Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置，该Micro LED显示面板包括衬底基板；位于衬底基板一侧的第一导电层，该第一导电层包括多个第一导电电极；位于第一导电层背离衬底基板一侧的多个第一LED芯片，且第一LED芯片与第一导电电极一一对应电连接；位于第一LED芯片背离衬底基板一侧且覆盖第一LED芯片的第一封装结构；位于第一封装结构背离衬底基板一侧的第二导电层，第二导电层包括多个第二导电电极和多个辅助电极；第二导电电极通过贯穿第一封装结构的第一过孔与第一LED芯片的第二电极一一对应电连接，辅助电极与所述第一LED芯片一一对应设置。本发明专利技术实施例能够提高生产良率、降低成本以及提高显示效果。

【技术实现步骤摘要】
MicroLED显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种MicroLED显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
微型发光二极管或微发光二极管(MicroLightEmittingDiode，MicroLED)显示器是一种采用尺寸为微米级的LED的显示器，其具有像素独立控制、独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和高色彩度等特点，而MicroLED显示器的关键技术是巨量转移技术。当前，应用于MicroLED显示器中的MicroLED芯片包括同侧电极结构芯片和垂直结构芯片。现有技术中，对于垂直结构芯片在转移并绑定后，会对芯片进行封装，再制作上电极，然后对芯片进行点亮测试，若出现坏点，则需要将坏点处的封装结构拆除，再去除坏点位置处的芯片，并将新的芯片补入坏点处。如此，采用现有技术的方式替换对坏点处的芯片，操作复杂，且容易破坏该坏点处的芯片周围芯片的封装结构，而损坏其它芯片，从而增加成本，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种MicroLED显示面板及其制备方法、显示装置，以简化工艺步骤，降低生产成本，提高产品良率和显示效果。第一方面，本专利技术实施例提供一种MicroLED显示面板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧的第一导电层；所述第一导电层包括多个第一导电电极；位于所述第一导电层背离所述衬底基板一侧的多个第一LED芯片，且所述第一LED芯片与所述第一导电电极一一对应电连接；位于所述第一LED芯片背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一LED芯片的第一封装结构；位于所述第一封装结构背离所述衬底基板一侧的第二导电层，所述第二导电层包括多个第二导电电极和多个辅助电极；所述第二导电电极通过贯穿所述第一封装结构的第一过孔与所述第一LED芯片的第二电极一一对应电连接，所述辅助电极与所述第一LED芯片一一对应设置。第二方面，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括：上述显示面板。第三方面，本专利技术实施例还提供一种MicroLED显示面板的制备方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成第一导电层；所述第一导电层包括多个第一导电电极；通过携带有多个第一LED芯片的转运基板，将多个所述第一LED芯片转运至所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，以使所述第一LED芯片的第一电极与所述第一导电电极一一对应电连接；在所述第一LED芯片背离所述衬底基板的一侧形成覆盖所述第一LED芯片的第一封装结构；在所述第一封装结构中形成第一过孔，以露出所述第一LED芯片的第二电极；在所述第一封装结构背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层；所述第二导电层包括多个第二导电电极和多个辅助电极；所述第二导电电极通过所述第一过孔与所述第一LED芯片的第二电极一一对应电连接，所述辅助电极与所述第一LED芯片一一对应设置。本专利技术实施例提供的一种MicroLED显示面板及其制备方法、显示装置，通过在衬底基板与第一LED芯片之间设置第一导电层，且该第一导电层的第一导电电极与第一LED芯片的第一电极一一对应电连接，而在第一LED芯片背离衬底基板的一侧设置第一封装结构，以阻隔水、氧等对第一LED芯片的侵蚀；同时，在第一封装结构背离第一LED芯片的一侧设置第二导电层，该第二导电层包括与第一LED芯片一一对应的第二导电电极和辅助电极，且该第二导电电极与第一LED芯片的第二电极电连接，以使该第一LED芯片能够在第一导电电极和第二导电电极接收的驱动信号的控制下进行发光显示；如此，当MicroLED显示面板中的第一LED芯片发光异常时，可直接采用第二导电层的辅助电极作为替换芯片的导电电极，从而无需拆除第一封装结构即可实现对芯片的替换，有利于能够简化工艺步骤，降低生产成本，并且能够防止因拆除第一封装结构而损坏其他第一LED芯片，有利于提高生产良率。此外，第二导电层的辅助电极也可以作为第一LED芯片的补偿芯片的导电电极，如此在MicroLED显示面板显示发光时，可同时驱动两层芯片发光，从而能够提高MicroLED显示面板的显示亮度，提高MicroLED显示面板的显示效果。附图说明图1为现有技术的一种MicroLED显示面板的结构意图；图2是本专利技术实施例提供的一种MicroLED显示面板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的一种MicroLED显示面板的制备方法的流程图；图14是与图13对应的一种MicroLED显示面板的制备方法的流程结构示意图；图15是本专利技术实施例提供的一种MicroLED显示面板的制备过程的结构示意图；图16是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的制备方法的流程图；图17是本专利技术实施例提供的又一种MicroLED显示面板的制备方法的流程图；图18是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1为现有技术的一种MicroLED显示面板的结构意图。如图1所示，MicroLED显示面板包括衬底基板01、第一导电电极02、LED芯片03、封装结构04以及第二导电电极05；其中，LED芯片03为垂直结构的MicroLED芯片，该LED芯片03包括上电极031、下电极032和设置于上电极031和下电极032之间的发光结构033。通常在衬底基板01的一侧形成第一导电电极02后，采用巨量转移的方法将多个LED芯片03一起转移，使得各LED芯片03的下电极032与各第一导电电极02电连接；由于转移至衬底基板01上的LED芯片03容易被水、氧等侵蚀，因此会对转移至衬底基板01上的LED芯片03进行封装，并通过贯穿封装结构04的过孔使LED芯片03的上电极031与第二导电电极05电连接。由于LED芯片03制备工艺、转移等的影响，会造成LED芯片发光异常，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED显示面板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n位于所述衬底基板一侧的第一导电层；所述第一导电层包括多个第一导电电极；/n位于所述第一导电层背离所述衬底基板一侧的多个第一LED芯片，且所述第一LED芯片与所述第一导电电极一一对应电连接；/n位于所述第一LED芯片背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一LED芯片的第一封装结构；/n位于所述第一封装结构背离所述衬底基板一侧的第二导电层，所述第二导电层包括多个第二导电电极和多个辅助电极；所述第二导电电极通过贯穿所述第一封装结构的第一过孔与所述第一LED芯片的第二电极一一对应电连接，所述辅助电极与所述第一LED芯片一一对应设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板一侧的第一导电层；所述第一导电层包括多个第一导电电极；
位于所述第一导电层背离所述衬底基板一侧的多个第一LED芯片，且所述第一LED芯片与所述第一导电电极一一对应电连接；
位于所述第一LED芯片背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一LED芯片的第一封装结构；
位于所述第一封装结构背离所述衬底基板一侧的第二导电层，所述第二导电层包括多个第二导电电极和多个辅助电极；所述第二导电电极通过贯穿所述第一封装结构的第一过孔与所述第一LED芯片的第二电极一一对应电连接，所述辅助电极与所述第一LED芯片一一对应设置。


