一种管状陶瓷电容芯片及电容器制造技术

本实用新型专利技术涉及电容技术领域，尤其涉及一种管状陶瓷电容芯片及电容器。管状陶瓷电容芯片其包括管状的陶瓷基体，陶瓷基体的内表面覆盖有内电极，陶瓷基体的外表面覆盖有外电极，陶瓷基体上端面的中部向外延伸出上爬电环，陶瓷基体下端面的中部向外延伸出下爬电环。通过将陶瓷基体设置为管状，在保持有大容量电容的前提下，可以有效减小电容器的安装面积，降低使用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种管状陶瓷电容芯片及电容器
本技术涉及电容
，尤其涉及一种管状陶瓷电容芯片及电容器。
技术介绍
目前电容芯片基本采用圆片状的陶瓷电容，在使用过程中，一些场合需要较大容量的电容，如150~300PF；电容的容量与电容的电极面积呈正比，如果增加圆片状的陶瓷电容电极面积，以达到所需要的电容容量，则会造成陶瓷电容电极的面积较大，使得电容器的体积为扁平状，在安装时，占用较大的电路板表面积，不利于安装和使用。
技术实现思路
本技术的目的在于解决现有技术的不足，提供一种管状陶瓷电容芯片，该陶瓷电容芯片呈管状，有利于减少相应电容器的安装面积。一种管状陶瓷电容芯片，其包括管状的陶瓷基体，陶瓷基体的内表面覆盖有内电极，陶瓷基体的外表面覆盖有外电极，陶瓷基体上端面的中部向外延伸出上爬电环，陶瓷基体下端面的中部向外延伸出下爬电环。进一步地，所述上爬电环将陶瓷基体的上端面分为内上端面和外上端面，所述上爬电环内套设有上内环，上内环的下端面与内上端面抵接，上内环的中部设有布线孔。进一步地，所述下爬电环的内侧面套接有圆形的下密封板。进一步地，所述下爬电环的内侧面设有环形卡凸，所述下密封板设有与环形卡凸相配合的环形卡槽。进一步地，所述陶瓷基体的内侧面设有多个环形凸起。一种电容器，其包括上述的管状陶瓷电容芯片。本技术的有益效果为：通过将陶瓷基体设置为管状，在保持有大容量电容的前提下，可以有效减小电容器的安装面积，降低使用成本。附图说明图1为本技术管状陶瓷电容芯片的一种结构示意图。图2为图1的一种剖视结构示意图。图3为本技术管状陶瓷电容芯片的第二种结构示意图。图4为图3的一种剖视结构示意图。图5为图3的第二种剖视结构示意图。附图标记说明：1——陶瓷基体；2——外电极；3——上爬电环；4——内电极；5——下爬电环；51——环形卡凸；6——上内环；61——布线孔；11——环形凸起。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的说明。实施例：参见图1至图5。参见图1、图2；一种管状陶瓷电容芯片，其包括管状的陶瓷基体1，陶瓷基体1的内表面覆盖有内电极4，陶瓷基体1的外表面覆盖有外电极2，陶瓷基体1上端面的中部向外延伸出上爬电环3，陶瓷基体1下端面的中部向外延伸出下爬电环5。目前圆片状电容的电极面积为：S1=πR12；如果厚度为H1，其体积为V1=S1×H1=πR12H1；当采用管状陶瓷基体1，其外电极2面积为：S2=2πR2H2；体积为：πR22H2，端面面积S3=πR22。当管状陶瓷基体1的外电极2面积与圆片状的电极面积相等时，R2=R12/（2H2）；由此可知只需要提高H2的数值，即电容芯片的高度，即可减少外电极2的外径，以及端面面积S3：从而可以有效减少相应电容器的水平横截面面积，并利于减少电容器的安装面积。而当电容芯片携带的电量较大时，内电极4、外电极2之间的电势较大，由于内电极4、外电极2之间的厚度差不能太大，否则会导致内外电极2间的面积相差太大，导致带电量相差大而影响到电容容量，这样势必会导致内电极4、外电极2的边缘处容易将空气击穿并放电，为避免这种情况发生，本技术方案采用在陶瓷基体1的上端面中部以及下端面中部分别向外延伸出上爬电环3和下爬电环5，增加内电极4、外电极2边缘处的空间距离，避免空气击穿放电。参见图3，进一步地，所述上爬电环3将陶瓷基体1的上端面分为内上端面和外上端面，所述上爬电环3内套设有上内环6，上内环6的下端面与内上端面抵接，上内环6的中部设有布线孔61。为增加爬电距离，同时减少上爬电环3的高度，这样可以减少整个管状陶瓷电容芯片所占体积；本技术方案采用在上爬电环3的内部套设有上内环6；上内环6的布线孔61的直径远小于管状陶瓷电容芯片的内径，如布线孔61的直径为管状陶瓷电容芯片的内径的十分之一等；内电极4与外电极2之间的上端爬电距离增加了上内环6的近似于其直径大小的部分距离，从而有效增加了上端爬电距离，因此可以适当减少上爬电环3的高度，以减少整个陶瓷基体1的体积。参见图4、图5；进一步地，所述下爬电环5的内侧面套接有圆形的下密封板。同样为了增加下端的爬电距离，或者避免空气击穿；在下爬电环5的内侧面直接套接下密封板，将下端的空气击穿线路阻断，从而避免下端的空气击穿。同时可以有效的减少下爬电环5的高度。参见图4；进一步地，所述下爬电环5的内侧面设有环形卡凸51，所述下密封板设有与环形卡凸51相配合的环形卡槽。设置环形卡槽和环形卡凸51，使得下爬电环5与下密封板紧密连接，优选地，下爬电环5与下密封板过盈配合。参见图5；进一步地，所述陶瓷基体1的内侧面设有多个环形凸起11。设置环形凸起11后，覆盖在上面的内电极4也呈凸起状，可以提高内电极4的面积；由于陶瓷基体1呈管状，其外电极2面积大于内电极4面积，带电量会不均衡，为减小该不均衡，本技术方案在陶瓷基体1的内侧面设有多个环形凸起11，以增加内电极4面积，减少不均衡度；其次，也避免陶瓷基体1的厚度较小，导致容易击穿。一种电容器，其包括上述的管状陶瓷电容芯片。本技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：其包括管状的陶瓷基体，陶瓷基体的内表面覆盖有内电极，陶瓷基体的外表面覆盖有外电极，陶瓷基体上端面的中部向外延伸出上爬电环，陶瓷基体下端面的中部向外延伸出下爬电环。/n

【技术特征摘要】
1.一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：其包括管状的陶瓷基体，陶瓷基体的内表面覆盖有内电极，陶瓷基体的外表面覆盖有外电极，陶瓷基体上端面的中部向外延伸出上爬电环，陶瓷基体下端面的中部向外延伸出下爬电环。


2.根据权利要求1所述的一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：所述上爬电环将陶瓷基体的上端面分为内上端面和外上端面，所述上爬电环内套设有上内环，上内环的下端面与内上端面抵接，上内环的中部设有布线孔。


3.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：何鹏飞，易建超，
申请(专利权)人：东莞市美志电子有限公司，湖南美志科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44