一种多路电压产生电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多路电压产生电路，包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2、第二二极管Z2，第一MOS管Q1的漏端和第二MOS管Q2的源端共接，第一MOS管Q1的源端连接第二电阻R2的第二端，第二电阻R2的第一端连接输入电源且为一种输出电压值的输出节点；第一MOS管Q1的栅端和第二MOS管Q2的栅端共接且连接在第一电阻R1的第二端，第二MOS管Q2的漏端分别与第三MOS管Q3的栅端和第二二极管Z2的第一端相连接，第三MOS管Q3的源端连接在输入电源上，第二二极管Z2的第二端与第四MOS管Q4的源端和漏端共接，第三MOS管Q3的漏端与第四MOS管的栅端连接且构成另一种输出电压值的输出节点，实现单输入多输出功能且电路结构简单。

【技术实现步骤摘要】
一种多路电压产生电路
本技术涉及电子电路
，具体的说，是一种多路电压产生电路。
技术介绍
一个完整的系统电路是由多个功能模块电路组成的，因为有的功能模块电路的供电电源与其他模块电路不同，因此需要单独的电压源进行供电，才能进行正常的工作，从而保证整个系统电路的正常功能实现。目前的偏置电压电路通常是以基准电压源为基础，设计分压电路或者偏压产生电路，再为特定的功能模块电路配备供电电源，这会造成了电路的连接复杂，操作困难，很容易造成电路接线错误，而且如果需要单独供电电源的功能模块电路较多，需要的电源电路也较多，会占用较大的面积，造成成本的提高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种多路电压产生电路，能够克服现有的多电压电路结构复杂，占用面积大的缺陷，具有电路结构简单，功能稳定，可实现单输入多输出功能。本技术通过下述技术方案实现：一种多路电压产生电路，包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2、第二二极管Z2，第一MOS管Q1的漏端和第二MOS管Q2的源端共接，第一MOS管Q1的源端连接第二电阻R2的第二端，第二电阻R2的第一端连接输入电源且第二电阻R2的第一端为一种输出电压值的输出节点；第一MOS管Q1的栅端和第二MOS管Q2的栅端共接且连接在第一电阻R1的第二端，第二MOS管Q2的漏端分别与第三MOS管Q3的栅端和第二二极管Z2的第一端相连接，第三MOS管Q3的源端连接在输入电源上，第二二极管Z2的第二端与第四MOS管Q4的源端和漏端共接，第三MOS管Q3的漏端与第四MOS管的栅端连接且构成另一种输出电压值的输出节点。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述多路电压产生电路还包括第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第一二极管Z1、第三电阻R3和第四电阻R4，第五MOS管Q5的栅端、第六MOS管Q6的栅端、第三电阻R3的第一端、第四电阻R4的第一端共接且皆连接在输入电源上，第一电阻R3的第二端连接在第五MOS管Q5的漏端上，第五MOS管Q5的源端连接第六MOS管Q6的漏端，第四电阻R4的第二端连接第七MOS管Q7的漏端，第六MOS管Q6的源端分别连接第一二极管Z1的第一端和第七MOS管的栅端，第一二极管Z1的第二端与第二二极管Z2的第一端相连接，第二二极管Z2的第二端与第八MOS管Q8的源端，第七MOS管Q7的源端连接第八MOS管Q8的漏端和栅端。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第七MOS管Q7的源端与第八MOS管Q8的漏端和栅端共接构成第三路输出电压电路的输出节点。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第四MOS管Q4的源端和漏端共接且接地。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第一电阻R1的第一端接地。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第一二极管Z1采用齐纳二极管，且第一二极管Z1的第一端为负极。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第二二极管Z2采用齐纳二极管，且第二二极管Z2的第一端为负极。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第一MOS管Q1和第二MOS管Q2采用PMOS管，所述第三MOS管Q3和第四MOS管Q4采用NMOS管。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8皆采用NMOS管。本技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：（1）本技术能够克服现有的多电压电路结构复杂，占用面积大的缺陷，并可实现单输入多输出功能。（2）本技术具有结构简单，功能稳定，占用面积小，在满足其他电路模块多电压的要求下，能够有效降低成本。附图说明图1为本技术的电路原理图。图2为本技术具体应用电路结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。值得注意的是：在本申请中，某些需要应用到本领域的公知技术或常规技术手段时，申请人可能存在没有在文中具体的阐述该公知技术或/和常规技术手段是一种什么样的技术手段，但不能以文中没有具体公布该技术手段，而认为本申请不符合专利法第二十六条第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多路电压产生电路，其特征在于：包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2、第二二极管Z2，第一MOS管Q1的漏端和第二MOS管Q2的源端共接，第一MOS管Q1的源端连接第二电阻R2的第二端，第二电阻R2的第一端连接输入电源且第二电阻R2的第一端为一种输出电压值的输出节点；第一MOS管Q1的栅端和第二MOS管Q2的栅端共接且连接在第一电阻R1的第二端，第二MOS管Q2的漏端分别与第三MOS管Q3的栅端和第二二极管Z2的第一端相连接，第三MOS管Q3的源端连接在输入电源上，第二二极管Z2的第二端与第四MOS管Q4的源端和漏端共接，第三MOS管Q3的漏端与第四MOS管的栅端连接且构成另一种输出电压值的输出节点。/n

【技术特征摘要】
1.一种多路电压产生电路，其特征在于：包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2、第二二极管Z2，第一MOS管Q1的漏端和第二MOS管Q2的源端共接，第一MOS管Q1的源端连接第二电阻R2的第二端，第二电阻R2的第一端连接输入电源且第二电阻R2的第一端为一种输出电压值的输出节点；第一MOS管Q1的栅端和第二MOS管Q2的栅端共接且连接在第一电阻R1的第二端，第二MOS管Q2的漏端分别与第三MOS管Q3的栅端和第二二极管Z2的第一端相连接，第三MOS管Q3的源端连接在输入电源上，第二二极管Z2的第二端与第四MOS管Q4的源端和漏端共接，第三MOS管Q3的漏端与第四MOS管的栅端连接且构成另一种输出电压值的输出节点。


2.根据权利要求1所述的一种多路电压产生电路，其特征在于：所述多路电压产生电路还包括第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第一二极管Z1、第三电阻R3和第四电阻R4，第五MOS管Q5的栅端、第六MOS管Q6的栅端、第三电阻R3的第一端、第四电阻R4的第一端共接且皆连接在输入电源上，第一电阻R3的第二端连接在第五MOS管Q5的漏端上，第五MOS管Q5的源端连接第六MOS管Q6的漏端，第四电阻R4的第二端连接第七MOS管Q7的漏端，第六MOS管Q6的源端分别连接第一二极管Z1的第一端和第七MOS管的栅端，第一二极管Z...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世彬，朱子诚，刘志军，杨亚杰，赵文川，
申请(专利权)人：成都蓉创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51