2.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述辅助电极通过贯穿所述第一封装结构的第二过孔与所述第一LED芯片的第二电极一一对应电连接。


3.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板，其特征在于，还包括：至少一个第二LED芯片；
所述第二LED芯片位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧；所述第二LED芯片的第一电极与所述辅助电极电连接。


4.根据权利要求3所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述第二LED芯片为垂直结构的LED芯片；
所述MicroLED显示面板还包括：
位于所述第二LED芯片背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第二LED芯片的第二封装结构；
以及，位于所述第二封装结构背离所述衬底基板一侧的第三导电层，所述第三导电层包括至少一个第三导电电极；所述第三导电电极通过贯穿所述第二封装结构的第三过孔与所述第二LED芯片的第二电极一一对应电连接。


5.根据权利要求3所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述第二LED芯片为同侧电极结构的LED芯片；
其中，所述第二LED芯片的第二电极与所述第二导电电极电连接。


6.根据权利要求4或5所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述辅助电极与所述第一LED芯片的第二电极互不连接；
所述MicroLED显示面板包括与多个所述第一LED芯片一一对应的多个所述第二LED芯片。


7.根据权利要求1～5任一项所述的MicroLED显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述第一封装结构靠近所述第一LED芯片一侧的第三封装结构；
位于所述第三封装结构和所述第一封装结构之间的连接电极层；所述连接电极层包括多个连接电极；所述连接电极通过贯穿所述第三封装结构的第四过孔与所述第一LED芯片的第二电极一一对应电连接；
其中，所述第二导电电极通过所述连接电极与所述第一LED芯片的第二电极电连接。


8.根据权利要求7所述的MicroLED显示面板，其特征在于，当所述辅助电极与所述第一LED芯片的第二电极电连接时，所述辅助电极通过所述连接电极与所述第一LED芯片的第二电极电连接。


9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的MicroLED显示面板。


10.一种MicroLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成第一导电层；所述第一导电层包括多个第一导电电极；
通过携带有多个第一LED芯片的转运基板，将多个所述第一LED芯片转运至所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，以使所述第一LED芯片的第一电极与所述第一导电电极一一对应电连接；
在所述第一LED芯片背离所述衬底基板的一侧形成覆盖所述第一LED芯片的第一封装结构；
在所述第一封装结构中形成第一过孔，以露出所述第一LED芯片的第二电极；
在所述第一封装结构背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层；所述第二导电层包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡雨，
申请(专利权)人：湖北长江新型显示产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42