阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成有源层、层间绝缘层、像素电极层、源漏金属层、钝化层和公共电极层，有源层包括源极区域和漏极区域；其中，图案化层间绝缘层和像素电极层，以在像素电极层形成像素电极，在层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，第一过孔裸露出漏极区域，第二过孔裸露出源极区域，第一凹槽与第二过孔连通设置；图案化源漏金属层以形成源极和漏极，漏极设置在第一过孔内，源极设置在第二过孔内并延伸入第一凹槽。本申请减少了阵列基板制作时所需要的光罩数量，从而降低了工艺成本，增加了产品的产能。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器具有耗电量小、对比度高、节省空间等优点，已成为市场上最主流的显示装置。与传统的非晶硅阵列技术相比，低温多晶硅技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的薄膜晶体管液晶显示面板和有机发光二极管显示面板的制作。目前，在低温多晶硅阵列技术中，阵列基板制作时所需的光罩数量较多，产品制作周期长，从而在增加工艺成本的同时，降低了产品的产能。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制备方法，以解决阵列基板制作时所需的光罩数量较多的技术问题。本申请提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上形成有源层，所述有源层包括源极区域和漏极区域；在所述有源层上依次形成层间绝缘层和像素电极层；图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述像素电极层形成像素电极，在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，所述第一过孔裸露出所述漏极区域，所述第二过孔裸露出所述源极区域，所述第一凹槽与所述第二过孔连通设置；在所述像素电极层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层以形成源极和漏极，所述漏极设置在所述第一过孔内，所述源极设置在所述第二过孔内并延伸入所述第一凹槽；在所述源漏金属层上依次形成图案化的钝化层和图案化的公共电极层。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽的步骤，包括：在所述像素电极层上形成第一光阻层；采用半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成图案化的第一光阻，图案化的所述第一光阻包括第一部分、第二部分、第三部分和通孔，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的厚度递减，所述通孔裸露出所述像素电极层且对应于所述漏极区域和所述源极区域的部分；对所述像素电极层和所述层间绝缘层位于所述漏极区域和所述源极区域的部分进行刻蚀，以分别形成第一开孔和第二开孔，所述第一开孔和所述第二开孔均裸露出所述层间绝缘层；对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分；对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述半色调光罩包括第一透光部、第二透光部、第三透光部和第四透光部，所述第一透光部、所述第二透光部、所述第三透光部和所述第四透光部的透过率递增；所述采用半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成图案化的第一光阻的步骤，包括：将所述第一透光部、所述第二透光部、所述第三透光部和所述第四透光部一一对应于待形成的所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述通孔；对所述第一光阻层进行曝光，以形成所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述通孔。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，在所述对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽的步骤之后，还包括：对所述第一灰化处理后的所述第一光阻进行第二灰化处理，以除去所述第一减薄后的所述第二部分并得到第二减薄后的所述第一部分；以所述第二减薄后的所述第一部分为掩膜，对所述像素电极层的裸露部分进行刻蚀处理，以形成所述像素电极；除去所述第二减薄后的所述第一部分。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分的步骤，包括：对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分和对应于待形成的第二凹槽的部分；所述对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽的步骤，包括：对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分和位于待形成的所述第二凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔、所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽间隔设置，且所述第二凹槽裸露出所述层间绝缘层。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述在所述像素电极层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层以形成源极和漏极的步骤，包括：在所述像素电极层上形成源漏金属层，所述源漏金属层覆盖所述第一过孔、所述第二过孔、所述第一凹槽和所述第二凹槽；在所述源漏金属层上形成第二光阻层，所述第二光阻层包括填充部分和平坦部分，所述填充部分填充于所述第一过孔、所述第二过孔、所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述平坦部分覆盖所述源漏金属层；对所述第二光阻层进行灰化处理，以除去所述平坦部分；以所述填充部分为掩膜，对所述源漏金属层进行刻蚀处理，以形成所述源极、所述漏极和触控走线，所述触控走线设置在所述第二凹槽内；剥离所述填充部分。