一种高压LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、设于发光结构上的N电极和P电极、连接电极、以及桥接强化层；所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间；所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流。本实用新型专利技术通过在连接电极上设置桥接强化层，使得只流经连接电极的电流可以分流到桥接强化层，以减少脉冲电流对连接电极桥接部的冲击，从而提高芯片的抗脉冲电流冲击的能力。

【技术实现步骤摘要】
一种高压LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种高压LED芯片。
技术介绍
现有的高压LED芯片多用于球泡灯、吸顶灯，对于家用照明，是一种极为普遍的LED芯片。家用电路常常会有电流脉涌的问题，容易造成高压LED芯片烧毁。参见图1，图1是现有高压LED芯片的结构示意图，包括衬底10、若干个设于衬底10上的发光结构20、设于发光结构20上的N电极31和P电极32，其中，相邻两个发光结构之间的N电极31和P电极32通过连接电极33形成桥接，由于桥接34处比较薄弱，因此高于芯片容易在桥接处发生断裂。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种高压LED芯片，在连接电极上设置桥接强化层，以强化连接电极。本技术还要解决的技术问题在于，在连接电极上设置桥接强化层，对经过连接电极的电流进行分流。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种高压LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、N电极、P电极、连接电极和桥接强化层；所述N电极和P电极设置在发光结构上，所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流；所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间。作为上述方案的改进，所述Cr层的厚度为20～50埃，Ti层的厚度为500～2000埃，Pt层的厚度为500～2000埃，Au层的厚度为5000～30000埃。作为上述方案的改进，所述Cr层的厚度为25～40埃，Ti层的厚度为800～1500埃，Pt层的厚度为500～1000埃，Au层的厚度为5000～20000埃。作为上述方案的改进，所述发光结构包括外延层和透明导电层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层上，所述N电极设置在第一半导体层上，所述P电极设置在透明导电层上。作为上述方案的改进，发光结构之间设有隔离槽，所述发光结构和隔离槽上设有绝缘层；所述连接电极设置在绝缘层上，所述连接电极包括桥接部和连接部，所述桥接部位于隔离槽上，所述连接部与桥接部连接，所述桥接强化层设置在桥接部上。作为上述方案的改进，还包括设置在衬底背面上的抗应力层，所述抗应力层用于防止芯片因高温发生翘曲。作为上述方案的改进，所述抗应力层由GaN制成。作为上述方案的改进，所述抗应力层包括GaN层、AlGaN层和AlN层，所述GaN层设置在衬底和AlGaN层之间，所述AlN层设置在AlGaN层上。作为上述方案的改进，所述抗应力层的厚度为外延层厚度的1.0～1.2倍。实施本技术，具有如下有益效果：本技术通过在连接电极上设置桥接强化层，使得只流经连接电极的电流可以分流到桥接强化层，以减少脉冲电流对连接电极桥接部的冲击，从而提高芯片的抗脉冲电流冲击的能力。本技术在衬底的背面设置抗应力层，由于抗应力层的组成元素与外延层的组成元素为同类元素，即本技术在衬底两侧设有同类型元素的结构，因此可以平衡衬底两侧的应力，防止衬底在高温条件下发生翘曲。附图说明图1是现有高压LED芯片的结构示意图；图2是本技术高压LED芯片的结构示意图；图3是本技术高压LED芯片的俯视图；图4是本技术桥接强化层的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。参见图2和图3，本技术提供的一种高压LED芯片，包括衬底10、若干个设于衬底10正面上的发光结构20、N电极31、P电极32、连接电极33、以及桥接强化层40。本技术的衬底10优选为蓝宝石衬底，本技术的发光结构20包括外延层和透明导电层24，所述外延层包括依次设于衬底10上的第一半导体层21、第二半导体层22和第二半导体层23。优选的，本技术外延层的材料优选为氮化镓材料。本技术的衬底还可以选用硅、碳化硅等材料，所述外延层还可以选用砷化镓等材料。需要说明的是，本技术发光结构20之间设有隔离槽25，所述隔离槽25将发光结构20隔开。为了保护发光结构20，防止芯片发生短路，本技术的芯片还包括绝缘层60，所述绝缘层60覆盖在发光结构20上。进一步地，所述绝缘层60沿着发光结构20延伸覆盖在隔离槽25上。所述N电极31设置在第一半导体21上，所述P电极32设置在透明导电层24上。本技术的连接电极33将相邻两个发光结构20的N电极31和P电极32形成导电连接，并将所有的发光结构20形成串联连接。本技术的连接电极33设置在绝缘层60上，所述连接电极33包括桥接部和连接部，所述桥接部位于隔离槽25上，所述连接部与桥接部连接，所述桥接强化层40设置在桥接部上。本技术通过在连接电极上设置桥接强化层，使得只流经连接电极的电流可以分流到桥接强化层，以减少脉冲电流对连接电极桥接部的冲击，从而提高芯片的抗脉冲电流冲击的能力。为了进一步提高桥接强化层的作用，所述桥接强化层的面积等于大于桥接部的面积。优选的，所述桥接强化层的边长比桥接部的边长大3～5μm，这样分流效果最佳。参见图4，所述桥接强化层40包括Cr层41、Ti层42、Pt层43和Au层44，所述Cr层41设置在连接电极33和Ti层42之间，所述Pt层43设置在Ti层42和Au层44之间。需要说明的是，Cr层作为粘附层，以将桥接强化层粘附在连接电极上，若Cr的厚度太厚，则Cr层容易断裂。Ti层和Pt层作为叠障层，以避免桥接强化层的金属互相扩散，造成空洞，使得老化不佳，若Ti层的厚度太厚，则芯片电压会增高，若Ti层和Pt层的厚度太薄，则起不到效果。本技术的桥接强化层通过Cr层、Ti层、Pt层和Au层的相互配合，不仅将连接电极的电流分流到桥接强化层，还保证桥接强化层不易与连接电极分离，更不影响芯片的出光效率。优选的，所述Cr层的厚度为20～50埃，Ti层的厚度为500～2000埃，Pt层的厚度为500～2000埃，Au层的厚度为5000～30000埃。更优的，所述Cr层的厚度为25～40埃，Ti层的厚度为800～1500埃，Pt层的厚度为500～1000埃，Au层的厚度为5000～20000埃。由于本技术的芯片为高于LED芯片，在大电流的条件下工作，衬底的面积比常规的芯片大，芯片在工作时，衬底在高温应力大的情况下，容易发生翘曲变形。本技术在衬底10背面设置抗应力层50，用于防止芯片因高温发生翘曲。本技术的抗应力层50由AlN、AlGaN和GaN中的一种或几种制成。需要说明的是，上述材料与发光结构的材料具有同类型的元素。本技术在衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、N电极、P电极、连接电极和桥接强化层；/n所述N电极和P电极设置在发光结构上，所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流；/n所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、N电极、P电极、连接电极和桥接强化层；
所述N电极和P电极设置在发光结构上，所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流；
所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间。


2.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述Cr层的厚度为20～50埃，Ti层的厚度为500～2000埃，Pt层的厚度为500～2000埃，Au层的厚度为5000～30000埃。


3.如权利要求2所述的高压LED芯片，其特征在于，所述Cr层的厚度为25～40埃，Ti层的厚度为800～1500埃，Pt层的厚度为500～1000埃，Au层的厚度为5000～20000埃。


4.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括外延层和透明导电层，所述外延层包括依次设于衬底上...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，庄家铭，徐亮，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44