显示装置和显示装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种显示装置与一种显示装置的制造方法。所述显示装置包括一触控层。所述触控层包括至少一无机绝缘层、至少一金属层以及一钝化层。所述金属层设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案。所述钝化层覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括一有机光阻，所述有机光阻参杂有氨吸收粒子。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和显示装置的制造方法
本专利技术涉及显示器
，特别是涉及一种显示装置和显示装置的制造方法。
技术介绍
有机发光二极体内嵌式触控的显示面板(organicon-celltouchdisplaypanel，OLEDon-celltouchdisplaypanel)，又称DOT技术(directoncelltouch，DOT)。集成OLED及触控结构，相较外挂式触控面板具有更好的透过率、耐弯折性、及轻薄等特点，将成为柔性OLED显示未来趋势。此技术为在OLED面板的层薄膜封装(thinfilmencapsulation，TFE)上直接利用低温工艺(T≤90℃)制作触控结构，从而实现OLED和触控结构的集成。图1显示使用DOT技术的OLED面板的结构示意图。一般的OLED面板结构，从下到上分别为一柔性衬底基板10(如polyimide，PI基板)、一阵列基板11、一发光器件层12以及一薄膜封装层13。使用DOT技术的触控层，从下到上为一第一无机绝缘层14、一第一金属层15、一第二无机绝缘层14、一第二金属层15、一钝化层16。面板的外贴膜层，包括一偏光片层18和一盖板层19，通过光学透明胶(opticalclearadhesive，OCA)胶实现贴合。其中所述第一无机绝缘层14和所述第二无机绝缘层14的材料为硅氮化和物(SiNx)，所述第一金属层15和所述第二金属层15形成金属触控电极的图案，材质可以为钛-铝-钛复合材料(Ti-Al-Ti)、钼(Mo)或者其他低阻抗金属。在实际的DOT面板中，在高温条件下的可靠度测试后，所述偏光片层18出现变色情况，如图2所示，导致产品失效。所述偏光片层变色与氢(NH3)相关。在DOT面板生产过程中，无机绝缘层材质为硅氮化和物(SiNx)及硅氧化和物(SiOx)，采用等离子体增强化学的气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，PECVD)进行镀膜，其反应化学式为SiH4(g)+NH3(g)+N2(g)→SiNx(s)+H2(g)以及SiH4(g)+N2O(g)→SiOx(s)+H2(g)+N2(g)。可见在SiNx镀膜中会采用氢(NH3)。在镀膜过程中形成的NH4+会残留在膜层内，特别是DOT触控层结构中所述第一无机绝缘层14和第二无机绝缘层14。SiNx的低温镀膜过程所形成的NH4+残留在膜层内。在高温可靠性测试或者长时间显示使用后，这些铵离子会以氨气的形式从膜层析出与所述偏光片层18发生反应，导致偏光片变色，影响显示装置的显示效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示装置与显示装置的制造方法，其降低一偏光片层出现变色，导致产品失效的风险。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于一显示装置的一触控层，包括：至少一无机绝缘层；至少一金属层，设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案；以及一钝化层，覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括一有机光阻，所述有机光阻参杂有氨吸收粒子。根据本专利技术的一实施例，所述氨吸收粒子为一氨分子筛，所述氨分子筛的孔径小于100纳米，大于0.38纳米。根据本专利技术的一实施例的进一步特征，所述氨分子筛为一4A分子筛。根据本专利技术的一实施例的进一步特征，所述氨分子筛的空间网络结构由硅氧四面体单元和铝氧四面体单元交错排列而形成，所述硅氧四面体单元的化学式为SiO4，所述铝氧四面体单元的化学式为AlO4，所述氨分子筛的化学式为Na2O·Al2O3·2SiO2·9/2H2O，SiO2/Al2O3的硅铝比为2。根据本专利技术的一实施例，所述氨吸收粒子包括与氨发生化学反应的分子。根据本专利技术的一实施例，所述无机绝缘层包括硅氮化物或硅氧化物，所述硅氮化物的化学式为SiNx，所述硅氧化物的化学式为SiOx，其中x为整数。根据本专利技术的一实施例，所述钝化层的光刻工艺线宽精度小于5微米，膜厚为2微米，透过率大于92％。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种显示装置，包括：一衬底基板；一阵列基板，设置于所述衬底基板上；一发光器件层，设置于所述阵列基板上；一薄膜封装层，设置于所述发光器件层上；一触控层，设置于所述薄膜封装层上；一偏光片层，设置于所述触控层上；以及一盖板层，设置于所述偏光片层上；其中所述触控层包括：至少一无机绝缘层，至少一金属层，设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案；以及一钝化层，覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括一有机光阻，所述有机光阻参杂有氨吸收粒子。根据本专利技术的一实施例，所述氨吸收粒子为一氨分子筛，所述氨分子筛的孔径小于100纳米，大于0.38纳米。根据本专利技术的一实施例的进一步特征，所述氨分子筛为一4A分子筛。根据本专利技术的一实施例的进一步特征，所述氨分子筛的空间网络结构由硅氧四面体单元和铝氧四面体单元交错排列而形成，所述硅氧四面体单元的化学式为SiO4，所述铝氧四面体单元的化学式为AlO4，所述氨分子筛的化学式为Na2O·Al2O3·2SiO2·9/2H2O，SiO2/Al2O3的硅铝比为2。根据本专利技术的一实施例，所述氨吸收粒子包括与氨发生化学反应的分子。根据本专利技术的一实施例，所述无机绝缘层包括硅氮化物或硅氧化物，所述硅氮化物的化学式为SiNx，所述硅氧化物的化学式为SiOx，其中x为整数。根据本专利技术的一实施例，所述钝化层的光刻工艺线宽精度小于5微米，膜厚为2微米，透过率大于92％。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种显示装置的制作方法，包括：步骤10：提供一衬底基板；步骤20：在所述衬底基板上依序形成一阵列基板、一发光器件层以及一薄膜封装层；步骤30：通过一光刻工艺，使用一有机光阻，所述光阻参杂有氨吸收粒子，以在所述薄膜封装层上形成一触控层；步骤40：在所述触控层上，依序形成一偏光片层以及一盖板层。根据本专利技术的一实施例，所述触控层包括：至少一无机绝缘层，至少一金属层，设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案；以及一钝化层，覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括所述有机光阻，所述有机光阻参杂有所述氨吸收粒子。根据本专利技术的一实施例，所述氨吸收粒子为一氨分子筛，所述氨分子筛的孔径小于100纳米，大于0.38纳米。根据本专利技术的一实施例的进一步特征，所述氨分子筛为一4A分子筛。根据本专利技术的一实施例的进一步特征，所述氨分子筛的空间网络结构由硅氧四面体单元和铝氧四面体单元交错排列而形成，所述硅氧四面体单元的化学式为SiO4，所述铝氧四面体单元的化学式为AlO4，所述氨分子筛的化学式为Na2O·Al2O3·2SiO2·9/2H2O，SiO2/Al2O3的硅铝比为2。根据本专利技术的一实施例，所述氨吸收粒子包括与氨发生化学反应的分子。根据本专利技术的一实施例，所述无机绝缘层包括硅氮化物或硅氧化物，所述硅氮化物的化学式为SiNx，所述硅氧化物的化学式为SiOx，其中x为整数。根据本专利技术的一实施例，所述钝化层的光刻工艺线宽精度小于5微米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括：/n一衬底基板；/n一阵列基板，设置于所述衬底基板上；/n一发光器件层，设置于所述阵列基板上；/n一薄膜封装层，设置于所述发光器件层上；/n一触控层，设置于所述薄膜封装层上；/n一偏光片层，设置于所述触控层上；以及/n一盖板层，设置于所述偏光片层上；/n其中所述触控层包括：/n至少一无机绝缘层，/n至少一金属层，设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案；以及/n一钝化层，覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括一有机光阻，所述有机光阻参杂有氨吸收粒子。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括：
一衬底基板；
一阵列基板，设置于所述衬底基板上；
一发光器件层，设置于所述阵列基板上；
一薄膜封装层，设置于所述发光器件层上；
一触控层，设置于所述薄膜封装层上；
一偏光片层，设置于所述触控层上；以及
一盖板层，设置于所述偏光片层上；
其中所述触控层包括：
至少一无机绝缘层，
至少一金属层，设置于所述无机绝缘层上，并且形成一触控电极的图案；以及
一钝化层，覆盖所述无机绝缘层以及所述金属层，并且包括一有机光阻，所述有机光阻参杂有氨吸收粒子。


2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述氨吸收粒子为一氨分子筛，所述氨分子筛的粒径小于100纳米，而孔径大于0.38纳米。


3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述氨分子筛的空间网络结构由硅氧四面体单元和铝氧四面体单元交错排列而形成，所述硅氧四面体单元的化学式为SiO4，所述铝氧四面体单元的化学式为AlO4，所述氨分子筛的化学式为Na2O·Al2O3·2SiO2·9/2H2O，SiO2/Al2O3的硅铝比为2。


4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述氨吸收粒子包括与氨发生化学反应的分子。


5.一种显示装置的制作方法，其特征在于：所述方法包括：
步骤10：提供一衬底基板；
步骤20：在所述衬底基板上依序形成一阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：李远航，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42