本实用新型专利技术公开了一种解决EMI辐射的扩频电路，包括输入电源U1，所述电源U1的正极连接有电容C1的一端和感应线圈L1的一端，所述电容C1的另一端连接有电源U1的负极，所述感应线圈L1的另一端连接电容C2的一端、二极管VD4的负极、变压器T1初级线圈的一端，所述二极管VD4的正极连接有二极管VD3的正极，所述二极管VD3的负极连接有三极管VT1的集电极、电阻R2的一端、变压器T1初级线圈的另一端，所述三极管VT1的基极连接有二极管VD2的负极和电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接有二极管VD2的正极和脉冲宽度调制PWM。本实用新型专利技术能够便于对开关转换器中的EMI进行辐射电磁干扰，方便使用。
【技术实现步骤摘要】
一种解决EMI辐射的扩频电路
本技术涉及扩频电路
，尤其涉及一种解决EMI辐射的扩频电路。
技术介绍
EMI即电磁干扰,电磁干扰分为传导电磁干扰和辐射电磁干扰,辐射电磁干扰噪声以辐射电磁场的形式在空间传播，包括由于非良好接地或接地反射电位不为零引起的共模噪声，以及由于没有很好控制的大信号环路引起的差模噪声,目前开关转换器中的EMI不便于进行辐射电磁干扰，因此我们提出了一种解决EMI辐射的扩频电路用于解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种解决EMI辐射的扩频电路。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种解决EMI辐射的扩频电路，包括输入电源U1，所述电源U1的正极连接有电容C1的一端和感应线圈L1的一端，所述电容C1的另一端连接有电源U1的负极，所述感应线圈L1的另一端连接电容C2的一端、二极管VD4的负极、变压器T1初级线圈的一端，所述二极管VD4的正极连接有二极管VD3的正极，所述二极管VD3的负极连接有三极管VT1的集电极、电阻R2的一端、变压器T1初级线圈的另一端，所述三极管VT1的基极连接有二极管VD2的负极和电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接有二极管VD2的正极和脉冲宽度调制PWM,所述三极管VT1的发射极连接有电源U1的负极和电容C3的一端，所述电容C3的另一端连接有电阻R2的另一端，所述变压器T1的次级线圈的一端连接有电阻R3的一端和二极管VD1的正极，所述电阻R3的另一端连接有电容C4的一端，所述电容C4的另一端连接有二极管VD1的负极、电容C5的一端和电源U2的正极，所述变压器T1次级线圈的另一端连接有电容C5的另一端和电源U2的负极。优选的，所述二极管VD3型号为2CW17。优选的，所述二极管VD1、二极管VD2和二极管VD4型号为1N4007。优选的，所述三极管VT1型号为3DG6C6。优选的，所述电阻R1、电阻R2和电阻R3阻值依次为1kΩ、8kΩ和2kΩ。优选的，所述脉冲宽度调制PWM的型号为SG3524。与现有技术相比，本技术的有益效果：通过电容C1、感应线圈L1和电容C2组成了一个输入滤波器，而二极管VD3和二极管VD4则组成一个箝位电路以减轻因变压器泄漏电感而造成的电压尖峰，分别由电阻R2和电容C4以及电阻R3和电容C5组成的缓冲器则分别减慢MOSFET漏源电压的振铃和输出整流器电压的振铃，扩频转换是一种可改善EMI性能的低成本方法，原因是无需在电路上加入任何的电源组件，而且不需增大其尺寸或等级，这项技术可以作为电源管理电路的固有特色，其实现的代价也很低。本技术能够便于对开关转换器中的EMI进行辐射电磁干扰，方便使用。附图说明图1为本技术提出的一种解决EMI辐射的扩频电路的电路原理图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1，一种解决EMI辐射的扩频电路，包括输入电源U1，电源U1的正极连接有电容C1的一端和感应线圈L1的一端，电容C1的另一端连接有电源U1的负极，感应线圈L1的另一端连接电容C2的一端、二极管VD4的负极、变压器T1初级线圈的一端，二极管VD4的正极连接有二极管VD3的正极，二极管VD3的负极连接有三极管VT1的集电极、电阻R2的一端、变压器T1初级线圈的另一端，三极管VT1的基极连接有二极管VD2的负极和电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接有二极管VD2的正极和脉冲宽度调制PWM,三极管VT1的发射极连接有电源U1的负极和电容C3的一端，电容C3的另一端连接有电阻R2的另一端，变压器T1的次级线圈的一端连接有电阻R3的一端和二极管VD1的正极，电阻R3的另一端连接有电容C4的一端，电容C4的另一端连接有二极管VD1的负极、电容C5的一端和电源U2的正极，变压器T1次级线圈的另一端连接有电容C5的另一端和电源U2的负极，通过电容C1、感应线圈L1和电容C2组成了一个输入滤波器，而二极管VD3和二极管VD4则组成一个箝位电路以减轻因变压器泄漏电感而造成的电压尖峰，分别由电阻R2和电容C4以及电阻R3和电容C5组成的缓冲器则分别减慢MOSFET漏源电压的振铃和输出整流器电压的振铃，扩频转换是一种可改善EMI性能的低成本方法，原因是无需在电路上加入任何的电源组件，而且不需增大其尺寸或等级，这项技术可以作为电源管理电路的固有特色，其实现的代价也很低，本技术能够便于对开关转换器中的EMI进行辐射电磁干扰，方便使用。本技术中，二极管VD3型号为2CW17，二极管VD1、二极管VD2和二极管VD4型号为1N4007，三极管VT1型号为3DG6C6，电阻R1、电阻R2和电阻R3阻值依次为1kΩ、8kΩ和2kΩ，脉冲宽度调制PWM的型号为SG3524去，通过电容C1、感应线圈L1和电容C2组成了一个输入滤波器，而二极管VD3和二极管VD4则组成一个箝位电路以减轻因变压器泄漏电感而造成的电压尖峰，分别由电阻R2和电容C4以及电阻R3和电容C5组成的缓冲器则分别减慢MOSFET漏源电压的振铃和输出整流器电压的振铃，扩频转换是一种可改善EMI性能的低成本方法，原因是无需在电路上加入任何的电源组件，而且不需增大其尺寸或等级，这项技术可以作为电源管理电路的固有特色，其实现的代价也很低，本技术能够便于对开关转换器中的EMI进行辐射电磁干扰，方便使用。工作原理：电容C1、感应线圈L1和电容C2组成了一个输入滤波器，而二极管VD3和二极管VD4则组成一个箝位电路以减轻因变压器泄漏电感而造成的电压尖峰，分别由电阻R2和电容C4以及电阻R3和电容C5组成的缓冲器则分别减慢MOSFET漏源电压的振铃和输出整流器电压的振铃，由于电源转换器中的开关频率是一个方波，它包含有谐波，而且理论上会出现在单倍数的频率上每一个在这个范围以内的频率包括随机载都具有相同的或然率，这使到原本的频率尖峰可以转换成一个分布于频率抖动范围内的较平整频谱当谐波愈大，频谱便会变得更平滑和更宽阔，原因是它将散布到更宽阔的的范围，谐波中的峰值能量将会随着谐波数的上升而以更快的速度减少。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种解决EMI辐射的扩频电路，包括输入电源U1，其特征在于，所述电源U1的正极连接有电容C1的一端和感应线圈L1的一端，所述电容C1的另一端连接有电源U1的负极，所述感应线圈L1的另一端连接电容C2的一端、二极管VD4的负极、变压器T1初级线圈的一端，所述二极管VD4的正极连接有二极管VD3的正极，所述二极管VD3的负极连接有三极管VT1的集电极、电阻R2的一端、变压器T1初级线圈的另一端，所述三极管VT1的基极连接有二极管VD2的负极和电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接有二极管VD2的正极和脉冲宽度调制PWM,所述三极管VT1的发射极连接有电源U1的负极和电容C3的一端，所述电容C3的另一端连接有电阻R2的另一端，所述变压器T1的次级线圈的一端连接有电阻R3的一端和二极管VD1的正极，所述电阻R3的另一端连接有电容C4的一端，所述电容C4的另一端连接有二极管VD1的负极、电容C5的一端和电源U2的正极，所述变压器T1次级线圈的另一端连接有电容C5的另一端和电源U2的负极。/n
【技术特征摘要】
1.一种解决EMI辐射的扩频电路，包括输入电源U1，其特征在于，所述电源U1的正极连接有电容C1的一端和感应线圈L1的一端，所述电容C1的另一端连接有电源U1的负极，所述感应线圈L1的另一端连接电容C2的一端、二极管VD4的负极、变压器T1初级线圈的一端，所述二极管VD4的正极连接有二极管VD3的正极，所述二极管VD3的负极连接有三极管VT1的集电极、电阻R2的一端、变压器T1初级线圈的另一端，所述三极管VT1的基极连接有二极管VD2的负极和电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接有二极管VD2的正极和脉冲宽度调制PWM,所述三极管VT1的发射极连接有电源U1的负极和电容C3的一端，所述电容C3的另一端连接有电阻R2的另一端，所述变压器T1的次级线圈的一端连接有电阻R3的一端和二极管VD1的正极，所述电阻R3的另一端连接有电容C4的一端，所述电容C4的另一端连接有二极管VD1的负极、...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海道，胡丽娟，钟裕祥，
申请(专利权)人：深圳市瑞劲电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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