【技术实现步骤摘要】
一种基于多阶数分数阶小波包变换的芯片外观缺陷检测方法
本专利技术属于芯片外观缺陷检测
,具体涉及一种基于多阶数分数阶小波包变换和基于变分贝叶斯混合模型特征降维的芯片外观缺陷检测方法。
技术介绍
随着集成电路的大规模发展,表面贴装技术得到了越来越广泛的应用。贴装元件在生产,运输,储存过程中可能会发生各种情况,元件有可能出现各种不同的外观缺陷,大致可以分为芯片本体损坏,芯片本体有异物,芯片本体有划痕三类。如果使用了这些缺陷芯片,会对产品甚至人们生命安全造成影响。因此,元件贴装前需要进行芯片缺陷的检测。而传统的检测技术要么忽视对外观缺陷的检测,要么采用人工方式对外观缺陷进行检测,因此,现有检测技术对芯片外观缺陷检测的效率很低,且检测精度较差。
技术实现思路
本专利技术的目的是为解决现有检测技术对芯片外观缺陷检测的效率低,且检测精度差的问题,而提出了一种基于多阶数分数阶小波包变换的芯片外观缺陷检测方法。本专利技术为解决上述技术问题采取的技术方案是:一种基于多阶数分数阶小波包变换的芯片外观缺陷检测方法,所述方法具体包括以下步骤:步骤一、使用单通道黑白相机获取芯片外观图像;步骤二、分别对步骤一获取图像进行整数阶数小波包分解和阶数为p1、p2、p3、p4的分数阶小波包分解,获得整数阶数小波包分解结果和阶数p1、p2、p3、p4对应的分数阶小波包分解结果;步骤三、计算树状子频段分解结果中每个部分对应的矩阵的特征,将计算出的特征作为图像的纹理特征;再提取出图像的几何特征 ...
【技术保护点】
1.一种基于多阶数分数阶小波包变换的芯片外观缺陷检测方法,其特征在于,所述方法具体包括以下步骤:/n步骤一、使用单通道黑白相机获取芯片外观图像;/n步骤二、分别对步骤一获取图像进行整数阶数小波包分解和阶数为p1、p2、p3、p4的分数阶小波包分解,获得整数阶数小波包分解结果和阶数p1、p2、p3、p4对应的分数阶小波包分解结果;/n步骤三、分别计算步骤二得到的分解结果中每个部分对应的矩阵的特征,将计算出的特征作为步骤一获取图像的纹理特征;再提取出步骤一获取图像的几何特征和梯度特征;/n步骤四、基于变分贝叶斯混合模型将步骤三得到的图像特征进行降维,得到降维后的特征;/n步骤五、将步骤四得到的降维后特征输入支持向量机分类器中,得到芯片外观缺陷类型分类结果,完成对芯片外观缺陷的检测。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于多阶数分数阶小波包变换的芯片外观缺陷检测方法,其特征在于,所述方法具体包括以下步骤:
步骤一、使用单通道黑白相机获取芯片外观图像;
步骤二、分别对步骤一获取图像进行整数阶数小波包分解和阶数为p1、p2、p3、p4的分数阶小波包分解,获得整数阶数小波包分解结果和阶数p1、p2、p3、p4对应的分数阶小波包分解结果;
步骤三、分别计算步骤二得到的分解结果中每个部分对应的矩阵的特征,将计算出的特征作为步骤一获取图像的纹理特征;再提取出步骤一获取图像的几何特征和梯度特征;
步骤四、基于变分贝叶斯混合模型将步骤三得到的图像特征进行降维,得到降维后的特征;
步骤五、将步骤四得到的降维后特征输入支持向量机分类器中,得到芯片外观缺陷类型分类结果,完成对芯片外观缺陷的检测。
2.根据权利要求1所述的一种基于多阶数分数阶小波包变换的芯片外观缺陷检测方法,其特征在于,所述步骤二的具体过程为:
对步骤一获取的图像进行阶数为p1的分数阶小波包分解:
在行方向上,采用公式(1)对步骤一获取图像的数字信号进行离散p1阶傅里叶变换,得到离散p1阶傅里叶变换结果DFrFTp1(I);
式中,I为步骤一获取图像的数字信号,N为数字信号的长度,WN为N×N的矩阵,和为N×N的对角线矩阵;
矩阵WN、和的定义为:
式中,WN[m,n]为矩阵WN中第m行第n列的元素,p1为阶数,j是虚数单位,m=1,2,…,N,n=1,2,…,N;
为矩阵中第n行第n列的元素,Δt为时间域的采样间隔;
为矩阵中第n行第n列的元素,Δu为离散p1阶傅里叶变换的采样间隔;
Δt和Δu满足如下关系:
在列方向上,再对DFrFTp1(I)进行离散p1阶傅里叶变换,得到二维p1阶分数阶傅里叶变换结果;
在行方向上,对得到的二维p1阶分数阶傅里叶变换结果进行小波包分解,得到低通滤波结果L和高通滤波结果H,在列方向上,再分别对L和H进行小波包分解,得到...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙昊,刘伟华,高会军,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙;23
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