后，再基于存储单元数量导通对应数量的位线来进行软程序化程序。例如，假设依据总消耗电流所决定的存储单元数量为2时，则在软程序化程序中会先导通位线BL0、位线BL1(即2个存储单元)来执行软程序化程序。待字线WL0上的位线BL0、位线BL1完成软程序化程序后，接着导通位线BL2、位线BL3执行软程序化程序本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抹除方法，适用于半导体存储器装置，包括：/n对所述半导体存储器装置执行预程序化程序；/n对所述半导体存储器装置执行抹除程序；/n对所述半导体存储器装置的多个存储单元执行过抹除验证程序，并检测所述多个存储单元的总消耗电流；/n依据所述总消耗电流决定执行软程序化程序的存储单元数量；以及/n基于所述存储单元数量在所述多个存储单元中进行所述软程序化程序。/n

【技术特征摘要】
20190124 TW 1081026501.一种抹除方法，适用于半导体存储器装置，包括：
对所述半导体存储器装置执行预程序化程序；
对所述半导体存储器装置执行抹除程序；
对所述半导体存储器装置的多个存储单元执行过抹除验证程序，并检测所述多个存储单元的总消耗电流；
依据所述总消耗电流决定执行软程序化程序的存储单元数量；以及
基于所述存储单元数量在所述多个存储单元中进行所述软程序化程序。


2.根据权利要求1所述的抹除方法，其中在对所述多个存储单元执行所述过抹除验证程序的步骤之后，还包括：
记录未通过所述过抹除验证程序的一或多个选中存储单元。


3.根据权利要求1所述的抹除方法，其中依据所述总消耗电流决定执行所述软程序化程序的所述存储单元数量的步骤包括：
将所述总消耗电流与多个临界值进行比对，以决定执行所述软程序化程序的所述存储单元数量。


4.根据权利要求3所述的抹除方法，其中所述多个临界值包括第一临界值以及第二临界值；
当...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖祐楷，陈江宏，洪文，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71