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述在所述源漏金属层上依次形成图案化的钝化层和图案化的公共电极层的步骤，包括：在所述源漏金属层上形成钝化层；对所述钝化层进行图案化处理，以形成第三过孔和第四过孔，所述第三过孔与所述第一过孔连通设置，且裸露出所述像素电极的部分，所述第四过孔与所述第二凹槽连通设置；在图案化的所述钝化层上形成公共电极层；对所述公共电极层进行图案化处理，以形成公共电极，所述公共电极通过所述第四过孔与所述触控走线电性连接。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述在所述基板上形成有源层的步骤之后，还包括：对所述有源层进行刻蚀，以形成图案化的所述有源层；在所述有源层上依次形成栅极绝缘层和栅极金属层；对所述栅极金属层进行图案化处理，以形成栅极。本申请还提供一种阵列基板，其包括：基板；缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板上；有源层，所述有源层设置在所述缓冲层上，所述有源层包括源极区域和漏极区域；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上；栅极金属层，所述栅极金属层设置在所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述栅极金属层上，所述层间绝缘层上开设有第一过孔、第二过孔和第一凹槽，所述第一过孔裸露出所述漏极区域，所述第二过孔裸露出所述源极区域，所述第一凹槽与所述第二过孔连通设置；像素电极层，所述像素电极层设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一基板；/n在所述基板上形成有源层，所述有源层包括源极区域和漏极区域；/n在所述有源层上依次形成层间绝缘层和像素电极层；/n图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述像素电极层形成像素电极，在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，所述第一过孔裸露出所述漏极区域，所述第二过孔裸露出所述源极区域，所述第一凹槽与所述第二过孔连通设置；/n在所述像素电极层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层以形成源极和漏极，所述漏极设置在所述第一过孔内，所述源极设置在所述第二过孔内并延伸入所述第一凹槽；/n在所述源漏金属层上依次形成图案化的钝化层和图案化的公共电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成有源层，所述有源层包括源极区域和漏极区域；
在所述有源层上依次形成层间绝缘层和像素电极层；
图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述像素电极层形成像素电极，在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，所述第一过孔裸露出所述漏极区域，所述第二过孔裸露出所述源极区域，所述第一凹槽与所述第二过孔连通设置；
在所述像素电极层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层以形成源极和漏极，所述漏极设置在所述第一过孔内，所述源极设置在所述第二过孔内并延伸入所述第一凹槽；
在所述源漏金属层上依次形成图案化的钝化层和图案化的公共电极层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽的步骤，包括：
在所述像素电极层上形成第一光阻层；
采用半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成图案化的第一光阻，图案化的所述第一光阻包括第一部分、第二部分、第三部分和通孔，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的厚度递减，所述通孔裸露出所述像素电极层且对应于所述漏极区域和所述源极区域的部分；
对所述像素电极层和所述层间绝缘层位于所述漏极区域和所述源极区域的部分进行刻蚀，以分别形成第一开孔和第二开孔，所述第一开孔和所述第二开孔均裸露出所述层间绝缘层；
对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分；
对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述半色调光罩包括第一透光部、第二透光部、第三透光部和第四透光部，所述第一透光部、所述第二透光部、所述第三透光部和所述第四透光部的透过率递增；
所述采用半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成图案化的第一光阻的步骤，包括：
将所述第一透光部、所述第二透光部、所述第三透光部和所述第四透光部一一对应于待形成的所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述通孔；
对所述第一光阻层进行曝光，以形成所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述通孔。


4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽的步骤之后，还包括：
对所述第一灰化处理后的所述第一光阻进行第二灰化处理，以除去所述第一减薄后的所述第二部分并得到第二减薄后的所述第一部分；
以所述第二减薄后的所述第一部分为掩膜，对所述像素电极层的裸露部分进行刻蚀处理，以形成所述像素电极；
除去所述第二减薄后的所述第一部分。


5.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分的步骤，包括：
对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分和对应于待形成的第二凹槽的部分；
所述对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾飞，罗成志，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42