一种光发射装置制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种光发射装置，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板；其中，所述光发射组件设置在所述封装结构内部；所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。

【技术实现步骤摘要】
一种光发射装置
本申请涉及光通信
，尤其涉及一种光发射装置。
技术介绍
随着云计算和企业数据中心的快速发展，对100G、200G、400G等高速率光器件、光模块的需求逐渐增加。在有限尺寸空间的光模块中集成更多、更高速率的光器件的需求也越来越迫切。现有的光模块中的光器件与印刷电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)间通过管脚或软板连接。随着光器件速率、光器件集成度的提升，需要的连接焊盘数目不断增加，焊盘间的间距不断减小，而采用管脚或软板连接，对光模块的尺寸和可靠性造成了很大的限制。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种光发射装置。为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种光发射装置，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板PCB；其中，所述光发射组件设置在所述封装结构内部；所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，所述植球焊接具体为球栅阵列(BallGridArray，BGA)焊接。在一种可选的实施方式中，所述植球焊接的焊球或所述焊料层与所述陶瓷部分、所述印刷电路板焊接的温度范围为150℃-260℃。在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，所述植球焊接的焊球包括锡银铜焊球、锡银焊球、铟银焊球或锡铋银焊球。在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，所述植球焊接的焊球的直径范围为50μm-150μm。在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过涂覆焊料层进行焊接，所述焊料层的厚度范围为50μm-150μm。在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分上设有金属化焊盘，所述植球焊接的焊球或所述焊料层形成在所述金属化焊盘上；其中，所述金属化焊盘呈C型分布或L型分布。在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分包括单层低温共烧陶瓷或多层低温共烧陶瓷。在一种可选的实施方式中，所述光发射组件包括：过渡热沉；其中，所述过渡热沉为多层陶瓷结构，所述过渡热沉至少包括射频传输线层、接地线层、直流信号线层和贴装层。在一种可选的实施方式中，所述直流信号线层的直流信号通过过孔与所述过渡热沉表面的直流信号焊盘连接；和/或，所述射频传输线层的射频信号通过过孔与所述过渡热沉表面的射频信号焊盘连接。本申请实施例提供了一种光发射装置，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板PCB；其中，所述光发射组件设置在所述封装结构内部；所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。本申请实施例中封装结构中的陶瓷部分和PCB板之间通过焊接连接，实现了光发射组件与所述PCB板之间的电连接，本申请实施例中采用植焊球焊接和/或涂覆焊料层焊接代替管脚或软板连接，如此，减少了信号线从电芯片到光发射组件之间的距离，减少了软带或管脚连接带来的阻抗突变，从而减小了光发射装置的占用空间，便于光发射装置的小型化、多功能化。附图说明图1为本申请实施例提供的一种光发射装置的结构侧面示意图一；图2为本申请实施例提供的一种光发射装置的结构侧面示意图二；图3为本申请实施例提供的一种封装结构的结构剖面示意图；图4为本申请实施例提供的一种封装结构的结构俯视示意图；图5为本申请实施例提供的一种陶瓷部分的侧视图；图6为本申请实施例提供的一种陶瓷部分的俯视图；图7为本申请实施例提供的一种过渡热沉的结构剖面示意图；图8为本申请实施例提供的一种过渡热沉的结构俯视示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。图1为本申请实施例提供的一种光发射装置的结构侧面示意图一，图2为本申请实施例提供的一种光发射装置的结构侧面示意图二，如图1和图2所示，所述光发射装置包括：光发射组件(图中未示出)、封装结构100和印刷电路板PCB200；其中，所述光发射组件设置在所述封装结构100内部；所述封装结构100包括一陶瓷部分110；所述陶瓷部分110与所述PCB板200之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分110与所述PCB板200电连接。在本申请实施例中，所述封装结构100还包括金属部分120；所述光发射组件设置在所述金属部分120内部；所述陶瓷部分110与所述金属部分120固定连接。如图1所示，所述陶瓷部分110和所述PCB板200之间通过焊球进行焊接连接。如图2所示，所述陶瓷部分110和所述PCB板200之间通过焊料层进行焊接连接。在本申请实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光发射装置，其特征在于，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板；其中，/n所述光发射组件设置在所述封装结构内部；/n所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种光发射装置，其特征在于，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板；其中，
所述光发射组件设置在所述封装结构内部；
所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。


2.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，
所述植球焊接具体为球栅阵列焊接。


3.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，
所述植球焊接的焊球或所述焊料层与所述陶瓷部分、所述印刷电路板焊接的温度范围为150℃-260℃。


4.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，
所述植球焊接的焊球包括锡银铜焊球、锡银焊球、铟银焊球或锡铋银焊球。


5.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，
所述植球焊接的焊球的直径范围为50μm-15...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋小平，宁静，刘成刚，肖清明，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42