保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，该基材具有‑15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及一种保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法。本申请基于2018年3月9日在日本提出的日本特愿2018-043567号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来，正在进行应用了被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，与半导体芯片的电路面为相反侧的背面有时会露出。在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。为了形成这样的保护膜，例如使用一种在具有基材的支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜，还可将支撑片用作切割片，能够制成保护膜形成用膜与切割片一体化而成的保护膜形成用复合片。作为这样的保护膜形成用复合片，使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。例如利用热固性保护膜形成用膜将保护膜形成用复合片贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面为相反侧的面)后，通过加热使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆与保护膜一同分割，从而制成半导体芯片。之后，使半导体芯片维持贴附有该保护膜的状态并将其从支撑片上分离，从而进行拾取。另外，有时也以与上述相反的顺序进行保护膜形成用膜的固化与切割。作为将半导体晶圆与保护膜一同分割的方法，广泛利用了使用切割刀片将半导体晶圆切割的方法，然而，近年来，还研究了各种不使用切割刀片的半导体晶圆的分割方法。例如，已知有如下方法：以聚集于设定在半导体晶圆的内部的焦点的方式照射激光，从而在半导体晶圆的内部形成改性层，接着，将形成有该改性层、且在背面贴附有树脂膜的半导体晶圆与该树脂膜一同沿树脂膜的平面方向进行扩展(expand)，从而将树脂膜切断，同时在改性层的部位对半导体晶圆进行分割、单颗化(singulation)，由此得到半导体芯片。对于树脂膜的平面方向的扩展，正在研究例如在-15℃的低温条件下进行冷扩展(coolexpand)，以良好地将树脂膜与半导体晶圆一同进行分割。基于冷扩展的分割方法与使用切割刀片的方法不同，具有以下优点：不会在半导体晶圆中形成切割刀片所造成的切削部，可由半导体晶圆得到更多的半导体芯片，不会产生切削屑。作为用于在基板的电路形成面上对半导体芯片进行固晶(diebonding)的物质，有膜状粘合剂，迄今为止，主要在将该膜状粘合剂用作所述树脂膜时，利用上述的分割方法(参考专利文献1、2)。因此，只要对具备热固性保护膜形成用膜或作为其固化物的保护膜作为所述树脂膜的半导体晶圆，应用如上所述的基于冷扩展的分割方法，则这样的方法作为具备保护膜的半导体芯片的制造方法是极其有用的。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-222002号公报专利文献2：日本特开2017-183705号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，在半导体芯片的生产工序中，当对具备热固性保护膜形成用膜或作为其固化物的保护膜的半导体晶圆，应用专利文献1、2中公开的、通过在-15℃的低温条件下进行冷扩展的分割方法时，会产生支撑片裂开的技术问题，在15～25℃的常温条件下的冷扩展中，可能会产生热固性保护膜形成用膜及作为其固化物的保护膜的分割不良。此外，在热固性保护膜形成用膜的加热固化工序中，于在壳体内间隔微小空隙而静置多个在用环状框架支撑周围的保护膜形成用复合片上的晶圆贴附部上载置有半导体晶圆或其经切割而得到的半导体芯片的层叠体的状态下，热固性保护膜形成用膜与支撑片一同被加热固化。若将耐寒性优异的PE(聚乙烯)用于支撑片的基材，则在将热固性保护膜形成用膜加热固化时，PE的基材的支撑片弯曲，产生一个保护膜形成用复合片的晶圆贴附部会与收纳于其下方的另一个保护膜形成用复合片上的半导体晶圆或半导体芯片接触的技术问题。因此。本专利技术的目的在于提供一种在应用基于比常温更低的温度下的冷扩展的分割方法，并使用热固性保护膜形成用膜制造带保护膜的半导体芯片时，支撑片不会因冷扩展而裂开，且即使在对热固性保护膜形成用膜进行加热固化的条件下，支撑片也不会弯曲的保护膜形成用复合片、及使用了该保护膜形成用复合片的带保护膜的半导体芯片及半导体装置的制造方法。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题，本申请的专利技术人进行了深入研究，结果发现，通过使用下述保护膜形成用复合片，能够达成所述目的，所述保护膜形成用复合片在测定保护膜形成用复合片中的、支撑片的基材的动态粘弹性时，低温时的损耗角正切(tanδ)及高温时的储能模量(G’)均为规定值以上。即，本专利技术如下所述。[1]一种保护膜形成用复合片，其在具有基材的支撑片上具备热固性保护膜形成用膜，所述基材的、进行动态粘弹性测定时的-15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上，且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上。[2]根据上述[1]所述的保护膜形成用复合片，其中，以使所述基材的MD方向或CD方向为长边方向的方式，将所述基材裁切成长边110mm×短边22mm，以使加热前的测定间距L0约为100mm的方式对所述基材施加2.2g的载荷，并在该状态下以130℃加热2小时，然后放冷，在23℃下，测定加热后的测定间距L1时，无论是将所述基材的MD方向裁切成长边时或者是将所述基材的CD方向裁切成长边时，式(1)所表示的热伸缩率X均为-3％以上+3％以下。X＝[(L1-L0)/L0]×100···(1)[3]根据上述[1]或[2]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片具有基材及粘着剂层，所述保护膜形成用复合片依次层叠有所述基材、所述粘着剂层及所述保护膜形成用膜。[4]根据上述[3]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层为非能量射线固化性或能量射线固化性。[5]根据上述[3]或[4]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层的厚度为3～20μm。[6]一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，其具备：在上述[1]～[5]中任一项所述的保护膜形成用复合片的所述保护膜形成用膜一侧层叠半导体晶圆，从而制成层叠体的工序；对半导体晶圆的内部照射激光，从而在半导体晶圆的内部形成改性层的工序；将所述保护膜形成用膜加热固化，从而制成保护膜的工序；及以比常温更低的温度对所述层叠体进行冷扩展，从而对所述半导体晶圆、以及所述保护膜形成用膜或保护膜进行分割的工序。即，本专利技术包括以下的方式。[1’]一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，所述基材具有-15℃下的损耗角正切(tan本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，/n所述基材具有-15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180309 JP 2018-0435671.一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，
所述基材具有-15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。


2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材具有下述特性：
以使所述基材的MD方向或CD方向为长边方向的方式，将所述基材裁切成长边110mm×短边22mm，以使加热前的测定间距L0约为100mm的方式对所述基材施加2.2g的载荷，并在该状态下以130℃加热2小时，然后放冷，在23℃下，测定加热后的测定间距L1时，
无论是将所述基材的MD方向裁切成长边时或者是将所述基材的CD方向裁切成长边时，下述式(1)所表示的热伸缩率X均为-3％以上+3％以下，
X＝[(L1-L0)/L0]×100···(1)。

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【专利技术属性】
技术研发人员：古野健太，米山裕之，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP